Рекомбінаційні, фотоелектричні і фотохімічні явища в широкозонних шаруватих кристалах і структурах, зумовлені складними дефектами при низькоенергетичних збудженнях
Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 27.04.2014 |
| Размер файла | 151,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Для забезпечення білого кольору світіння з суміші червоного, зеленого і синього кольорів в роботі опрацьовано декілька видів багатошарових плівкових систем на основі створених люмінофорів, проведено розрахунок та оптимізацію їх світлотехнічних характеристик. Для триколірної системи Gd1.66Zn0.3O3:Eu (Ч), Zn2SiO4:Mn (З) and Zn2SiO4:Ti (С) відношення інтенсивностей становить IЧ:IЗ:IС = 0,11:0,50:0,39. Результати для найкращої комбінації тонкоплівкової тріади ЧЗС Y2O3:Eu, Zn2SiO4:Mn і Y2SiO5:Ce показують відношення інтенсивностей IЧ:IЗ:IС = 0,33:0,31:0,36, близьке до оптимального.
З метою розширення областей використання електронно-променевих приладів та вирішення завдань, пов'язаних з розділенням, контрастом та низьким рівнем шумів, розроблено тонкоплівково/монокристалічні екрани. В них поєднуються особливі властивості різних матеріалів в одну систему, що призводить до появи якісно нових можливостей. Тонкі плівки використовуються як безструктурний катодолюмінесцентний елемент екрану для отримання високого розділення, виготовлено матеріали з тонкоплівкових люмінофорів, використано термостійкі підкладки з оптичного люмінесцентного кристалу внаслідок чого розширюються його функції як опорної бази, ефективного тепловідводу і люмінесцентного елемента іншого кольору свічення. На цій підставі для кореляторів зображення з низькими шумами створено екрани високого розділення, в яких випромінювання Y2O3:Eu локалізовано в одній смузі при 612 нм з півшириною Дл = 3-5 нм.
Розроблено екрани з енергетичним керуванням кольору світіння з використанням опорної люмінесцентної підкладки монокристалічних гранатів Y3Al5O12:Tb,Ce з зеленим кольором світіння, та люмінесціюючою плівкою Y2O3:Eu з червоним світінням. За низької енергії е--пучка електрони поглинаються в плівці Y2O3:Eu, при цьому збуджується червоне світіння. Зі збільшенням енергії електрони збуджують монокристалічну люмінесцентну основу і зелене світіння КЛ. Екрани мають такі характеристики: поріг переключення кольору світіння червоний/зелений - 5/10кВ, у червоному кольорі - світловіддача 0,17-0,35 кД/Вт, координати колірності X = 0,629, Y = 0,345, в зеленому кольорі - світловіддача 1,5-2 кД/Вт, координати колірності X = 0,340, Y = 0,471. Створені екрани володіють новими можливостями: роботи в зовнішніх електричних і магнітних полях та умовах високої вібрації, роботи за високих енергетичних навантаженнях електронного променя, застосування в індивідуальних засобах виводу інформації (шоломного типу або для віртуальної реальності), роботи в системах високої інформаційної ємності.
Досліджено, розроблено технології, проведено розрахунок електричних параметрів оптимізованої ЕЛ структури МДПДМ з різними видами і параметрами діелектриків і на цій підставі виготовлено нові ефективні плівкові безсульфідні ЕЛ структури Корнінг /ІТО/АТО/Zn2GeO4:Mn/Y2O3(SiON)/Аl з зеленим кольором світіння. Вони характеризуються високою яскравістю (14 фут-Ламберт за напруги 40 В вище рівня запалення і збудженні частотою 50 Гц), ефективністю (~0.2 лм/Вт), оптимальними координатами кольору (X = 0.302, Y = 0.668), високою електричною стійкістю (витримують 300 В без пробою) та стабільністю. Отриманий плівковий електролюмінесцентний матеріал на основі Zn2GeO4:Mn за комплексом технологічних і люмінесцентних параметрів та стабільності конкурентноздатний з сульфідом цинку.
У додатках до дисертації представлено технологічні методи синтезу плівок і кристалів та експериментальні методики вимірювань.
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ І ВИСНОВКИ
У дисертації проведено комплексне вивчення і узагальнено результати досліджень по створенню ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації з участю складних дефектів, а також процесів стабільності таких люмінофорів, викликаних перетворенням дефектів під дією низькоенергетичних збуджень.
Фізично обґрунтовано і розроблено комплекс методів отримання плівкових люмінофорів класу оксидів і нітридів. Розглянуто закономірності рекомбінаційних процесів і розроблено фізичні моделі передачі енергії збудження і рекомбінації, зумовлених складними і взаємодіючими локальними центрами. Вивчено особливості електрон-атомних процесів у люмінофорах, зв'язаних з перетвореннями в їх домішково-дефектній структурі при дії допорогових УФ-, е--, Х-випромінювань що збуджуюють люмінесценцію, які зумовлені присутністю легкорухомих домішок (мідь), процесами фотолізу, утворенням дефектів в основній ґратці, стимульованою низькоенергетичними електронами деградацією, та запропоновано механізми цих перетворень. Розроблено матеріали і пристрої відображення інформації і реєстрації випромінювання та встановлено механізми фізичних процесів, що зумовлюють їхню дію і функціональні параметри.
