Универсальная физическая модель живой формы вещества как основа закона сохранения жизни

Степень затухания колебаний в контуре зависит от величины потерь в нём энергии на образование тепла (на инфракрасные излучения в месте потерь). Следовательно, чем больше величина активного сопротивления в контуре, чем больше требуется восстановительных работ в локальных участках плавления и перестроения, например, кристаллической решётки, тем при всех прочих равных условиях интенсивнее происходит затухание живого колебательного процесса.

Сравните с перестройкой в социальном обществе, например, в России. Перестройка ликвидировала все ранее действующие заводы, фабрики, разные производства, оборонную систему, образование и науку. И живой процесс в России затих, резко упало уважение со стороны соседей, погибли миллионы людей, а новорожденных стало меньше. Поэтому надо учиться премудрости жизни у Творца колебательных процессов.

Величина затухания определяется формулой:

d = r /с = r / ?(L/C).

Величина, обратная затуханию, называется КАЧЕСТВОМ или добротностью Q контура.



Q = 1/ d = с / r.

Чем выше качество колебательного контура, тем меньше в нём процесс затухания, тем более живучей выглядит живая сущность, тем дольше она может жить без взаимодействия с внешней средой. Современные технические колебательные контуры с применением кварцевых структур имеют качество контура, измеряемое десятками и сотнями тысяч (безразмерных единиц).

В каждом колебательном контуре, как в живом, так и в техничном исполнении, могут существовать только затухающие собственные колебания, поэтому любое вещество постоянно взаимодействует с электромагнитным излучением внешней среды. Сознательное взаимодействие с волновой средой создаёт активное сопротивление движущимся токам в контуре тела. Если же мы видим в какой-то системе незатухающие колебания, то они, как правило, всегда являются навязанными или вынужденными какой-либо сторонней электродвижущей силой. В этом случае источник электрической энергии периодически доставляет в контур необходимое количество энергии, чтобы скомпенсировать необратимые потери энергии, например, на тепловые потери в активной зоне возникшего сопротивления. В живых системах потери происходят за счёт процесса мышления, уносящего энергию колебаний из структуры памяти.

Продолжим рассмотрение процессов в последовательном колебательном контуре, который является эквивалентной схемой чувствительной системы живой формы вещества.

Полное напряжение U всего последовательного колебательного контура вычисляется по теореме Пифагора для прямоугольного треугольника (см. рис. 3, 4).

U = v [Uа 2 + (UL - UC)2].



(читается, так: полное напряжение колебательного контура равно корню квадратному из суммы - квадрата напряжения на активном сопротивлении и квадрата разности напряжений на индуктивности и ёмкости).

Поскольку разность реактивных напряжений (UL - UC)2 возведена в квадрат, то это значение не зависит от того, какое из напряжений UL или UC больше другого. Треугольник напряжений преобразовывается в треугольник сопротивлений, если величины напряжений разделим на величину тока I. Полное сопротивление колебательного контура будет равно (см. рис.4):

Z = U / I., Z = ? [r2 + (щ·L - 1/щ·C)2]. Z = v (r2 + x2).

Полное РЕАКТИВНОЕ сопротивление

x = xL - xC = щ·L - 1/щ·C.

Ток в последовательном колебательном контуре может опережать или отставать по фазе колебаний от напряжения, в зависимости от того, какой характер носит режим процесса - индуктивный или емкостной.

Если (щ·L - 1/щ·C )> 0, то угол ц > 0, что соответствует индуктивному режиму цепи, режиму действия оперативной структуры памяти. В этом режиме ток отстаёт по фазе колебаний от напряжения внешней среды на угол ц.

Если индуктивное сопротивление меньше емкостного (щ·L - 1/щ·C) < 0, то режим работы носит емкостной характер, и ток опережает по фазе колебаний напряжение на угол ц.

Мгновенное значение напряжения, приложенного со стороны внешней электромагнитной среды к последовательному контуру, определяется так:



u = Um · Sin(щt+ц).

Отсюда можно определить мгновенную мощность того волнового поля фотонной среды, которое развивает колебательный процесс в контуре чувствительной оболочки,

p = u · i = Um · Sin(щt+ц)· Im · Sin щt.

Эта формула изменяет свой вид в зависимости от угла сдвига фазы колебаний тока и напряжения, в зависимости от того, какой режим в данный момент идёт в чувствительной оболочке, режим накопления электрической энергии, или режим накопления магнитной энергии.

Мгновенная мощность, развиваемая в цепи последовательного контура, выражается формулой:

p = U·I· cos ц - U·I· cos(2 щt±ц).

Знак (± ц) зависит от режима, при индуктивном режиме будет(+), а при емкостном (-). Отсюда видно, что мгновенная мощность, развиваемая в контуре, независимо от индуктивного или емкостного режима, является величиной несинусоидальной, она изменяется с двойной частотой по сравнению с частотой тока в контуре.

Активная мощность Pа = U·I ·cos ц

Реактивная мощность Pр = U·I ·sin ц sin ц= x / z. X = щL - 1/щC

Z = ?[r2+ (щL - 1/щC)2].

Реактивная мощность в цепи последовательного колебательного контура характеризует колебания энергии только между волновым полем среды и чувствительной системой живой формы вещества. Она не учитывает местных колебаний энергии между оперативной памятью и рецепторной системой (между индуктивностью и конденсатором самого контура). Важно, что реактивная мощность зависит не от абсолютной величины параметров структуры памяти и рецепторов, а от их разности (щL - 1/щC). Если эта разность велика, то велика будет и реактивная мощность, как ответная реакция чувствительной системы всего колебательного контура во внешнюю среду. Тело «разговаривает» на языке электромагнитных колебаний с волновой средой постоянно.

