Баричні ефекти та полікритичні явища в сегнетоактивних напівпровідниках групи A2IVB2VC6VI із неспівмірними фазами
Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 22.07.2014 |
| Размер файла | 124,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
11. Slivka A.G., Gerzanich E.I., Guranich P.P., Shusta V.S. Phase p,T,x-diagram and peculiarities of physical properties of Sn2P2(SexS1-x)6 ferroelectric crystals near Lifshitz point // Ferroelectrics. - 1990. - Vol. 103. - P. 71-82.
12. Гуранич П.П., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Шуста В.С. Край поглощения в сегнетоэлектрических кристаллах (PbySn1-y)2P2Se6 с несоразмерной фазой // Укр. физ. журн. - 1990. - Т. 35, №2. - С. 196-199.
13. Шуста В.С., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Гуранич П.П., Бобела В.А., Яцкович И.И. Линия поликритических точек на диаграмме состояния кристаллов системы Sn(Pb)2P2S(Se)6 // Известия АН СССР, сер. физическая. - 1990. - Т.54, №6.- С.1163-1166.
14. Guranich P.P., Gerzanich E.I., Slivka A.G., Shusta V.S., Bobela V.A. Phase p,T,x-diagram and peculiarities of physical properties of (PbySn1-y)2P2Se6 crystals with incommensurate phase // Ferroelectrics. - 1992. - Vol. 132. - P. 173-183.
15. Шуста В.С., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Гуранич П.П., Бобела В.А. Урбаховское поведение края поглощения сегнетоэлектрических кристаллов (PbySn1-y)2P2S6 // Укр. физ. журн. - 1992. - Т. 37, №4. - С. 561-565.
16. Бобела В.А., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Гуранич П.П., Шуста В.С. Анизотропия диэлектрических свойств кристаллов Sn2P2(SexS1-x)6 при высоких гидростатических давлениях // Известия РАН, сер. физическая. - 1993. - Т.57, №3. - С.75-77.
17. Shusta V.S., Gerzanich E.I., Slivka A.G., Guranich P.P., Bobela V.A. Phase transitions and physical properties of (PbySn1-y)2P2S6 crystals at high hydrostatic pressures // Ferroelectrics. - 1993. - Vol.145. - P.61-71
18. Шуста В.С., Гуранич П.П., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Бобела В.А. Дослідження об'ємної стисливості сегнетоелектричних кристалів групи A2IVB2VC6VI // Укр. фіз. журн. - 1995. - Т.40, №9. - С.959-962.
19. Сливка А.Г., Герзанич Е.И., Гуранич П.П., Шуста В.С., Кедюлич В.М. Барическое поведение сжимаемости сегнетоэлектрика Sn2P2S6 // ФTT. - 1996. - Т. 38, №27. - С. 2155-2158.
20. Гуранич П.П., Герзанич О.И., Сливка О.Г., Шуста В.С. Стисливість в околі полікритичної точки на р,Т-діаграмі кристалів Sn2P2S6 // Укр. фіз. журн. - 1996. - Т.41, №9. - С. 858-861.
21. Сливка А.Г., Герзанич Е.И., Гуранич П.П., Шуста В.С., Кедюлич В.М. Барична поведінка константи Кюрі-Вейсса в сегнетоелектричних твердих розчинах Sn2P2(SexS1-x)6 // Укр. фіз. журн. - 1997. - Т.42, №2. - С.211-215.
22. Гуранич П.П., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Шуста В.С., Гурзан М.И., Кедюлич В.М. Барическая зависимость края фундаментального поглощения в области фазового перехода в сегнетоэлектриках типа Sn2P2S6 // Известия вузов.Сер.Физика, Томск. - 1997. - №8. - С.82-85.
23. Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Гуранич П.П., Шуста В.С., Бобела В.А. Фазовая р,Т,х-диаграмма сегнетоэлектрических кристаллов (PbySn1 y)2P2(SexS1-x)6 // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер.Фізика. - 1997. - №1. - С.58-62
24. Сливка О.Г., Кедюлич В.М., Герзанич О.І., Гуранич П.П., Шуста В.С. Особливості Е,Т-діаграми кристала Sn2P2S6 // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер.Фізика. - 1998. - №2. - С.93-96.