1. Розроблено фізико-технологічні процеси синтезу оксидних, оксисульфідних та нітридних тонкоплівкових люмінофорів з використанням одно- або двоступеневого процесу ВЧ-магнетронного розпилення і термічної кристалізації. Відповідно до цього, створено новий ефективний метод напилення багатокомпонентних матеріалів, який грунтується на ВЧ-магнетронному розпиленні з використанням імпульсного ВЧ-збудження та модуляції амплітуди зміщення в розряді плазми. Розроблено методи регулювання стехіометричного складу багатокомпонентних плівок шляхом: корекції складу мішені, введення реактивної компоненти в атмосферу розпилення, проведення термічного відпалу в корегуючій атмосфері, модифікації методів напилення. Встановлено умови і механізми формування аморфного, полі-, нано- та квазіепітаксійного структурного стану в плівках низки оксидів і нітридів. Виявлено механізм взаємоепітаксії на проміжних шарах і на його основі запропоновано метод модифікації структури оксидних люмінесцентних плівок. Вивчено закономірності та особливості входження люмінесцентних домішок в матриці оксидів і нітридів, згідно яких активація відбувається кількома шляхами: заміщення в катіонній підґратці, впровадження (особливо в структурах типу вілеміту Zn2SiO4:Eu, Zn2GeO4:Mn та ZnS:Mn) або локалізація домішкової фази на міжзеренних межах. Зясовано умови низькотемпературного синтезу плівок нітриду галію. Запропоновано механізм кристалізації, згідно якого при осадженні методом ВЧ-магнетронного розпилення ріст плівок GaN є не епітаксійним, а проходить шляхом найщільнішої упаковки площин перпендикулярно до напрямку максимального потоку, падаючого на підкладку, що зумовлює утворення наноструктурованих плівок з полями мікронапружень.
2. Встановлено, що центри світіння в кристалах йодистого і бромистого кадмію утворюють донорно-акцепторні пари та поодинокі центри швидкої і повільної рекомбінації, зумовлені власними і домішковими дефектами шляхом непрямої активації. Показано, що за низьких температур рекомбінаційні процеси в йодистому кадмії визначаються параметрами внутрішнього захоплення, які залежать від теплових бар'єрів та інтенсивності збудження, що зумовлює температурний перерозподіл рекомбінаційних потоків між ними, тоді як за температур 160-270 К домінує дифузійно-дрейфовий механізм рекомбінації, який зумовлює зменшення дифузійної довжини носіїв і, відповідно, перетину захоплення центрами рекомбінації та вид кінетичної залежності згасання люмінесценції. Утворення значної кількості центрів швидкої рекомбінації з достатньо високим тепловим бар'єром і глибших центрів чутливості зумовлюють значну фотопровідність йодистого кадмію при температурах вище 290 К.
3. З'ясовано, що ефективним механізмом взаємодії між просторово розділеними дефектами є безвипромінювальна передача енергії шляхом оже-рекомбінації зв'язаних на різних центрах носіїв. У CdI2, згідно оже-механізму, збуджуються два типи центрів світіння, а в CdBr2 один тип центрів світіння. За такого механізму передачі енергії визначальний вплив на рекомбінаційний процес зумовлюють характеристики центрів оже-збудження. Встановлено, що вплив оже-взаємодії на рекомбінаційні явища проявляється в особливостях поведінки термоактиваційних процесів (ТСТ і ТЛ). Особливості діркового заповнення центрів світіння в бромистому кадмії зумовлюють антикореляцію в інтенсивностях ТЛ і ТСТ, що визначається механізмом збудження носіїв (зона-зонне або оже-збудження).
4. Встановлено ефективний комплексний механізм збудження фото- і електролюмінесценції Zn2GeO4:Mn. Показано, що механізм збудження фотолюмінесценції при 535 нм Zn2GeO4:Mn зумовлений передачею енергії зона-зонного збудження до центру безвипромінювальної рекомбінації, який резонансно передає енергію до Mn2+-центру. В тонкоплівкових електролюмінесцентних структурах на основі Zn2GeO4:Mn встановлено наявність двох механізмів збудження електролюмінесценції: прямого ударного збудження йонів Mn2+ розігрітими полем електронами, а також водночас, іонізацію електричним полем дефекту-сенсибілізатора, який після безвипромінювальної рекомбінації з захопленим електроном резонансно збуджує люмінесцентний йон марганцю. Цей механізм супроводжується утворенням об?ємного заряду і перерозподілом поля в активному шарі люмінофора.