Если, например, максимальная энергия, запасаемая в магнитном поле структуры оперативной памяти (LIm 2 /2), больше максимальной энергии, запасаемой в электрическом поле рецепторов - конденсатора (CUcm2 / 2), то магнитное поле тока структуры памяти, исчезая в процессе одного колебания, передаёт не всю свою энергию нарастающему электрическому полю рецепторов, а только ту, что соответствует их ёмкости. Остальная часть энергии магнитного поля будет излучаться в среду внешнего волнового поля. И, наоборот, когда магнитное поле структуры памяти нарастает по мере разряда рецепторной системы (конденсатора), то недостаток энергии рецепторов компенсируется приёмом энергии из внешнего волнового поля. Как видим, решение принимать или излучать, или не принимать энергию принадлежит оперативной памяти. Тем самым вся жизнь во внешней среде является удовлетворением желаний генетической памяти тела (удовлетворение потребностей Женского Начала).

Когда максимальное количество магнитной энергии, запасённой в оперативной памяти, будет в точности равно максимальной электрической энергии, запасённой в рецепторах (конденсаторе), то эти поля полностью обеспечивают самих себя энергией. И система чувствительной оболочки живёт самостоятельно, не нуждаясь в получении энергии из внешнего поля. Система становится устойчивой и симметричной в это время. Но при этом ДЕЖУРНАЯ связь с энергией внешней среды остаётся постоянная. Колебательный ритм живой системы из структуры памяти и чувствительной оболочки определяет частоту потребления внешней энергии или отдачу своей энергии полю, или сохраняет равновесие со средой. Устойчивый процесс развития жизни - это колебательный процесс с непосредственной связью с внешним волновым полем.

Условия резонанса напряжения

Если к системе из замкнутой структуры памяти и разомкнутой чувствительной оболочки, образующих последовательную колебательную систему, приложить переменное синусоидальное напряжение, то в этой системе возникнут вынужденные электромагнитные колебания. Переменный ток в этом контуре также будет изменяться по синусоидальному закону с частотой, равной частоте приложенного напряжения со стороны внешнего поля:

i = Im· sin (щt -ц).

Угол сдвига фазы ц колебаний тока и напряжения (ц может быть равен нулю, быть положительным или отрицательным) зависит от того, какой характер носит система: угол отрицательный, если энергия структуры памяти ниже энергии рецепторов. Угол положительный при превышении энергии памяти над энергией рецепторов. Угол равен нулю при равенстве энергии памяти и рецепторов. При нулевом значении угла ц ток и напряжение в последовательном контуре совпадают по фазе, они синфазные, поддерживают друг друга.

Явление, когда ток и напряжение в системе из структуры памяти и чувствительной оболочки совпадают по фазе колебаний, называется электрическим резонансом, который бывает двух типов - электрический резонанс напряжений и электрический резонанс токов.

Единая живая система всегда состоит из двух частей - чувствительной системы и структуры долговременной памяти. При этом сама чувствительная система состоит из этих же элементов, объединённых в виде оперативной памяти и рецепторов последовательного колебательного контура. Вторая часть целой живой системы - структура долговременной памяти - также состоит из двух типов элементов: непосредственно из элементов памяти и электрического источника питания (конденсатора). Втора часть живой системы представляет собой параллельное соединение электрической и магнитной составляющей. Поэтому целая живая система выглядит как квадруполь, образованный последовательным и параллельным колебательными контурами.

При резонансе напряжений, а он возникает только в чувствительной системе в виде последовательного колебательного контура:

1) напряжение и ток в цепи контура совпадают по фазе колебаний, что обеспечивает приём, обработку и передачу информационного содержания без искажения смысла.

2) индуктивное сопротивление равно емкостному сопротивлению.

3) частота вынужденных колебаний или частота внешнего поля, совпадает с частотой собственных незатухающих колебаний.

В плане идеи двух Начал чувствительная оболочка - это Мужское Начало, оно всегда сильно нагружено, работает с высокими частотами, и потому требуется постоянное порождение новых особей, оно может существовать (жить) самостоятельно, но не может размножаться, оно сохраняет оперативную память. А для сохранения памяти воспроизводства (размножения) нужна долговременная память, учитывающая опыт всех прошлых жизней. Поэтому для сохранения незатухающих колебаний в данный период времени, в настоящее время, необходимо сочетание оперативной памяти и долговременной памяти. Их объединение способствует размножению. Мужское Начало - порождается Женским Началом на определённое время для познания внешней среды. Женское Начало существует вечно благодаря ритму воспроизводства.

4) падение напряжения на активном сопротивлении последовательного контура равно приложенному напряжению со стороны электромагнитного поля. Это означает, что всё напряжение расходуется в локальном месте перестройки токопроводящих систем, например, электрических цепей кристаллической решётки.

5) падение напряжения на структуре оперативной памяти равно падению напряжения на рецепторах. Это означает безошибочность передачи информации, созданной напряжением внешней среды, из среды в рецепторы, и из рецепторов в структуру оперативной памяти.

6) всё напряжение, приложенное извне к рецепторной системе, расходуется при резонансе напряжений исключительно на преодоление тех проблем, которые возникают при необходимости перестроить часть структурной формы чувствительной системы. По ходу «прочтения» волновой книги жизни чувствительная система непрерывно совершенствуется, её электрические рецепторные элементы постоянно обновляются, размножаются до множества. Тем самым по ходу роста и перестроения системы увеличивается длина рабочей волны, в контакте с которой постоянно находится чувствительная система..

7) в любой момент времени при резонансе напряжений общее количество энергии, сосредоточенное в электрических и магнитных полях последовательного колебательного контура, постоянно и равно максимальному количеству магнитной энергии, запасённой структурой оперативной памяти. Магнитная энергия памяти в точности равна электрической энергии рецепторов. Это говорит о 100% КПД чувствительной системы.

