Пьезоэлектрические материалы в микроэлектромеханических системах
Исследование явления возникновения электрического поля в результате давления на кристалл. Свойства и характеристики пьезоэлектрических материалов. Этапы производства пьезокерамики. Анализ направлений поляризации доменов в поликристаллической структуре.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Материалы электронной техники |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Роман Денисович Юшков |
| Дата добавления | 07.11.2018 |
| Размер файла | 684,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Общие сведения о сегнетоэлектриках, диэлектрические свойства и электропроводность, линейные и нелинейные свойства. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, области спонтанной поляризации (доменов). Направления применения сегнетоэлектрических кристаллов.
курсовая работа [10,0 M], добавлен 29.07.2009Явления, происходящие в пьезоэлектрике. Пьезоэлектрические преобразователи: вилочные датчики для регулирования уровня жидкости; для измерения давления и виброскорости. Пьезоэлектрический преобразователь ламбда-зонд; глубиномеры микрометрические.
курсовая работа [2,5 M], добавлен 05.12.2012Пьезоэлектрические акселерометры: общая характеристика, принцип работы и области применения. Основные варианты конструкции пьезоэлектрических акселерометров. Дешифраторы, операционные усилители и аналого-цифровые преобразователи, их предназначение.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 16.05.2014Поляризация электромагнитной волны и исследование с помощью виртуальной лабораторной установки различных видов поляризации. Вектор напряжённости электрического поля. Однородная плоская волна с круговой поляризацией. Описание лабораторной установки.
лабораторная работа [1,0 M], добавлен 22.03.2009Использование серийных микропроцессорных датчиков давления серии "МЕТРАН" вразработке математической модели датчика давления и реализации ее в системах измерения давления. Аналогово-цифровой преобразователь системы: параметры структурных составляющих.
курсовая работа [32,0 K], добавлен 27.02.2009Определение поля ХН и построение графика поляризации передающей антенны в плоскости падения без учета влияния земли. Расчет зависимости поля E(p) на трассе от усредненного угла наблюдения. Вычисление максимальной мощности на входе радиоприемника.
контрольная работа [360,9 K], добавлен 20.09.2011Материал для изготовления толстопленочных элементов. Требования, предъявляемые к пастам. Наполнители проводниковых паст. Методы формирования рисунка. Трафаретная печать. Проводники толстопленочных схем. Материалы для герметизации кристаллов и плат.
реферат [131,8 K], добавлен 15.01.2009Основные характеристики радиоканала. Модель распространения радиоволн в свободном пространстве и в реальных условиях. Модели радиоканалов внутри зданий. Расчет электромагнитного поля. Исследование изменения уровня затухания сигнала. Оценка результатов.
дипломная работа [4,5 M], добавлен 21.06.2012Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.
контрольная работа [750,7 K], добавлен 13.06.2012Расчет напряженности поля земной радиоволны вертикальной поляризации для заданной дальности радиосвязи на двух типах однородной земной поверхности. Расчет напряженности поля на линии связи ионосферной волной. Уровень сигнала на спутниковой радиолинии.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 15.04.2014Расчёт напряжённости электрического поля на входе радиоприёмного устройства при заданной мощности излучения. Определение скорости распространения и направления прихода электромагнитного поля. Изучение поляризационных характеристик и искажений сигнала.
курсовая работа [198,7 K], добавлен 23.12.2012Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.
курсовая работа [612,5 K], добавлен 12.12.2011Сигналы в системах (зондирующий, сигнал подсвета, запросный, собственное радиоизлучение объекта наблюдения, отраженный сигнал и т.п.). Электромагнитные поля. Поляризационная структура электромагнитного поля. Амплитудное равномерное распределение поля.
реферат [2,0 M], добавлен 14.12.2008Проводники, диэлектрики и полупроводниковые материалы. Строение и свойства фото-, светодиодов, транзисторов, термисторов, их классификация, вольт-амперная характеристика, применение в автомобильных электрических системах. Преимущества цифровых схем.
презентация [4,1 M], добавлен 12.12.2013Методы геометрической и физической оптики, конечных элементов. Приближенный расчет поля сверхширокополосного излучателя в дальней зоне, импульсная диаграмма направленности антенны. Метод моментов для интегрального уравнения электрического поля.
методичка [846,8 K], добавлен 09.01.2012Классификация средств обнаружения и локализации закладных устройств. Принцип работы индикатора поля, его основные характеристики. Детектор поля со звуковой сигнализацией и регулировкой чувствительности. Работа многофункционального приемника ближнего поля.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 28.01.2015Принципы работы газоразрядной индикаторной панели – устройства отображения информации, использующее в своей работе явления электрического разряда в газе и возбуждаемого им свечения люминофора. Расчет структуры, габаритов, газового наполнения и материалов.
курсовая работа [745,2 K], добавлен 01.12.2010Акселерометр как прибор, измеряющий проекцию кажущегося ускорения. Характеристика микросхемы ADXL150. Основные особенности интегральных и пленочных пьезоэлектрических акселерометров. Анализ конструкции датчика ускорения микросхемы семейства XMMA.
реферат [2,2 M], добавлен 22.10.2012Законы и критерии оценки пропорциональной миниатюризации. Различные типы микроактюаторов. Электростатические, магнитные, пьезоэлектрические, гидравлические, тепловые актюаторы. Группы материалов при создании микросистем: конструкционные; "активные умные".
реферат [2,5 M], добавлен 05.02.2011Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация [206,2 K], добавлен 27.11.2015