5. У тонкоплівкових оксидних люмінофорах для польово-емісійних дисплеїв встановлено комплексні механізми провідності та розроблено методи її підвищення в 102-107 разів, що супроводжується зменшенням енергії активації провідності від 0,8-1,5 еВ до 0,1-0,3 еВ. Один з основних механізмів зумовлений утворенням мілких донорних рівнів, які створюються кисневими вакансіями та міжвузловими катіонами. Цей механізм реалізується в Ga2O3, ZnGa2O4. Провідність тонкоплівкових люмінофорів залежить також від типу люмінесцентної домішки, що визначається здатністю центрів люмінесценції Mn2+ та Cr3+ до утворення глибоких центрів захоплення електронів в оксидах галію, галатах і силікатах, що проявляється у більшому опорі цих плівок. Для плівкових люмінофорів на основі Zn2SiO4 і Y2SiO5 встановлено, що утворення дефектів, пов'язаних із збільшенням провідності, проходить ефективніше у плівках з незавершеним формуванням структури під час переходу з аморфного в мікрокристалічний стан. Вплив морфології полікристалічних плівок міжзеренних меж, виявляється у більшій енергії активації у плівках порівняно з монокристалами. Висока провідність мікроструктурованих плівок на основі Zn2SiO4:Ti і (ZnO)x(Gd2O3)1-x:Eu, розпилених з окремих оксидних компонентів, зумовлена існуванням надлишкової фази оксиду цинку, локалізованої на міжзеренних межах, що підтверджується рентґенодифракційними даними.
6. Встановлено, що в самоактивованому нітриді галію вакансії азоту, для яких визначена енергія активації процесу створення що становить 2,3 еВ, є найімовірнішими донорами електронів з глибиною залягання 0,34 еВ. Їхня концентрація корелює з інтенсивністю люмінесценції. Показано, що центри світіння в GaN утворюють донорно-акцепторні пари, до складу яких входять плиткі донори та глибокі акцептори. В плівках GaN, при активації марганцем, реалізується механізм непрямої активації, при якому марганець стимулює утворення донорно-акцепторних пар, в склад яких входять власні дефекти.
7. Складні дефекти, які утворюються в ряді кристалів CdCl2-CdBr2-CdI2 з участю домішки міді, зумовлюють зворотні фотохімічні реакції дефектів. У кристалах CdI2:Cu ФХР зумовлена розпадом комплексів мідь-власний дефект, в кристалах CdBr2:Cu ФХР відбувається внаслідок фотоіонізації домішкового йона міді, а в CdCl2:Cu - у результаті перезарядки Cu+ до Cu2+. У CdI2:Cu фотохімічна реакція, що призводить до світлочутливості, зв'язана з фототермічним розпадом дефектів {[CuCd]-- [Cui]+}, {[Cui]+- [VCd]-} і переходом [CuCd]- на [Cui]+ з наступним утворенням атомарних дефектів Cuо, які є центрами поглинання і розсіювання. Зміна домішково-дефектного стану кристалів у катіонній та аніонній підґратках керовано впливає на світлочутливі властивості. У кристалах CdI2:Cu,S відбувається стабілізація світлочутливого стану внаслідок того, що акцепторні дефекти [SI]- в результаті компенсації заряду призводять до стабілізації донорних дефектів [Cui]+, які є центрами світлочутливості. При співактивації CdI2:Cu європієм відбувається пригнічення світлочутливості, що викликано стабілізацією європієм акцепторних дефектів [CuCd]- внаслідок виникнення деформаційного потенціалу.
8. Запропоновано моделі зміни зарядового стану міді і механізмів ФХР у ряді (CdCl2)1_x-(CdBr2)x:Cu. Зарядовий стан “мідних” центрів (Cu+ або Cu2+) і механізм ФХР у кристалах змішаного складу (CdCl2)1_x-(CdBr2)x:Cu визначається флуктуаціями найближчого оточення йонів міді, які формуються статистично, зокрема розподілом конфігурації типу [CuCliBr6-i], а також розподілом вакансій галогену у околі йона міді. Згідно моделі віртуального кристалу, зарядовий стан “мідних” центрів корелює з розташуванням електронних рівнів 3d9 та 3d10 міді відносно країв енергетичних зон та рівня Фермі, яке залежить від аніонного складу кристалу та ширини забороненої зони.
9. Показано, що в галогенідах металів MX2, під дією УФ світла виникають фотохімічні перетворення, що призводять до зміни оптичних властивостей. За температур T >290K відбувається фотоліз у матеріалах MX2, який супроводжується зміною товщини, складу і показника заломлення плівок і виникненням додаткових смуг відбивання внаслідок утворення металічної фази. Центрами фоторозкладу йодистого кадмію є надлишкові йони кадмію, основними продуктами фотолізу є металічний кадмій і оксид кадмію на поверхні, максимально допустима величина фоторозкладу визначається критичним розміром включень металічного кадмію, дифузійна складова фотолізу визначається міграцією йонів йоду від центрів фоторозкладу до поверхні. Вперше встановлено суттєву залежність ефективності фоторозкладу від власної дефектної структури та вплив продуктів фотолізу на формування центрів люмінесценції. Виявлено, що величина фотолітичної чутливості галогенідів металів корелює з величиною довжини пробігу носіїв заряду.