8) при резонансе напряжений последовательный колебательный контур чувствительной системы является активным сопротивление для внешнего электромагнитного поля. Это поле посылает в цепь колебательного контура энергию, необходимую только для покрытия активных расходов энергии на перестроение структуры. Важно понять, что внешнее поле разгружено от энергии внутренних потребностей живой системы, поскольку рецепторы и оперативная память взаимно обмениваются энергией в ритме своих колебаний. Система способна жить самостоятельно благодаря внутреннему ритму колебаний, Но с приходом внешнего напряжения со стороны электромагнитного поля система вынуждена оказать ему сопротивление, и начать быстрое приспособление и перестроение токоведущих цепей, чтобы соответствовать полю. Тем самым демонстрируется факт информационного управления ростом и развитием материальных тел со стороны внешних электромагнитных полей.

9) затухание цепи d последовательного колебательного контура при резонансе напряжений равно отношению величины напряжения поля внешней среды к падению напряжения на структуре памяти или на рецепторах, ибо они равны между собой.

d = r /с,

где с = ? L /C - волновое сопротивление равно квадратному корню из отношения индуктивности к ёмкости. При резонансе напряжений реактивное сопротивление структуры памяти равно реактивному сопротивлению рецепторов и равно волновому сопротивлению. В условиях приёма знакомой, уже изученной и запомненной информации, активное сопротивление очень мало в сравнении с индуктивным и емкостным сопротивлениями, и на элементах контура возникает очень большое напряжение, в тысячи раз превышающее напряжение в электромагнитной волне.

10) добротность последовательного колебательного контура при резонансе напряжений показывает, во сколько раз напряжение на оперативной структуре памяти или на рецепторах (в отдельности) больше напряжения, приложенного ко всему контуру со стороны внешнего электромагнитного поля.

И в природе, и в радиотехнике стремятся к тому, чтобы качество колебательного контура было большим, так как в этом случае напряжение на структуре оперативной памяти и на рецепторах во много раз превышает напряжение со стороны поля среды. Использование колебательных контуров на основе кварца приводит к получению добротности контура свыше ста тысяч. Так слабые электромагнитные колебания внешней среды усиливаются во много раз в последовательном колебательном контуре чувствительной системы. Этот факт отвечает на вопрос медицины и биологии о сверхслабых и слабых взаимодействиях биологических объектов.

11) последовательный колебательный контур определяет видовую принадлежность живого вещества, поскольку он определяет чёткую полосу пропускания усиливаемых частот.

12) последовательный колебательный контур обеспечивает 100% безошибочную и неискажённую передачу внешней информации внутрь системы для её сохранности в параллельном колебательном контуре.

Пример расчёта параметров последовательной колебательной системы

Имеем последовательный колебательный контур из индуктивности L= 1,6·10-3 гн (генри) и ёмкости C = 25·10-12 ф (фарада). Активное сопротивление контура r = 20 ом.. Внешнее синусоидальное напряжение, приложенного к контуру, составляет U = 1,2 в (вольт). Определить режим работы в этом контуре в момент резонанса напряжения.

Определим угловую или круговую частоту щ0, на которой будет работать данный контур

щ0 = 1/ ? LC = 1 / ?1,6·10-3 · 25·10-12 = 5·106 1/сек. (сек-1).

2) Определим волновое сопротивление колебательного контура с

с = ? L /C = 1,6·10-3 / 25·10-12 = 8 000 ом.

3) Определим затухание d волны колебаний в контуре



d = r /с = 20 / 8 000 = 0, 0025

4) Определим величину добротности колебательного контура или его качество Q

Q = 1/d = 1/0, 0025 = 400.

Это значит, что контур способен усилить входной сигнал в 400 раз.

5) Определим величину напряжения на индуктивности (структура оперативной памяти) и на конденсаторе (на рецепторах).

UL0 = UC0 = Q·U = 400·1,2 = 480в,

пример того, как слабое напряжение 1,2 в на входе чувствительной системы значительно (до 480в) усиливается в резонансном контуре только за счёт свободного колебательного процесса.

6) Определим величину индуктивного (щ0·L) и емкостного (1 /щ0·C) сопротивления

щ0·L = 5·106·1,6·10-3 = 8 000 ом; 1 /щ0·C = 1 / (5·106·25·10-12) = 8 000 ом

Видно, что при резонансе напряжений волновое сопротивление с равно индуктивному сопротивлению, и равно емкостному сопротивлению 8 000 ом в данном примере колебательного контура.

7) Определим полное реактивное сопротивление колебательного контура в режиме резонанса напряжения x = щ0·L - 1 /щ0·C = 8 000 - 8 000 = 0 полное реактивное сопротивление последовательного колебательного контура в режиме резонанса напряжения равно нулю. Всё приложенное из среды напряжение расходуется в активном сопротивлении чувствительной системы.

8) Определим угол сдвига фазы колебания между током и напряжением в режиме резонанса напряжения: tgц = x / r = 0 / 20 = 0, если tgц=0, то угол ц равен нулю. Ток и напряжение в режиме резонанса напряжений изменяются синхронно, достигая одновременно максимальной и минимальной величины, что служит основанием усиления слабого входного сигнала, поступающего на вход чувствительной системы формы живого вещества.

9) Определим величину тока в контуре в режиме резонанса напряжения, исходя из начальных условий u = 1,2 в; r = 20 ом:

I0 = U /r = 1, 2 / 20 = 0,06 а.

10) Вычислим активную мощность Pa, развиваемую током в этом контуре

Pa = U·I0 ·cosц = (I0· r)·I0·cos ц при ц=0 Pa = I0 2· r = (0,06)2·20= 0,072вт

10) Определим реактивную мощность Pr в данном контуре

Pr = I0 2 · xL = I0 2 · щ0·L = (0,06)2 · 8 000 = 28,8 ва (вольт-ампер).

Видно, что реактивная мощность (28,8 ва) превышает активную мощность, развиваемую электромагнитным полем внешней среды в данном контуре (0,072вт) почти в 390 раз. Таким образом, наглядно видно, что последовательная колебательная система, возбуждаемая слабым внешним сигналом, бурно реагирует своими внутренними процессами, внутренней реакцией на внешнее возбуждение, значительно усиливая его.