25. Сливка О.Г. Особливості баричної поведінки константи Кюрі-Вейсса в сегнетоелектриках типу зміщення // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер.Фізика. - 1998. - №3. - С.94-99.
26. Сливка О.Г. Термодинамічні характеристики всестороннього стиснення кристалів сімейства Sn2P2S6 // Науковий вісник Ужгородського університету.Сер.Фізика. - 1998. - №4. - С.5-6.
27. Гуранич П.П., Лукач П.М., Товт В.В., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Шуста В.С., Кедюлич В.М. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках (Sn1 хIn(2/3)x)2P2S6 при высоких давлениях // ФTT. - 1999. - Т.41, №7. - С.1276-1278.
28. Сливка А.Г., Герзанич Е.И., Шуста В.С., Гуранич П.П. Влияние изоморфного замещения и внешнего давления на фундаментальное поглощение света кристаллами Sn(Pb)2P2S(Se)6 // Известия вузов. Сер. Физика, Томск. - 1999. - №9. - С.23-28.
29. Slivka A.G., Gerzanich E.I., Guranich P.P., Shusta V.S. Phase transition in Sn2P2S6 ferroelectric under high pressure // Сondens. Matter Phys. - 1999. - Vol.2, No.3. - P.415-420.
30. Кедюлич В.М., Сливка О.Г., Герзанич О.І., Гуранич П.П., Шуста В.С., Лукач П.М. Вплив температури і гідростатичного тиску на анізотропію діелектричних властивостей кристала Sn2P2S6 // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер.Фізика. - 1999. - №5. - С.30-32.
31. Kedyulich V.M., Slivka A.G., Gerzanich E.I., Shusta V.S. р,Т,Е-diagram of Sn2P2S6 ferroelectric with high-pressure incommensurate phase // Сondens. Matter Phys. - 2000. - Vol.3, No4. - P.851-856.
32. Сливка О.Г., Кедюлич В.М., Герзанич О.І., Шуста В.С., Гуранич П.П. Вплив електричного поля на фазовий перехід в сегнетоелектрику Sn2P2S6 // Укр. фіз. журн. - 2000. - T. 45, №3. - C. 328-331.
33. Гуранич П.П., Лукач П.М., Товт В.В., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Шуста В.С., Кедюлич В.М. Динамический сдвиг температуры фазового перехода в кристаллах (Sn1 xIn(2/3)x)2P2S6 с несоразмерной фазой // Письма в ЖЭТФ. - 2000. - Т.71, № 9. - С.554-557.
34. Сливка О.Г. Критична поведінка діелектричної проникності кристала Sn2P2S6 в околі точки Ліфшица // Укр. фіз. журн. - 2000. - T.45, №9. - С.1105-1107.
35. Slivka A.G. The influence of hydrostatic pressure on phase transition in ferroelectrics of displacement type // Сondens. Matter Phys. - 2000. - Vol.3, No24. - P.845-849.
36. Герзанич О.І., Сливка О.Г., Гуранич П.П., Шуста В.С., Кедюлич В.М., Лукач П.М. Фазові переходи і критичні явища в кристалах групи A2IVB2VC6VI при високих тисках // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер.Фізика. - 2000. - №6. - С.76-93.
37. Kedyulich V.M., Slivka A.G., Gerzanich E.I., Shusta V.S., Guranich P.P. The influence of uniform pressure and electric field on phase transitions of the Sn2P2S6 ferroelectric // Ferroelectrics. - 2001. - Vol.254. - P.243-255.
38. Slivka A.G.Absorption edge of Sn(Pb)2P2S(Se)6 crystals under hydrostatic pressure // Ukr. Journ. of Physical Optics. - 2001. - Vol. 2, No 4. - P. 171-178.