10. Встановлено, що допорогове утворення радіаційних дефектів в кристалах CdBr2 відбувається за температур 260-100 К (при дозах, що перевищують 104 Р) відповідно з іонізаційним механізмом шляхом багаторазової іонізації аніону через оже-каскад і виходу йонів кадмію у міжвузля поблизу недосконалостей структури. При цьому утворюються два типи центрів чутливості, глибина залягання котрих 0,5 еВ від стелі валентної зони та > 1 еВ (до їхнього складу входить катіонна вакансія). Водночас, виникають рівні прилипання, утворені міжвузловими йонами кадмію. Накопичення радіаційних дефектів характеризується двома стадіями: швидка (до доз порядку 1,5105Р) і повільніша при більших дозах, що зв'язане з утворенням двох типів дефектів - простих (точкових) і складніших за своєю структурою. Кінетика відпалу радіаційних дефектів у кристалах CdBr2 характеризується наявністю двох стадій відпалу і зв'язана з різною швидкістю дифузії простих (точкових) і складних точкових комплексів дефектів.
11. Вивчено процеси стабільності та деградації в плівкових оксидних люмінофорах під дією низькоенергетичного електронного збудження. Встановлено, що зменшення інтенсивності КЛ спостерігається за потужностей пучка більше 1 Вт/см2. Запропоновано процес гасіння описувати виразом I = I0 / (K·t1/2+1), яка характеризує термодифузійний механізм довгочасових залежностей інтенсивності КЛ. Зі збільшенням питомих потужностей електронного збудження в інтервалі 1-20 Вт/см2, зі зміною потужності, струму або енергії збудження для плівкових люмінофорів Zn2SiO4:Ti і Zn2GeO4:Mn встановлено особливу поведінку ходу довгочасових процесів гасіння, які проявляються в появі швидкої початкової деградації та наступної повільної стадії. Запропоновано найімовірніші механізми, які визначають довгочасові процеси гасіння в досліджуваних люмінофорах і викликані внутрішнім термічним гасінням під дією нагріву електронним пучком та утворенням у приповерхневій області центрів безвипромінювальної рекомбінації.
12. Для практичного застосування розроблено тонкоплівкові люмінесцентні матеріали й екрани, а також середовища і датчики контролю випромінювання. Показана можливість використання явища фотолізу йодистого кадмію для актинометрії УФ-випромінювання, на основі кристалів ГСК створено фотоелектричні і фотогальванічні приймачі рентґенівського і УФ випромінювання. Розроблено нові провідні плівкові люмінофори для польово-емісійних дисплеїв, які забезпечують повний набір люмінесцентних матеріалів для цього типу дисплеїв і за ефективністю є на рівні або перевищують відомі аналоги. Розроблено багатошарові елементи повноколірних тонкоплівкових люмінофорів і оптимізовано їх світлотехнічні характеристики. Створено одноколірні екрани високого розділення для кореляторів зображення і двоколірні екрани з енергетичним керуванням кольору світіння. Досліджено, розроблено технології і виготовлено нові ефективні плівкові безсульфідні електролюмінесцентні структури Корнініг /ІТО/АТО/Zn2GeO4:Mn/Y2O3/Аl з зеленим кольором світіння, які відзначаються високими яскравістю, світлотехнічними та експуатаційними параметрами.
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ ВИКЛАДЕНІ В ПРАЦЯХ
кристалічний люмінесцентний галогенід нітрид
1. Широкозонные слоистые кристаллы и их физические свойства / Лыскович А.Б., Глосковская Н.К., Кушнир О.Б., Болеста И.М., Гончарук В.Е., Бондар В.Д., Бялик Н.В. - Львов: Выща школа, 1982. - 148 с.
2. Bondar V.D., Grytsiv M., Groodzinsky A., and Vasyliv M.Ya., Chakhovskoi A.G. and Hunt C.E., Malinowski M.E. and Felter T.E. Thin film energy controlled variable color cathodoluminescent screens // J. of the Electrochem. Society.- 1997.-Vol.144, N 2. - P. 704-707.
3. Bondar V. Properties of nanocrystalline gallium nitride thin films grown on monocrystalline substrates and buffer layers // phys. status solidі (a). 1999. Vol.176, P. 635-638.
4. Bondar V. Structure and luminescence properties of individual and multi layer thin-film systems based on oxide phosphors // Materials Science and Engineering B. - 2000. - Vol.69. - P. 505-509.