11) Определим максимальную энергию, запасаемую в магнитном поле оперативной памяти (в катушке индуктивности) Wм m и в электрическом поле рецепторов (конденсаторе) WС m

Wм m = L · Im 2 / 2 .

Учитывая, что к системе контура приложено входное напряжение, изменяющееся по закону синуса, в цепи контура возникают синусоидальные колебания, и потому напряжение и ток достигают по времени своего максимального значения (Im и Um).

Из треугольника напряжений (рис.4) при условии, что UL = UC и UL - UC = 0.

Мгновенное значение напряжения u = UL m · sin (щt + р/2). Из треугольника напряжений UL m = u · cos (ц + р/2), поскольку ц=0, а cos р/2= ?2, то UL m = u·v2. То же относится и к Im: Im = v2· I0, и для данного случая : Im = v2·0,06 а.

Wм m = L · Im 2 / 2 = [1,6·10-3·(v2·0,06)2] /2 = 5,76·10-6 дж.

12)Максимальная мощность, запасённая электрическим полем рецепторной системы (конденсатором) будет равна в условиях резонанса напряжений максимальной магнитной мощности, запасённой в структуре оперативной памяти.

Wэ m = C·UC m 2 / 2 = 25·10-12 · (v2·480)2 /2 = 5,76·10-6 дж.

Полоса пропускания частот последовательного колебательного контура

Полоса частот, которую способна преобразовывать чувствительная оболочка в виде последовательного колебательного контура, служит основой существования конкретного вида живых существ.

Основное свойство всех колебательных систем природы - усиливать сигналы электромагнитной волны (духовной сущности) и сохранять свой индивидуальный ритм колебаний, который и есть живой процесс, основанный на резонансном взаимодействии каждой формы вещества с электромагнитными полями, внутри которых живут эти системы. При исследовании резонансных явлений и определении добротности или качества живой системы важную роль играет представление зависимости напряжения и жизненных токов на рецепторах и на элементах структуры памяти от частоты внешних электромагнитных полей, а также от величины емкостных и индуктивных параметров самой системы.

Рис. 5. Резонансная кривая последовательного колебательного контура и полоса пропускания частот (между f1 и f2) этого контура. f0 -резонансная частота, а I0 - резонансная амплитуда тока в контуре. Полоса пропускания определяется на уровне 0,7 I0.

На (рис. 5) представлена типовая резонансная кривая колебательного контура, показывающая зависимость действующего значения жизненно важного тока от частоты внешних ЭМИ. Действующее значение тока в заданной живой колебательной системе можно определить по формуле:

I = U / ? [r2 + (щL - 1/щC)2].



Читается формула так. Действующее значение тока I в колебательном контуре равно частному от деления действующего напряжения U на корень квадратный из суммы квадрата активного сопротивления r2 и квадрата разности реактивного сопротивления (щL - 1/щC)2 - индуктивности и ёмкости. Запомним: общее реактивное сопротивление последовательного колебательного контура равно РАЗНОСТИ индуктивного и емкостного сопротивлений.

При неизменном напряжении внешней волны сигнала проследим (согласно формуле) изменение величины тока I от частоты щ, давая ей значение от нуля до бесконечности. И при нулевом значении, и при бесконечно большом значении угловой частоты щ ток I равен нулю. А это означает, что ток при изменении частоты сигнала от нуля до бесконечности должен вначале возрастать, а затем падать до нуля.

Из формулы видно, что ток достигает максимального значения тогда, когда щL - 1/щC = 0, что возможно при равенстве реактивного сопротивления рецепторов 1/щC реактивному сопротивлению элементов структуры оперативной памяти щL. А это условие максимального значения действующего тока в контуре соответствует режиму резонанса напряжений. Именно при резонансе напряжений электромагнитные колебания в цепи последовательного контура достигают максимального размаха (амплитуды колебаний).

Следовательно, ток в последовательном колебательном контуре становится максимальным, когда угловая частота щ станет равной резонансной угловой частоте щ0 = 1/?LC. На резонансной частоте ток равен I = I0 = U /r, т.е. определяется величиной внутреннего активного сопротивления, которое определяет степень затухания колебаний в контуре. В живых системах активное сопротивление очень мало, поэтому в организме токи могут достигать больших величин.

В момент перестроения кристаллической решётки рвутся (плавятся) токоведущие цепи, частота колебаний падает. Чем выше напряжение внешнего электромагнитного поля, тем больше внутренние токи в живой системе. Все живые системы имеют малое внутреннее сопротивление, они обладают высокой электропроводностью и высоким качеством. По мере эволюции качество живой системы возрастает за счёт увеличения количества замкнутых структур памяти. С приходом новой по содержанию информации ей оказывается большое активное сопротивление, система подстраивается под частоту сигнала. Активное сопротивление не оказывается ранее изученному сигналу, что способствует узнаванию внешних условий, и память дважды не запоминает одно и то же. С приходом изученной ранее информации возникает явление сверхпроводимости.

Полоса пропускания частот последовательным колебательным контуром чётко характеризует индивидуальность данной живой сущности, и потому живая сущность является МЕРОЙ информационного содержания во внешнем поле. Полоса пропускания определяется формулой:

fпр = d·f0,

где d - затухание контура, которое равно отношению r/с - активного сопротивления к волновому сопротивлению, с = ?L/C.

При резонансе напряжений магнитная энергия, запасённая в структуре оперативной памяти, численно равна электрической энергии, запасенной в рецепторной системе, но они сдвинуты по фазе колебаний на 180°. Тем самым создаётся эффект накачки энергии со стороны внешнего поля в рецепторную систему, а из неё в структуру оперативной памяти. Изменения напряжения во внешней электромагнитной среде вызывают изменения энергии внутри колебательной системы, она выходит из равновесия, и начинается процесс роста и развития структуры системы. Поэтому живой колебательный процесс является вынужденным процессом. Благодаря наличию собственных колебаний в последовательном колебательном контуре, напряжение внешнего электромагнитного сигнала усиливается многократно (до ста тысяч раз в технических контурах с применением кремния), причём без искажения смыслового содержания. Тем самым внешний электромагнитный сигнал оживляет структуру вещества, и она живёт по закону энергоинформационного содержания поля внешней среды.