39. Сливка А.Г., Герзанич Е.И., Гуранич П.П., Шуста В.С. Край фундаментального поглощения в кристаллах Sn2P2(SexS1-x)6 // Оптика анизотропных сред. - Москва: ФТИ. - 1987. - С. 113-115.
40. Гуранич П.П., Шуста В.С., Сливка А.Г., Герзанич Е.И., Сейковская Л.А. Диэлектрические свойства кристаллов группы A2IVB2VC6VI при высоких давлениях // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. - Калинин. - 1988. -С.127-131.
41. Gerzanich E.I., Slivka A.G., Guranich P.P., Shusta V.S. Phase diagrams and physical properties peculiarities of A2IVB2VC6VI group crystals under high pressure // High pressure science and technology. - Kiev: Naukova Dumka. -1989. - Vol.1. - P.212-217.
42. Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Гуранич П.П., Шуста В.С. Влияние анионного и катионного замещения на фундаментальное поглощение кристаллов Sn2P2S6// Материалы оптоэлектроники. - Киев: Техника. -1992. - в.1. - С.31-38.
43. Шуста В.С., Герзанич Е.И., Сливка А.Г., Гуранич П.П., Бобела В.А. Барическое и температурное поведение сжимаемости кристаллов Sn2P2S6// Воздействие высоких давлений на вещество. - Киев: ИПМ НАН Украины. - 1995. - С.128-134.
44. Индикатор температуры: А. с. 1431467 СССР, МКИ G01K11/06/ Ю.И.Тягур, Е.И.Герзанич, А.Г.Сливка, И.Э.Качер, П.П.Гуранич (СССР). - №4064443; Зарегистр. 15.06.1988. - 3 с.
45. Патент №32071А. Україна, МПК 6 G01N21/17. Спосіб вимірювання стисливості твердих тіл / В.С.Шуста, П.П.Гуранич, О.І.Герзанич, О.Г.Сливка. - №98126742; Заявл.22.12.1998; Опубл.15.12.2000, Бюл. №7-11. - 3 с.
46. Патент №33019А. Україна, МПК 6 G01N21/17. Експрес-спосіб дослідження енергетичної структури твердих тіл в області фазових переходів / В.С.Шуста, П.П.Гуранич, О.І.Герзанич, О.Г.Сливка. - №98105326; Заявл.09.10.1998; Опубл.15.02.2001, Бюл. №1. - 4 с.
47. Патент №50233А. Україна, МПК 7 G01R27/26. Експрес-спосіб дослідження констант Кюрі-Вейсса в сегнетоелектричних кристалах / П.П.Гуранич, В.С.Шуста, О.І.Герзанич, О.Г.Сливка, В.М.Кедюлич, Р.В.Кабаль. - №2001118132; Заявл.28.11.2001; Опубл.15.10.2002, Бюл. №10. - 5 с.
АНОТАЦІЇ
Сливка О.Г. Баричні ефекти та полікритичні явища в сегнетоактивних напівпровідниках групи A2IVB2VC6VI із неспівмірними фазами. - Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10. - фізика напівпровідників і діелектриків. - Львівський національний університет імені Івана Франка, Львів, 2003.
Дисертаційну роботу присвячено комплексному дослідженню діаграм стану, полікритичних явищ та фізичних ефектів впливу високого гідростатичного тиску, температури, катіон-аніонного заміщення і зовнішнього електричного поля у сегнетоелектриках-напівпровідниках із неспівмірно-модульованими фазами. Для експериментальних досліджень обрано сегнетоактивні напівпровідникові кристали та тверді розчини групи A2IVB2VC6VI. Встановлено універсальні закономірності впливу високого гідростатичного тиску на температурні зміни діелектричних, піроелектричних, оптичних, пружних та сегнетоелектричних параметрів неспівмірних кристалів системи Sn(Pb)2P2S(Se)6 у різних структурних фазах. Виявлено нові температурні та баричні ефекти в неспівмірних кристалах, з'ясовано умови виникнення неспівмірних фаз та проведено ідентифікацію полікритичних точок на фазових діаграмах стану кристалів групи A2IVB2VC6VI. Розвинуто феноменологічну теорію фазових переходів на основі врахування пружної частини термодинамічного потенціалу та баричної залежності константи Кюрі-Вейсса.