5. Bondar V., Kucharsky I., Simkiv B., Axelrud L., Davydov V., Dubov Yu., Popovich S. Low-temperature synthesis of gallium nitride thin films using reactive rf-magnetron sputtering // phys. status solidі (a).- 1999.- Vol.176.- P. 329-332.
6. Vasyltsiv Ya., Bondar V. Luminescence yield, electrical conductivity, and deep levels of impurities in beta-Ga2O3 and ZnGa2O4 phosphors // Journal of the SID. - 2000. -Suppl.1 - P. 99-101.
7. Bondar V. Electrical properties of microstructural thin film oxide phosphors // Materials Science and Engineering B. - 2000. - Vol.70. - P. 510-513.
8. Bondar V. Photostimulated transformation of defects in cadmium iodide with copper and coactivators // Materials Science and Engineering B. - 2000. - Vol.71.- P. 258-262.
9. Bondar V., Grytsiv M., Vasyliv M., Dubov Y., Popovich S., Axelrud L., Davydov V., Kucharsky I. Full-color and multilayer oxide phosphors thin films grown by ion-plasma sputtering // Journal of the SID. - 2000. - Suppl.1 - P.181-185.
10. Bondar V. Diagnostics of the parameters, mechanism and nature of the cadmium iodide crystals lightsensitivity by the optical absorption spectroscopy // Proc. SPIE. - 1994. - Vol.2113. - P. 35-39.
11. Bondar V., Groodzinsky A., Popovych S., Pastyrsky Ya., Savchuk O. Investigation of photolysis and photochemical transformations in metal layer halides with optical methods // Proc. SPIE. - 1995. - Vol.2648. - P. 181-185.
12. Bondar V., Grytsiv M., Groodzinsky A. Cathodoluminescent characteristics and light technical parameters of thin film screens based on oxides and oxysulfides of rare earth elements // Proc.SPIE. - 1995. - Vol.2648. - Р. 338-341.
13. Bondar V., Kukharsky I., Padlyak B., Davydov V., Simkiv B., Grinberg M., Kukliski B. Growth, structure and spectroscopic characterization of the Mn-doped GaN thin films // Proceeding of SPIE. - 2001. - Vol. 4413. - P. 50-54.
14. Bondar V., Popovich S., Felter T., Wager J. Low-temperature technology and physical processes in green thin-film phosphor Zn2GeO4 :Mn // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 2001. - Vol.667. - P. G7.6.1-G7.6.6.
15. Bondar V., Felter T., Hunt C., Kukharsky I., Chakhovskoi A. Synthesis and luminescent properties of GaN and GaN:Mn blue nanocrystalline thin-film phosphor for FED // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 2001. - Vol. 667. - P. D17.1.1-D17.1.6.
16. Bondar V., Axelrud L., Davydov V., Felter T. Synthesis, structure, and luminescence of A2B4C5 nitrides // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 2001. - Vol. 639. - P.G11.36.1-G11.36.6.
17. Bondar V., Felter T., Hunt C., Dubov Yu., Chakhovskoi A. Long-term cathodoluminescent characterization of thin-film oxide phosphors in a wide range of electron excitation densities // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 2001. - Vol. 667. - P. G7.4.1-G7.4.6.
18. Bondar V., Axelrud L., Vasyliv M., Grytsiv M., Dubov Yu., Popovich S., Davydov V., Kucharsky I., Lutsyk N. Crystallization of nanostructure thin films based on gallium containing oxides for luminescent application // Functional materials. - 1999. - Vol.6, N 3.- P. 510-512.
19. Бондарь В.Д., Кушнир О.Б., Лыскович А.Б., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Оже-взаимодействие донорно-акцепторных пар с центрами свечения в кристаллах йодистого кадмия // Физ.твердого тела. - 1981. - Т. 23. Вып.11. - С. 3479-3481.
20. Бондарь В.Д., Гончарук В.Е., Кушнир О.Б., Лыскович А.Б., Харамбура С.Б. Образование центров прилипания в кристаллах бромистого кадмия под действем рентгеновского облучения // Изв. вузов. Физика. - 1982. - № 11. - С. 112-113.
21. Бондарь В.Д., Артамонов В.В., Валах М.Я., Корнейчук В.А., Литвинчук А.П., Лыскович А.Б. Проявление межслоевых взаимодействий в фононных спектрах кристаллов PbxСd1-xI2 // Укр. физ. журн. - 1982. - Т. 27, № 7. - С.1046-1050.
22. Антонюк В.Г., Бондарь В.Д., Глосковская Н.К., Лыскович А.Б. Влияние постоянного электрического поля на край поглощения и фотопроводимость кристаллов йодистого кадмия // Укр.физ.журн. - 1982. - Т. 27, № 9. - С.1406-1408.
23. Бондарь В.Д., Лыскович А.Б., Харамбура С.Б. Центры медленной рекомби-нации в кристаллах бомистого кадмия // Укр.физ.журн. - 1983. -Т. 28, № 3. - С.427-429.