В живой колебательной системе возможны перенапряжения на рецепторах или в оперативной памяти, поскольку возникают локальные относительно мощные колебания энергии между чувствительными рецепторами и оперативной памятью. Простейшей колебательной системой, реализующей резонанс напряжений, является атом водорода - протон с электронно-позитронной оболочкой.

Важно знать, что при резонансе напряжений форма вещества по отношению к внешнему полю является чисто активной (по сопротивлению, диамагнитной) структурой, как бы без её реактивных элементов, которые, работая синфазно, дают КПД 100% по обработке и хранению информации. Каждая форма вещества живёт своей внутренней жизнью за счёт ритмичного обмена энергией между запасённой магнитной энергии структуры памяти и электрической энергии рецепторов. Живая волна колебания в едином теле волнообразно возбуждает последовательно объединённые элементы единого контура колебаний, создавая внутренний циркадный ритм. Чем меньше величина активного сопротивления в системе организма, тем мощнее электромагнитное колебание внутри организма, тем больше величина жизненного тока. С ростом образованности сопротивление организма внешнему полю падает. Но рано или поздно все внутренние колебания по обмену энергией затухают, нужна свежая информационная волна, требуется новое знание. Поэтому мужские особи не могут жить без обработки информации, они вечно чем-то заняты.

Напряжённость электрического поля измеряется в вольтах на метр (В/м), а напряжённость магнитного поля - в амперах на метр (А/м). Поэтому целостная живая система сформирована наружной электрической оболочкой и внутренней структурой памятью с магнитными свойствами. Отношение амплитуды напряжённости электрического поля к амплитуде напряжённости магнитного поля равно ВОЛНОВОМУ СОПРОТИВЛЕНИЮ свободного пространства фотонной среды.

с = Em / Hm = 120р = ?L/C = ?м / е = 120·3,14 = 377 ом.

Отсюда находим соотношение между магнитной м и диэлектрической е проницаемостью.

?м / е = 377. м = е · 3772 = 142 129 е.

Магнитная проницаемость в 142 тысячи раз больше диэлектрической проницаемости в свободном пространстве (практически в атмосфере Земли). Женское Начало и её эквивалент Магнитное поле обладает дальнодействием, интуицией, памятью прошлого опыта. Электрическое действие - это близкодействующее высоко чувствительное сознательное действие Мужского Начала.

Итак, взаимодействие вещества с излучениями происходит посредством чувствительной оболочки, исполненной в виде последовательного электрического колебательного контура, способного многократно усиливать слабые электромагнитные сигналы без искажения смысла.

Электрический резонанс токов в параллельном колебательном контуре - эквиваленте структуры памяти

Резонансом токов называется такой режим в цепи переменного тока с параллельно соединёнными индуктивностью и электрической ёмкостью, при котором ток I в неразветвлённом участке цепи и напряжение ~U, приложенное к этой цепи, совпадают по фазе колебаний. Резонанс токов возникает в параллельном колебательном контуре в том случае, если реактивные составляющие проводимости параллельных ветвей с индуктивностью и ёмкостью численно равны друг другу. Проводимость - это величина, обратная сопротивлению в электропроводной сети.

Параллельный колебательный контур - это замкнутый контур колебаний, и в общем случае всех форм вещества является эквивалентной системой долговременной памяти (рис.6).

Размещено на http://www.allbest.ru/

Рис. 6. Эквивалентная схема структуры долговременной памяти живой формы вещества в форме параллельного колебательного контура.

Хорошо известно, что тело человека состоит из двух частей, левая часть тела управляется правым полушарием мозга (структурой памяти), а правая часть тела управляется левым полушарием мозга (структурой памяти). Каждому участку тела человека подотчётна конкретная область тела. На рис. 6 представлена эквивалентная схема только одной части тела человека со своим полушарием.

На (рис.6) представлена эквивалентная схема структуры долговременной памяти, состоящая из двух самостоятельных участков, один из которых образован индуктивностью L1 и её активным сопротивлением r1, а второй участок образован накопителем электрической энергии, конденсатором C2 и его активным сопротивлением r2. Вместе они формируют один замкнутый контур (r1 L1 C2 r2), к которому приложено переменное напряжение ~U со стороны чувствительной системы. Этот замкнутый контур является элементарной ячейкой структуры долговременной памяти, параллельным колебательным контуром. Запомним, что всякой элементарной структуре памяти всегда требуется свой и только свой элементарный источник электрической энергии. Без источника энергии структура памяти не может существовать. Без внешнего электромагнитного поля не сможет существовать ни одна форма вещества. Каждой форме вещества (каждому её виду) требуется только своя электромагнитная среда. Вид преобразуется в новой электромагнитной среде.

Память информационного содержания, поступившего от чувствительной системы, выполненной в виде последовательного колебательного контура (см. рис.2), сохраняется благодаря внутреннему обмену энергией в замкнутом контуре (рис.6). Напряжение электромагнитной волны внешней среды воспринимается в виде резонанса напряжения рецепторной системой, и без искажения передаётся со 100% КПД на вход элемента структуры памяти в виде ~U переменного напряжения (рис.6). И в замкнутом контуре L1 C2 r2 r1 возникает замкнутый свободный колебательный процесс, который может длиться бесконечно долго. Природа придумала универсальную структуру - колебательный контур, состоящий из элемента памяти с индуктивными (магнитными) свойствами L1, и источника электрической энергии C2. В общем случае эти два элемента служат философским понятием двух Начал, но без всякой «борьбы противоположностей».