Ключові слова: гідростатичний тиск, сегнетоелектрик-напівпровідник, неспівмірна фаза, полікритичні явища, діелектрична проникність, поляризація, оптичне поглинання, стисливість, фазові діаграми стану.
Сливка А.Г. Барические эффекты и поликритические явления в сегнетоактивных полупроводниках группы A2IVB2VC6VI с несоразмерными фазами. - Рукопись.
Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10. - физика полупроводников и диэлектриков. - Львовский национальный университет имени Ивана Франко, Львов, 2003.
Диссертационная работа посвящена комплексному исследованию фазовых диаграмм, поликритических явлений и физических эффектов воздействия высокого гидростатического давления, температуры, катион-анионного замещения и внешнего электрического поля в сегнетоэлектриках-полупроводниках с несоразмерно-модулированными фазами. Для экспериментальных исследований выбраны сегнетоактивные полупроводниковые кристаллы и твердые растворы группы A2IVB2VC6VI. Установлены универсальные закономерности воздействия высокого гидростатического давления на температурное поведения диэлектрических, оптических, пироэлектрических, упругих и сегнетоэлектрических параметров несоразмерных кристаллов системы Sn(Pb)2P2S(Se)6 в различных структурных фазах. Обнаружены новые температурные и барические эффекты в несоразмерных кристаллах, выяснены условия возникновения несоразмерных фаз и проведено идентификацию поликритических точек на фазовых диаграммах состояния кристаллов группы A2IVB2VC6VI. Развита феноменологическая теория фазовых переходов на основе учета упругой части термодинамического потенциала, а также барической зависимости константы Кюри-Вейсса.
Ключевые слова: гидростатическое давление, сегнетоэлектрик-полупроводник, несоразмерная фаза, поликритические явления, диэлектрическая проницаемость, поляризация, оптическое поглощение, сжимаемость, фазовые диаграммы.
Slivka A.G. Pressure effects and polycritical phenomena in A2IVB2VC6VI ferroelectric semiconductors with incommensurate phases. - Manuscript.
Thesis submitted for Doctor of Sciences (Physics and Mathematics) degree, speciality 01.04.10 - Physics of Semiconductors and Dielectrics. - Ivan Franko Lviv National University, Lviv, 2003.
The thesis is devoted to the all-round studies of phase diagrams, polycritical phenomena and physical effects of high hydrostatic pressure, temperature, cation and anion substitution and external electric field in the ferroelectric semiconductors with incommensurate modulated phases. Crystals and solid solutions of A2IVB2VC6VI group were chosen the objects of experimental studies.
In ferroelectric semiconductor solid solution crystals (PbySn1-y)2P2S6 and Sn2P2(SexS1_x)6 the effect of hydrostatic pressure-induced incommensurate phase in ferroelectric crystals is discovered. Pressure-temperature-composition phase diagrams for (PbySn1-y)2P2S6, Sn2P2(SexS1-x)6 and (PbySn1-y)2P2Se6 crystalline solid solutions and pressure-temperature-electric field phase diagram for Sn2P2S6 ferroelectric semiconductor are obtained. The nature of polycritical points at the phase diagrams of Sn(Pb)2P2S(Se)6 is identified, the conditions of formation and intervals of existence of incommensurate modulated phases in the crystals of this type are elucidated. Isomorphous SnPb substitution in the cation sublattice of (PbySn1_y)2P2S6 mixed crystals, contrary to the SSe substitution in the anion sublattice of Sn2P2(SexS1_x)6 crystals, is shown to counteract the pressure in inducing the incommensurate phase and the Lifshitz point. At approaching the pressure-induced Lifshitz point the role of the random-field-type defects is shown to increase, their influence being predominant over the fluctuation effects.
