Фоторезисторы: конструкция, параметры

Изучено устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Применение фоторезисторов. Регистрация оптического излучения. Световое реле для освещения улиц.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Функциональная электроника
Вид реферат
Язык русский
Прислал(а) Данила
Дата добавления 17.02.2022
Размер файла 390,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Фотоэлектрические приемники лучистой энергии. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства материалов. Фоторезисторы, их свойства и принцип работы. Световые характеристики фоторезисторов. Энергетический спектр валентных электронов в материалах.

    реферат [1,3 M], добавлен 15.01.2015

  • Физические основы работы фоторезисторов, их вольтамперные, световые и спектральные характеристики; инерционность. Структура фоторезистора, схема его включения и принцип действия. Характеристика примесной фотопроводимости, явление электропроводности.

    контрольная работа [4,0 M], добавлен 12.03.2015

  • Принцип действия и параметры элементов ПЗС, а также разновидности их конструкций. Распределение поверхностного потенциала в МДП-структуре в направлении, перпендикулярном затвору. Принцип действия ПЗС основан на накоплении и хранении зарядовых пакетов.

    реферат [104,5 K], добавлен 11.12.2008

  • Оптические кабели и разъемы, их конструкции и параметры. Основные разновидности волоконно-оптических кабелей. Классификация приемников оптического излучения. Основные параметры и характеристики полупроводниковых источников оптического излучения.

    курс лекций [6,8 M], добавлен 13.12.2009

  • Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.

    реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017

  • Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.

    курсовая работа [3,3 M], добавлен 18.10.2009

  • Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.

    курсовая работа [551,5 K], добавлен 19.05.2011

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010

  • Внешний вид ряда датчиков: света, давления, температуры, скорости, перемещения. Перечень разновидностей фоторезисторов и перечисление области их применения. Внешний вид и принципиальная схема работы лабораторного стенда "Исследование фоторезисторов".

    презентация [3,2 M], добавлен 14.03.2011

  • Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 19.10.2009

  • Анализ блок-схемы включения приемника излучения и вариантов предварительных усилителей, выбор типа фоторезистора по минимальному уровню флуктуационных шумов. Принципиальная схема и уровни шума предварительных усилителей на полевом транзисторе и ОУ.

    курсовая работа [409,3 K], добавлен 16.01.2015

  • Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.

    контрольная работа [710,2 K], добавлен 10.06.2013

  • Конструкции и поляризационные свойства световодов, дисперсия сигналов оптического излучения. Виды оптических коннекторов и соединительных адаптеров. Принцип работы и структура оптического рефлектометра, его применение для измерения потерь в коннекторах.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.11.2012

  • Устройство интегратора, построенного на операционном усилителе. Принцип действия прибора, принципиальные схемы и основные выражения. Основные проблемы и способы их решения. Применение интегратора на операционных усилителях. Тестирование и описание схем.

    курсовая работа [529,2 K], добавлен 21.06.2014

  • Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 28.01.2015

  • Типовая структурная схема электронного аппарата и его работа. Свойства частотного фильтра, его характеристики. Расчет входного преобразователя напряжения. Устройство и принцип действия релейного элемента. Расчет аналогового элемента выдержки времени.

    курсовая работа [921,8 K], добавлен 14.12.2014

  • Типы и конструкция сенсоров на поверхностном плазмонном резонансе. Классификация, устройство и принцип действия сенсоров. Сенсоры с параллельным и расходящимся световым пучком. Применение поверхностного плазмонного резонанса для биохимических анализов.

    курсовая работа [894,9 K], добавлен 18.07.2014

  • Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.

    контрольная работа [637,3 K], добавлен 13.02.2015

  • Характеристика электромеханических систем, их классификация и использование в устройствах релейной защиты и автоматики систем электроснабжения. Принцип действия и выполнение электромагнитных измерительных, логических, индукционных, поляризационных реле.

    курсовая работа [3,3 M], добавлен 11.08.2009

  • Назначение и конструкция электродинамического громкоговорителя, его основные параметры и классификация. Устройство и принцип действия импульсного источника питания. Типовые неисправности узла, алгоритм поиска неисправности, его настройка и регулировка.

    курсовая работа [646,7 K], добавлен 02.04.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.