Будучи замкнутыми в одной системе, эти два элемента ритмично передают друг другу свою запасённую энергию, и этот колебательный процесс в замкнутом контуре длится долго с одной и той же частотой. Тем самым возникает способ сохранять точную информацию о том изначальном сигнале от чувствительной системы, который возбудил в этом контуре колебания. Поэтому все колебательные процессы в природе являются вынужденными. Если последовательный колебательный контур является Мужским Началом в живом процессе, то параллельный колебательный контур - это Женское Начало. Как видно из (рис. 2 и 6), каждое из двух Начал само является двойственным, колебания не смогут возникнуть, если не будет одного из двух Начал - индуктивности или ёмкости. Если конденсатор, как источник питания электрической энергии, питает энергией процесс колебаний, то индуктивный элемент управляет протеканием тока этого процесса, регламентирует его, не позволяет быстрого нарастания или быстрого падения ритма колебательного процесса тока в замкнутом контуре.

Рис. 7. Векторная диаграмма токов и напряжений в эквивалентной структуре долговременной памяти в виде параллельного колебательного контура при резонансе токов.

Если напряжение электромагнитного поля внешней среды, резонансно воспринятое последовательным колебательным контуром, без искажения смысла передаётся на вход параллельного контура памяти, то в цепи параллельного контура возникает электрический ток с той же самой частотой, что и исходное напряжение электромагнитной волны. Поэтому в цепи параллельного колебательного контура течёт ток с конкретными смысловыми параметрами напряжения электромагнитного поля внешней среды. Тем самым наглядно видно, что ритмом колебаний всех живых систем управляет внешнее электромагнитное поле. Точнее - ритм магнитного напряжения управляет электрическими циклами колебаний в колебательном контуре. Поэтому жизнь является вынужденным колебательным процессом. При резонансе токов в параллельном колебательном контуре нет сдвига по фазе колебаний между приложенным переменным напряжением и электрическим током, текущим в неразветвлённом участке цепи. Тем самым возникает явление накачки энергии со стороны чувствительной оболочки внутрь замкнутого контура, при этом не происходит ни малейшего искажения смысла передаваемой энергии.

На (рис.7) представлена векторная диаграмма токов и напряжения для рассматриваемого случая резонанса токов в эквивалентной структуре памяти в виде параллельного колебательного контура. Обычно в параллельном колебательном контуре помимо реактивного сопротивления индуктивности и конденсатора принимают во внимание и активное сопротивление.

Чаще всего активное сопротивление в живых системах возникает в момент появления внешнего напряжения (волнового поля) с непознанной ещё информацией. И связано это с необходимостью изменить токоведущую систему чувствительной системы, изменить структуру кристаллической решётки, что приводит к частичному разрыву энергетических связей с выделением тепла. Особенно много тепла выделяется в системах с индуктивными элементами (со структурами памяти, например, с ядрами атомов).

В режиме свободных внутренних колебаний, когда нет информационного воздействия с внешней стороны, активное сопротивление практически отсутствует в параллельной ветви электрической ёмкости, и очень мало в другой параллельной ветви со спиральной структурой памяти (индуктивностью). Поэтому основным сопротивлением в параллельных ветвях являются реактивные составляющие сопротивления, величина которых зависит от частоты колебаний:

щ = 1 / ?L·C = 2рf,



где f - собственная незатухающая частота колебаний контура. В каждом элементе памяти с индуктивными свойствами текут токи только своей резонансной частоты. Для разных величин индуктивности будет разной и частота собственных колебаний, разный информационный смысл будет храниться в разных контурах памяти. Поэтому каждому элементу памяти нужен только свой источник электрической энергии (конденсатор), реактивное сопротивление которого должно быть равным реактивному сопротивлению индуктивного элемента, а активное сопротивление источника энергии (конденсатора) равно нулю, отсутствует.

В биологических системах это хорошо прослеживается: каждому гену ДНК требуется своя белковая молекула. Ген - это структура памяти, а белок - источник электрической энергии для гена. В сообществе людей каждой женщине подходит только один мужчина, тогда семья будет счастливая, в ней будет гармония и взаимная любовь.

На (рис. 6) для наглядности процесса учтены активные составляющие токов (I2 a и I1 a). Реактивные составляющие токов (Ir 1 и Ir 2) в параллельных ветвях равны по величине и противоположны по фазе при резонансе токов.

Электромагнитные колебания - это периодические изменения во времени и в пространстве двух взаимосвязанных полей - электрического и магнитного. Поэтому все формы вещества на любом уровне иерархии обладают универсальным строением, одна их часть имеет магнитные свойства, вторая обладает свойствами электрическими. То же самое относится и к структуре памяти в виде замкнутого параллельного колебательного контура. Одна часть его с магнитными свойствами, вторая - с электрическими свойствами, и колебания происходят в ограниченном пространстве замкнутого контура. И вся эта структура соответствует закону генетической памяти, закону времени, закону пространства и общему закону сохранения жизни в форме колебательного процесса.

Напряжённость электрического поля источника энергии C обусловлена изменением энергии магнитного поля структуры памяти L, и наоборот, магнитное поле памяти L обусловлено изменением электрической энергии накопителя этой энергии C. Тем самым процесс превращения одной энергии в другую связан с течением мысли, с процессом мышления в виде электромагнитных излучений токоведущих элементов. Мысль выносит энергию из замкнутого контура памяти в виде электромагнитного излучения..

Так, например, нейроны головного мозга человека имеет источником электрической энергии ретикулярную формацию, например, формацию продолговатого мозга, которая обеспечивает энергией ночное время работы нейронов головного мозга. Проявляется это в режиме так называемого быстрого или парадоксального сна. Сама же ретикулярная формация, состоящая из больших пирамидальных нейронов, разряжается при этом, и ей необходимо заряжаться в дневное время от системы органов чувствования. Вся эта система нейронов и органов чувствования в точности соответствует двум колебательным контурам - последовательному и параллельному в общем единстве.