The exponential shape of the fundamental absorption edge in Sn(Pb)2P2S(Se)6 crystals and relevant solid solutions is shown to be determined by strong interaction of the electron subsystem with the stretching vibrations of [P2S(Se)6]4- complex anions. The predominant role of the electron-phonon interaction in the temperature variation of the pseudogap in the crystals under investigation is ascertained. The transition from the paraelectric to the low-temperature ferroelectric phase in Sn(Pb)2P2S(Se)6 crystals is shown to be accompanied by the enhancement of the electron-phonon interaction and the decrease of static structural disorder. The Urbach rule breakdown in the incommensurate phase of (PbySn1-y)2P2Se6 crystals is experimentally revealed, resulting from the temperature-independent absorption edge characteristic energy. The possible explanations of this effect in the framework of the existing phenomenological models are described. The Zametin-Yakubovsky phenomenological model for the description of temperature and pressure behaviour of optical absorption spectra of ferroelectrics with incommensurate phases is further developed.
The effect of hydrostatic pressure and temperature on the anisotropy of dielectric and elastic properties of the cystals is investigated. The indicatrix of the dielectric permeability tensor ij is obtained and general regularities of its temperature and pressure transformation at the transition of Sn2P2S6 crystal from the unpolar to the polar ferroelectric state are ascertained. The values of linear and bulk compressibilities of Sn(Pb)2P2S(Se)6 crystals are experimentally determined. For (PbySn1-y)2P2S6, Sn2P2(SexS1-x)6 and(PbySn1-y)2P2Se6 solid solution crystals a correlation between the compositional dependences of the pressure coefficient of the ferroelectric transition temperature and the c2/ab value (a, b, c being the crystal lattice parameters in the high-temperature paraelectric phase) is obtained.
In Sn2P2Se6 and (PbySn1-y)2P2S6 crystals the enhancement of anomalous dielectric hysteresis under external hydrostatic pressure is experimentally observed, indicating the increase of the effective relaxation time of metastable states in the incommensurate phase of the ferroelectric semiconductors. Qualitative and quantitative data on the temperature dependence of the electric field-induced polarization in (PbySn1-y)2P2Se6 crystals with an incommensurate phase and its transformation under high hydrostatic pressure are obtained. The low-temperature anomalies of the physical properties in the ferroelectric phase and the specific features of the field dependences of the dielectric parameters near the paraelectric-to-ferroelectric phase transitions in Sn2P2S6-type crystals are shown to result from the existence of internal non-uniform electric fields, their nature being of relaxational character.
The phenomenological theory of phase transitions for proper ferroelectric semiconductors is developed based on the account of the elastic part of the thermodynamical potential and pressure dependence of the Curie-Weiss constant. The necessity of the pressure dependence of the Curie-Weiss constant to be taken into account at the analysis of the pressure effects and polycritical point identification at the phase diagrams of the ferroelectric semiconductors is emphasized.
Keywords: hydrostatic pressure, ferroelectric semiconductor, incommensurate phase, polycritical phenomena, dielectric permeability, polarization, optical absorption, compressibility, phase diagrams.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Визначення методу підсилення пасивації дефектів для покращення оптичних та електричних властивостей напівпровідників. Точкові дефекти в напівпровідниках та їх деформація. Дифузія дефектів та підсилення пасивації дефектів воднем за допомогою ультразвуку.
курсовая работа [312,3 K], добавлен 06.11.2015Природа твердих тіл, їх основні властивості і закономірності та роль у практичній діяльності людини. Класифікація твердих тіл на кристали і аморфні тіла. Залежність фізичних властивостей від напряму у середині кристалу. Властивості аморфних тіл.
реферат [31,0 K], добавлен 21.10.2009Доцільне врахування взаємного впливу магнітних, теплових і механічних полів в магніторідинних герметизаторах. Кінцеві співвідношення обліку взаємного впливу фізичних полів. Адаптація підходу до блокових послідовно- й паралельно-ітераційного розрахунків.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 30.07.2014Характеристика основних властивостей рідких кристалів. Опис фізичних властивостей, методів вивчення структури рідких кристалів. Дослідження структури ліотропних рідких кристалів та видів термотропних.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 17.06.2010Вивчення закономірностей тліючого розряду, термоелектронної емісії. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту, впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів.