24. Харамбура С.Б., Бондарь В.Д., Лыскович А.Б. Радиационное дефектообра-зование в слоистых кристаллах галоидных соединений кадмия // Журн. техн. физики. - 1983. - Т. 53, № 8. - С. 1603-1607.
25. Бондарь В.Д., Лыскович А.Б., Пастырский Я.А. Фотолиз и люминесценция пленок йодистого кадмия // Укр.физ.журн. - 1988. - Т. 33, № 4. - С. 524-526.
26. Лыскович А.Б., Пирога С.А., Бондарь В.Д., Гальчинский А.В. Параметры неравновесных носителей заряда в кристаллах йодистого кадмия // Неорганич. материалы. - 1988. - Т.23, № 10. - С.1710-1712.
27. Лыскович А.Б., Бондарь В.Д., Матвиишин И.М., Харамбура С.Б. Поперечные фотоэффекты в слоистых кристаллах СdI2 при оптическом и рентгеновском возбуждении // Неорганич. материалы. - 1990. - Т. 26. - С.660-661.
28. Лыскович А.Б., Бондарь В.Д., Пастырский Я.А., Рудка Н.Н. Влияние примеси меди и фотолиза на оптические свойства кристаллов и пленок йодистого кадмия // Неорганические материалы. - 1990. - Т. 26. - С. 662-663.
29. Бондар В.Д., Василив М.Я., Велигура Л.И., Грыцив М.Я., Конопец Я.Ф., Лыскович А.Б. Сравнительная характеристика методов получения диэлектрических и люминесцентных слоев оксида иттрия // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1993. - Вып. 25. - С.14-18.
30. Бондар В.Д., Лыскович А.Б., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Ударное возбуждение центров свечения при безызлучательной оже-рекомбинации носителей в кристаллах бромистого кадмия // Физ.тверд.тела. - 1993. - Т.35, № 7. - С.1847-1851.
31. Бондар В.Д., Грудзинский А.С., Зарицкий И.М., Колесник С.П. Электронный парамагнитный резонанс, параметры и структура центров в кристаллах иодистого кадмия с примесями меди и европия // Физ. тверд. тела. - 1995. - Т. 37, № 1. - С.101-106.
32. Бондар В.Д., Матвиишин И.М., Лыскович А.Б., Попович С.Т., Харамбура С.Б. Фотогальванический эффект на примесных центрах в кристаллах иодистого кадмия // Неорганические материалы. - 1996. - Т. 32, № 7. - С. 884-888.
33. Грыцив М.Я., Бондар В.Д., Чыхрий С.И.. Структура тонких пленок оксида иттрия, полученных реактивным высокочастотным ионно-плазменным распылением // Неорганические материаллы. - 1996. - Т. 32, № 11. - С.1372-1374.
34. Пастирський Я.А., Бондар В.Д., Лискович О.Б. Вплив умов синтезу на формування центрів свічення в плівках йодистого кадмію // Вісник Львівського університету. Серія фізична - 1998.- Вип.30.- C.96-99.
35. Бондар В.Д., Васильців В.І., Кухарський І.Й., Сімків Б.О. Вплив власних дефектів на електрофізичні властивості плівок нітриду галію // Журнал фізичних досліджень. - 1999.- Т.3, № 4. - С. 498-501.
36. Кононец Я.Ф., Бондар В.Д.. Электрооптические и фотоэлектрические свойства пленок германата цинка, легированного марганцем // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып.36. - С.103-111.
37. Матвіїшин І.М., Лискович О.Б., Бондар В.Д. Спектральні характеристики поперечної фото е.р.с. в шаруватих кристалах йодистого кадмію та свинцю // Вісник Львівського ун-ту. Сер. фізична. Вип.23. Твердотільна електроніка. - 1990 - С. 27-30.
38. Бондар В.Д., Лыскович А.Б., Пастырский Я.А. Ионные процессы и продукты разложения при фотолизе пленок йодистого кадмия // Академия наук УССР. Редколлегия “Укр.физ.журн ”. - Киев, 1988. - 8с. Деп. в ВИНИТИ 29.12.1987, № 458-В88.
39. Бондар В.Д., Антонюк В.Г., Глосковская Н.К., Лыскович А.Б. Фотоэлектрические свойства тонких слоев кристаллов СdI2. // Физическая электроника. Вып.26. Респ. межвед. научн.-техн. сборник. - Львов: Вища школа. - 1983. - С. 82-85.
40. Лыскович А.Б., Бондар В.Д., Пастырский Я.А., Рудка Н.Н. Влияние фотохимических процессов в кристаллах и пленках йодистого кадмия на их оптические свойства // Оптика анизотропных сред. - Межвед. сборник, МВССО/РСФСР. - М.: 1988. - С. 87-89.
41. Спосіб осадження багатокомпонентних плівок: Пат.18151A Україна, МКИ H01L39/24 / В.Д. Бондар, М.Я. Василів (Україна); Львівський національний університет. - № 95073313; Заявлено 13.07.95; Опубл. 31.10.97 - 3 с.