Поэтому электромагнитные волны характеризуются периодичностью во времени и периодичностью в пространстве. Периодичность их по времени связана с течением мысли, с мышлением, ибо само время - это продолжительность процесса творческого мышления, результатом которого является полезная работа творения. Знания, хранимые в структуре памяти, ритмично «встряхиваются» волной колебательного процесса в параллельном контуре, и эта волна никогда не прекращается, пока жива форма вещества. Структура памяти замкнута на свой внутренний источник электрического питания, и только в период бодрствования она получает дополнительно внешнюю информацию от системы органов чувствования (последовательного колебательного контура). Поэтому под самоорганизацией живых тел можно понимать только закономерный свободный колебательный процесс с частотой незатухающих собственных колебаний.

Периодичность электромагнитных волн в пространстве означает, что в направлении своего распространения вдоль токопроводящих линий контура (вдоль силовых линий) электромагнитная волна изменяется в зависимости от расстояния по периодическому закону, например, по закону хранимой информации. Расстояние - это тот путь между структурой памяти (генетический центр) и источником электрической энергии, который проходит волна за время половины периода колебания. Вторая половина периода колебания относится к обратному движению волны и обратному превращению энергий.

В масштабе всей Вселенной идёт такой же колебательный процесс между двумя областями - областью ядра генетической памяти и областью космического пространства, являющегося фотонной средой, где разворачивается весь процесс творения космических тел, начиная с атомов химических элементов. Закон «что внизу, то и наверху» - это универсальный закон космической жизни.

События при резонансе токов в параллельном колебательном контуре структуры памяти

1) Нет сдвига фазы колебаний между тем напряжением, которое передаётся из чувствительной системы на вход памяти, и тем током, который возникает в общей цепи контура. Тем самым осуществляется энергоинформационная накачка структуры памяти и происходит неискажённая передача информации из внешнего поля в чувствительную систему, а из неё в память.

2) Электрическая проводимость двух параллельных цепей контура одинаковая. Примером служит схема подключения нейронов коры головного мозга к ретикулярной формации РФ продолговатого мозга. РФ служит биологическим аккумулятором для нейронов памяти в режиме сна.

3) Реактивные токи в параллельных ветвях плавно с частотой колебаний переходят друг в друга, что показывает симметрию устойчивого колебательного процесса.

4) В общей (неразветвлённой) части контура течёт ток, равный сумме активных токов его ветвей. При возникновении колебаний в параллельном контуре реактивный ток индуктивного элемента (элемент памяти) отстаёт по фазе колебаний от напряжения возбуждения, подаваемого от чувствительной системы. Реактивный ток в ветви конденсатора (РФ, источник питания) опережает на такой же угол по фазе колебаний это же напряжение от чувствительной системы. Это определяет высокую чувствительность к внешним электромагнитным событиям.

5) Реактивные токи в параллельных ветвях равны по величине, но противоположны по направлению, они взаимно компенсируют друг друга, и разнесены по времени их протекания: волна прямая и волна обратная проходят по всему контуру в разные полупериоды. Величина реактивного тока в замкнутом контуре нейронной памяти значительно превышает величину активного тока в неразветвлённом участке цепи, и определяется величиной качества контура. Этот электрический резонанс и назван резонансом (увеличением) токов. Увеличение реактивного тока в замкнутом нейронном контуре способствует увеличению магнитного поля этих токов, что способствует процессу мышления.

6) Резонансная частота при резонансе токов в параллельном колебательном контуре наступает при вполне конкретных параметрах величин ёмкости РФ и индуктивности нейронов. В практике активное сопротивление r1 в цепи структуры памяти (параллельная цепочка с индуктивностью) (рис. 6), значительно меньше реактивного сопротивления щ0L , а r2 в параллельной цепи с электрической ёмкостью равно нулю, обычно отсутствует.

В этом случае резонансная угловая частота колебаний параллельного контура равна угловой частоте собственных незатухающих колебаний, что весьма важно для сохранения информации в элементе памяти. Поэтому при резонансе токов в параллельном контуре зависимость частоты колебаний от резонансной частоты такая же, как и в последовательном контуре при резонансе напряжений. Такая зависимость незатухающих колебаний (а это и есть живой процесс) в чувствительной системе и в структуре памяти показывает, что живой процесс - это устойчивый колебательный процесс при синхронной работе двух Начал с целью сохранить память о взаимодействии тела с электромагнитной средой. Чем меньше величина активного сопротивления в сравнении с индуктивным сопротивлением, а это достигается плотным сжатием спиральной формы структуры памяти, тем точнее частота собственных колебаний, тем чётче проявляется мысль и ясность мышления при её проявлении в акте творчества.

С энергетической точки зрения при резонансе токов в параллельном колебательном контуре токи в параллельных ветвях памяти и источника питания равны между собой. Это способствует тому, что процесс мышления может продолжаться и повторяться длительное время, что важно при решении насущных задач жизни. Параллельное соединение источника электрической энергии с элементом памяти позволяет осуществить процесс развития мышления по ходу эволюции живых систем, по ходу сознательного восприятия внешней информации, которая сама есть проявление мышления высшей иерархии. Поскольку при резонансе токов общий активный ток в неразветвлённой цепи контура равен сумме активных токов (обращаю внимание - активных, но не реактивных токов) в двух параллельных ветвях, а в емкостной цепи он всегда очень мал. И в индуктивной цепи за счёт сильного сжатия спиральных витков памяти активное сопротивление мало, поэтому активный ток в параллельном контуре мал. Это говорит о том, что контур памяти не подлежит активному перестроению, поскольку память, а это знания, надо сохранить неизменной.

Наоборот, реактивные токи в параллельных ветвях (электрической ёмкости и индуктивности памяти) равны между собой и во много раз больше тока в неразветвлённой (или в общей) цепи контура. Реактивные токи текут только по замкнутому пути контура, состоящего из источника электрической энергии (конденсатора) и индуктивного элемента памяти. Они не выходят в общую (неразветвлённую) цепь, что служит надёжной основой сохранения информации в структуре памяти.

