Исследование связи энергетических спектров молекул с транспортными характеристиками одноэлектронных транзисторов на их основе

Рубрика	Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид	статья
Язык	русский
Дата добавления	03.11.2018
Размер файла	1,8 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Подобные документы

• Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е

  Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.
  
  курсовая работа [1,3 M], добавлен 17.03.2011
  

• Проектирование тороидального трансформатора с заданными характеристиками

  Анализ условий эксплуатации трансформатора с заданными характеристиками. Обоснование дополнительных требований, параметров. Обзор аналогичных конструкций, выбор направления проектирования. Электрический, конструктивный расчет тороидального трансформатора.
  
  курсовая работа [144,1 K], добавлен 10.03.2010
  

• Средства измерений оптических, энергетических и спектральных параметров полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур

  Обзор конструктивных особенностей и характеристик лазеров на основе наногетероструктур. Исследование метода определения средней мощности лазерного излучения, длины волны, измерения углов расходимости. Использование исследованных средств измерений.
  
  дипломная работа [2,7 M], добавлен 26.10.2016
  

• Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления

  Рассмотрение синтеза структуры транзистора с использованием расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в производстве. Расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов, их конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики.
  
  курсовая работа [257,7 K], добавлен 21.09.2010
  

• Полупроводниковые приборы

  Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером.
  
  контрольная работа [1,4 M], добавлен 05.07.2014
  

• Сети и средства связи управления

  Узлы коммутации и оконечные транспортные станции, соединенные между собой абонентскими и соединительными линиями. Способы коммутации и признаки для выбирания маршрутов между оконечными транспортными станциями. Система вложенных "черных ящиков".
  
  контрольная работа [242,0 K], добавлен 10.06.2009
  

• Расчет и проектирование МДП-транзистора

  Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.
  
  курсовая работа [1,4 M], добавлен 18.12.2009
  

• Вычитающий усилитель с высоким входным сопротивлением

  Математическая модель параметра и значения первичных элементов усилителя. Пояснение формул и их параметров для вероятностного метода. Получение производственного рассеяния параметров на ЭВМ. Характеристики выходного параметра по методу Монте-Карло.
  
  курсовая работа [403,9 K], добавлен 20.09.2014
  

• Исследование переходных характеристик типовых звеньев систем

  Исследование взаимосвязей между параметрами типовых динамических звеньев и их характеристиками. Оценка влияния изменения постоянной времени и коэффициента демпфирования на характер переходного процесса. Определение параметров звеньев первого порядка.
  
  лабораторная работа [805,8 K], добавлен 06.04.2016
  

• Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией

  Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
  
  контрольная работа [710,2 K], добавлен 10.06.2013
  

• Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей

  Исследование нагрузки линейной электрической цепи. Предполагаемый характер частотных характеристик на основе анализа схемы. Расчет резонансных частот и резонансных сопротивлений. Исследование параметров транзисторов с обобщенной и избирательной нагрузкой.
  
  курсовая работа [2,5 M], добавлен 17.11.2014
  

• Фильтры нижних частот

  Расчет нормированных и ненормированных величин АЧХ фильтра. Разновидности фильтров нижних частот: с характеристиками затухания (Баттерворта), с равноволновыми характеристиками затухания (фильтры Чебышева), со всплесками затухания (фильтры Золотарёва).
  
  реферат [264,8 K], добавлен 04.06.2009
  

• Полевые транзисторы и их применение

  История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
  
  реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014
  

• Анализ и определение параметров нелинейности электронных усилителей каналов ВЧ связи по ЛЭП и выбор оптимального режима

  Определение интермодуляционных параметров нелинейности усилителя на основе аппроксимации его коэффициента усиления в функции от напряжения смещения на управляющем электроде транзистора. Определения параметров нелинейности и выбор оптимального режима.
  
  курсовая работа [350,4 K], добавлен 02.01.2011
  

• Расчет полевого транзистора с изолированным затвором

  Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.
  
  контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013
  

• Исследование каналов связи технологии LTE для выявления их помехоустойчивости при разных условиях

  Общие сведения о стандарте LTE. Формирование нисходящего и восходящего каналов. Выбор системы имитационного моделирования. Расчет показателей качества для многопозиционной модуляции. Определение вероятности битовой ошибки в канале связи технологии LTE.
  
  дипломная работа [2,3 M], добавлен 04.10.2021
  

• Характеристики и параметры полевых МДП-транзисторов с индуцированным каналом

  Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
  
  лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013
  

• Расчет биполярного транзистора

  Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
  
  курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015
  

• Методы проектирования и моделирования усилителей

  Изучение методов проектирования, расчета и моделирования усилителей с использованием САРП. Расчёт коэффициента усиления напряжения разомкнутого усилителя. Выходной, входной каскад и расчет емкостных элементов. Коэффициент усиления и цепь обратной связи.
  
  курсовая работа [327,1 K], добавлен 05.03.2011
  

• Разработка усилительного устройства

  Методика и основные этапы проектирования усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов. Расчет оконечного каскада, принципы и обоснование выборов транзисторов. Определение параметров входного каскада. Расчет надежности устройства.
  
  контрольная работа [661,7 K], добавлен 15.11.2012
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к подобным работам