42. Катодолюминесцентный экран с энергетическим управлением цветом: А.с. 1581114 СССР, МКИ H01J29/26 / В.Д. Бондар, М.Я. Васылив, А.Б. Лыскович, В.Л. Фоменко, Я.С. Захарко, В.А. Большухин, Н.П. Сощин (СССР). - № 4367001; Заявлено 21.01.88; Опубл. 23.07.1990, Бюл.№ 27. - 9 с.
43. Способ получения фоточувствительного материала: А.с. 1102419 СССР, H01L21/268 / В.Д. Бондар, А.Б. Лыскович, С.Б. Харамбура (СССР). - № 3558006; Заявлено 28.02.83; Опубл. 7.07.1984, Бюл.№ 25. -7с.
44. Детектор ультрафіолетового випромінювання: Пат.14698А Україна, МКИ H01L31/08 / В.Д. Бондар, О.Б. Лискович, І.М. Матвіїшин, С.Т. Попович (Україна); Львівський національний університет. - № 94117483; Заявлено 09.11.94; Опубл. 25.04.1997. - 6 с.
45. Актинометр: А.с. 1013411 СССР, МКИ C 01 J 1/50 / В.Д. Бондар, О.П. Драган, Ю.В. Караван, А.Б. Лыскович (СССР). - № 3372071; Заявлено 23.12.81; Опубл. 23.04.83, Бюл.№ 15. - 3 с.
46. Детектор ионизирующего излучения: А.с.1387680 СССР,МКИ G01T1/24;H01L31/04/ В.Д. Бондар, Б.А. Беликович, А.Б. Лыскович, И.М. Матвиишин, С.Б. Харамбура (СССР). - № 3955622; Заявлено 06.08.85; Опубл. 7.04.1988, Бюл.№ 13. - 5с.
47. Бондар В.Д., Лыскович А.Б. Рудка Н.Н. Харамбура С.Б. Влияние оже-возбуждения центров рекомбинации на термостимулированные токи и термолюминесценцию бромистого кадмия // Матер.V Всес. симпоз. “Люминесцентные приемники и преобразователи ионизирующего излучения". - Таллин. - 1985. - С. 29-30.
48. Bondar V. D. Synthesis and investigation of oxide and nitride thin film phosphors for EL devices // Proceeding of The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00). - Hamamatsu (Japan). - 2000. - P. 397-402.
49. Bondar V. Method and mechanisms of increasing of conductivity of thin-film oxide phosphors for FED // Proc. The Seventh International Display Workshop. - Kobe (Japan). - 2000. - P.1175-1176.
50. Axelrud L., Bondar V., Davydov V., Kucharsky I. Determining of stresses in GaN thin films by x-ray diffraction analysis // Abstracts of The Third International Conference on Nitride Semiconductors. - Montpellier (France). - 1999. - Mo-P073, P.31.
51. Bondar V., Vasyltsiv Ya., Axelrud L., Davydov V., Dubov Yu., Kucharsky I. Luminescent and electrical properties of GaN thin films with buffer layers synthesized by RF-magnetron sputtering // Proc. The Fifth International Conference on the Science and Technology of Display Phosphors. - San Diego (California). - 1999. - P. 117-120.
52. Bondar V., Popovich S., Dubov Yu., Felter T. Investigation of long-term time dependencies of cathodoluminescence in thin film oxide phosphors for field emission displays // Proc. The Fifth International Conference on the Science and Technology of Display Phosphors. - San Diego (California). - 1999. - P. 329-332.
53. Bondar V., Axelrud L., Davydov V., Dubov Yu., Popovich S., Wager J., Bender J., Sun S.S. Synthesis and properties of phosphors based on Zn2GeO4:Mn for electroluminescent and field-emission displays //Proc. The Sixth International Conference on the Science and Technology of Display Phosphors. - San Diego, California (USA). - 2000.- Р. 79-81.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Кристалічна структура та фононний спектр шаруватих кристалів. Формування екситонних станів у кристалах. Безструмові збудження електронної системи. Екситони Френкеля та Ваньє-Мотта. Екситон - фононна взаємодія. Екситонний спектр в шаруватих кристалах.
курсовая работа [914,3 K], добавлен 15.05.2015Здатність шаруватих напівпровідників до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Вплив інтеркаляції воднем на властивості моноселеніду ґалію. Спектри протонного магнітного резонансу.
реферат [154,0 K], добавлен 31.03.2010Експериментальне дослідження й оцінка термо- і тензорезистивних властивостей двошарових плівкових систем на основі Co і Cu, Ag або Au та Fe і Cr та апробація теоретичних моделей. Феноменологічна модель проміжного шару твердого розчину біля інтерфейсу.