Теперь, при дальнейшем изучении процессов в параллельном колебательном контуре, надо выяснить, каким будет общее резонансное сопротивление параллельного контура при резонансе токов по отношению к генерирующей системе последовательного контура чувствительных рецепторов. Последовательный резонансный контур в режиме резонанса напряжения возбуждает параллельный колебательный контур долговременной памяти в режиме резонанса токов. Главное свойство структуры памяти - сохранить внутри себя ТОКИ незатухающих свободных колебаний между индуктивным элементом памяти и накопителем электрической энергии. В силу малой величины активного сопротивления эти колебания в замкнутом контуре могут продолжаться бесконечно долго.

Симметрия - это главное условие структуры памяти в виде замкнутого контура. Общее резонансное сопротивление подсчитывается по формуле:

Zрез = L / (r1 · C).

L - в генри; С - в фарадах; r - в Омах. В условиях резонанса токов активное сопротивление r1 в емкостной цепи равно нулю, а в индуктивной цепи значительно меньше индуктивного сопротивления. Кстати, индуктивное и емкостное сопротивления зависят от круговой частоты, т.е. в конечном итоге от частоты информационного содержания вращающихся электромагнитных волн. Поэтому замкнутые колебательные контуры очень хорошо подходят для избирательного хранения информации. И тогда получается, что общее резонансное сопротивление Zрез по отношению к чувствительной системе, которая является генерирующей системой в данном случае, обратно пропорционально активному сопротивлению r1 в параллельной ветви контура с индуктивным элементом. Чем меньше активное сопротивление в замкнутой спиральной цепи элемента памяти, тем больше величина резонансного сопротивления структуры памяти. Например, в цепи пурина или пиримидина ДНК клетки.

Чем меньше величина активного сопротивления в замкнутой цепи элемента памяти, тем больше величина резонансного сопротивления колебательного контура. Как мы уже говорили, величина активного сопротивления в живых колебательных системах связана в основном с перестройкой токоведущих путей, например, кристаллической решётки. А в структуре памяти эта операция исключена, поскольку задача состоит в том, чтобы сохранить уже построенную структуру памяти, сохранить знание, сохранить токоведущую систему. Поэтому в элементах памяти исключена перестройка структурной организации, можно только добавлять новые звенья замкнутых контуров для новых знаний в процессе роста и развития. Определим крайний предел, когда активный элемент сопротивления r1 в индуктивной цепи равен нулю. Тогда резонансное сопротивление

Zрез = L / (r1 · C) = ?.

В этом случае ток в неразветвлённой части контура I0 = U /Zрез = U /? = 0. Это тот идеальный случай, когда, например, нейрон памяти головного мозга существует самостоятельно, независимо от внешнего источника напряжения (от напряжения со стороны чувствительных органов). В контуре памяти будут существовать собственные незатухающие колебания, что мы реально и наблюдаем в нейронных сетях мозга: в нейронах никогда не затухают колебания, ни днём, ни ночью. Другим примером длительного существования незатухающих собственных колебаний в структуре памяти является существование свободного нейтрона, период полураспада которого около 15 минут. Но в ядре атома в паре с атомом водорода, нейтрон живёт дольше, что говорит о необходимости для сохранения памяти иметь чувствительную связь с волновой средой внешних полей.

Этот пример показывает, что в реальных структурах памяти на самом деле существуют колебательные процессы, что в них отсутствует активное сопротивление, что в них нет перестроения токоведущих цепей, что энергия колебаний целиком зависит от электрической ёмкости (пример ретикулярной формации головного мозга). А вот электрическая ёмкость требует периодической подзарядки от напряжения чувствительной системы. И природа ввела режим смены дня и ночи, смену активного и пассивного периодов. Бесконечно долго незатухающие колебания в структуре памяти существовать не будут, поскольку стареет само вещество, и требуется замена источников электрической энергии, конденсаторов в параллельной ветви колебательного контура. Это условие старения электрических источников и лежит в основе необходимости генетического воспроизводства. Поэтому естественная причина старения является условием размножения, воспроизводства в точной копии, роста и развития.

Таким образом, главным условием сохранения знаний в памяти является отсутствие активного сопротивления в цепи контура памяти. Достигается это методом последовательного логического и смыслового обучения. Отрывочное обучение чему-нибудь и как-нибудь создаёт активное сопротивление и снижение резонансного сопротивления, что ведёт к необходимости заменить эту живую систему новой.

Чем больше активное сопротивление резонансного контура памяти, тем больше в нём энергии с выделением тепла за каждый период колебания, тем хуже сохраняется знание, оно забывается. Тем больше энергии должна доставлять чувствительная система, больше работы во внешней среде должно совершать тело, так велико значение памяти и накопленных знаний. Генератор чувствительной системы должен посылать большие напряжения в структуру параллельного контура памяти, чтобы возбудить в ней большие токи и скомпенсировать потери на активном сопротивлении.

Высоко развитой памяти требуется меньше работы во внешней среде, чтобы поддерживать собственные незатухающие колебания. Менее нагруженной является и чувствительная система. А поддерживать колебания в структуре памяти просто необходимо, поскольку без знаний человек ничего не сможет делать, не сможет и жить. Мудрец спокоен и не суетлив.

Что требуется для уменьшения активного сопротивления в индуктивной цепи памяти и повышения величины резонансного сопротивления в параллельном колебательном контуре? Необходимо повысить уровень согласованных действий, что достигается согласованием фазы колебаний путём привлечения ферментов (катализаторов), введением института учителей. В переводе на обычный язык, необходимо обучать методу обрести знания, требуется обучение и передача опыта прежних жизней (действий). Главное - ликвидировать невежество, а оно (невежество) - это то, что злом называют. Тогда, и только тогда, когда система настроена на творческий акт и все её элементы обучены, каждый знает свои обязанности, будут исключены энергоинформационные потери и экономические потери на бессмысленные работы.

Каким должно быть индуктивное сопротивление параллельной ветви колебательного контура? Или другими словами, какой должна быть ячейка памяти в параллельном колебательном контуре при резонансе токов? Она должна отвечать условию надёжного хранения информации и её извлечения в нужное время процесса мышления. Индуктивное сопротивление выражается формулой

...