научная работа [914,9 K], добавлен 19.04.2016Система Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів Френзеля у кристалах Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у халькогенідах свинцю на основі експериментальних даних.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 09.06.2008Дослідження стану електронів за допомогою фотоелектронної й оптичної спектроскопії. Аналіз електронної й атомної будови кристалічних і склоподібних напівпровідників методами рентгенівської абсорбційної спектроскопії. Сутність вторинної електронної емісії.
реферат [226,5 K], добавлен 17.04.2013Загальна характеристика шаруватих кристалів, здатність шаруватих напівпровідників до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Ітеркаляція та інтеркаляти: методи та характеристики процесу.
реферат [200,7 K], добавлен 31.03.2010Основні фізико-хімічні властивості NaCI, різновиди та порядок розробки кристалохімічних моделей атомних дефектів. Побудування топологічних матриць, визначення числа Вінера модельованих дефектів, за якими можна визначити стабільність даної системи.
дипломная работа [1,0 M], добавлен 14.08.2008Види магнітооптичних ефектів Керра. Особливості структурно-фазового стану одношарових плівок. Розмірні залежності магнітоопіру від товщини немагнітного прошарку. Дослідження кристалічної структури методом електронної мікроскопії та дифузійних процесів.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 19.04.2016Принцип роботи, конструкція та галузі використання просвітлюючих електронних мікроскопів. Дослідження мікроструктурних характеристик плівкових матеріалів в світлопольному режимі роботи ПЕМ та фазового складу металевих зразків в дифракційному режимі.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 25.01.2013Характеристика методів отримання плівкових матеріалів, заснованих на фізичному випаровуванні: від історично перших методів термічного випаровування до сучасних іонно-плазмових, молекулярно-променевих та лазерних методів осадження. Рідкофазна епітаксія.
курсовая работа [865,1 K], добавлен 17.05.2012Методи створення селективних сенсорів. Ефект залежності провідності плівки напівпровідникових оксидів металів від зміни навколишньої атмосфери. Види адсорбції. Природа адсорбційних сил. Установка для вимірювання вольт-амперних характеристик сенсора.
контрольная работа [1,1 M], добавлен 27.05.2013Дифузія-поширення речовини в якому-небудь середовищі в напрямку зменшення її концентрації, обумовлене тепловим рухом іонів, атомів, молекул, більших часток. Пояснення причин дифузії законами термодинаміки. Звязок дифузійних процесів зі зміною ентропії.
практическая работа [152,9 K], добавлен 17.10.2008Температурна залежність опору плівкових матеріалів: методика і техніка проведення відповідного експерименту, аналіз результатів. Розрахунок та аналіз структурно-фазового стану гранульованої системи Ag/Co. Аналіз небезпечних та шкідливих факторів.
дипломная работа [5,7 M], добавлен 28.07.2014Розгляд поняття, способів вираження хімічної чистоти та розділення матеріалів. Характеристика сорбційних (абсорбція, адсорбція), кристалічних процесів, рідинної екстракції, перегонки через газову фазу (закони Коновалова) та хімічних транспортних реакцій.
курсовая работа [3,9 M], добавлен 05.04.2010Процеси інтеркаляції водню матеріалів із розвинутою внутрішньою поверхнею. Зміна параметрів кристалічної гратки, електричних і фотоелектричних властивостей. Технологія вирощування шаруватих кристалів, придатних до інтеркалюванняя, методи інтеркалювання.
дипломная работа [454,6 K], добавлен 31.03.2010Комбінаційне і мандельштам-бріллюенівське розсіювання світла. Властивості складних фосфорвмісних халькогенідів. Кристалічна будова, фазові діаграми, пружні властивості. Фазові переходи, пружні властивості, елементи акустики в діелектричних кристалах.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 25.10.2011Основні властивості неупорядкованих систем (кристалічних бінарних напівпровідникових сполук). Характер взаємодії компонентів, її вплив на зонні параметри та кристалічну структуру сплавів. Електропровідність і ефект Холла. Аналіз механізмів розсіювання.
реферат [558,1 K], добавлен 07.02.2014Дослідження явищ діамагнетизму, феромагнетизму та парамагнетизму. Розгляд кривої намагнічування та форми петлі гістерезису. Виокремлення груп матеріалів із особливими магнітними властивостями. Вимоги до складу і структури магнітно-твердих матеріалів.
дипломная работа [34,3 K], добавлен 29.03.2011Електрофізичні властивості гранульованих плівкових сплавів в умовах дії магнітного поля. Дослідження електрофізичних властивостей двошарових систем на основі плівок Ag і Co, фазового складу та кристалічної структури. Контроль товщини отриманих зразків.
дипломная работа [3,9 M], добавлен 08.07.2014Природа електронних процесів, що відбуваються при високоенергетичному збудженні і активації шаруватих кристалів CdI2. Дослідження спектрів збудження люмінесценції і світіння номінально чистих і легованих атомами металів свинцю кристалів йодистого кадмію.
курсовая работа [666,8 K], добавлен 16.05.2012