учебное пособие [452,1 K], добавлен 30.03.2009Дослідження особливостей будови рідких кристалів – рідин, для яких характерним є певний порядок розміщення молекул і, як наслідок цього, анізотропія механічних, електричних, магнітних та оптичних властивостей. Способи одержання та сфери застосування.
курсовая работа [63,6 K], добавлен 07.05.2011Розгляд сегнетоелектриків як діелектриків, що відрізняються нелінійною залежністю поляризації від напруженості поля; їх лінійні і нелінійні властивості. Характеристика основних груп сегнетоелектриків і антисегнетоелектриків: киснево-октаедричні і водневі.
курсовая работа [6,5 M], добавлен 12.09.2012Процеси інтеркаляції водню матеріалів із розвинутою внутрішньою поверхнею. Зміна параметрів кристалічної гратки, електричних і фотоелектричних властивостей. Технологія вирощування шаруватих кристалів, придатних до інтеркалюванняя, методи інтеркалювання.
дипломная работа [454,6 K], добавлен 31.03.2010Вивчення основних закономірностей тліючого розряду. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів. Дослідження впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників.
методичка [389,4 K], добавлен 20.03.2009Акумуляція енергії в осередку. Анізотропія електропровідності МР, наведена зовнішнім впливом. Дія електричних і магнітних полів на структурні елементи МР. Дослідження ВАХ МР при різних темпах нагружения осередку. Математична теорія провідності МР.
дипломная работа [252,7 K], добавлен 17.02.2011Елементи зонної теорії твердих тіл, опис ряду властивостей кристала. Постановка одноелектронної задачі про рух одного електрона в самоузгодженому електричному полі кристалу. Основні положення та розрахунки теорії електропровідності напівпровідників.
реферат [267,1 K], добавлен 03.09.2010Свойства молибдена и его сплавов. Формирование высокодисперсных жаропрочных структур в молибденовых сплавах с карбидными фазами, образующимися в процессе направленной кристаллизации. Регулярная пространственно-упорядоченная структура микрокомпозита.
курсовая работа [3,7 M], добавлен 05.06.2011Напівпровідники як речовини, питомий опір яких має проміжне значення між опором металів і діелектриків. Електричне коло з послідовно увімкнутих джерела струму і гальванометра. Основна відмінність металів від напівпровідників. Домішкова електропровідність.
презентация [775,8 K], добавлен 23.01.2015Понятие абсорбции как процесса избирательного извлечения одного или нескольких компонентов из газовой смеси жидким поглотителем (абсорбентом), проблемы при ее осуществлении, физические основы. Равновесие между фазами, условия и методика его достижения.
презентация [621,0 K], добавлен 29.09.2013Создание кремниевых чипов. Структуры, имеющие повторяющиеся наноразмерные промежутки между различными фазами. Нанокомпозиты как многофазные твердые материалы. Область взаимодействия между матрицей и усиливающей фазой. Площадь поверхности этой фазы.
реферат [19,9 K], добавлен 18.03.2014Несимметричный режим работы системы с отключенными фазами. Расчет переходных процессов при продольной несимметрии методом симметричных составляющих. Электромагнитные переходные процессы в распределительных сетях. Эквивалентность прямой последовательности.
презентация [121,7 K], добавлен 30.10.2013Короткие замыкания - замыкания между фазами, возникающие при нарушении изоляции электрических цепей. Координация токов в современных энергосистемах. Реакторы как ограничители тока КЗ в мощных электроустановках. Применение и преимущество сдвоенного вида.
реферат [1,8 M], добавлен 25.02.2009Фазами называют однородные различные части физико-химических систем. Фазовые переходы первого и второго рода. Идеальные и реальный газы. Молекулярно – кинетическая теория критических явлений. Характеристика сверхтекучести и сверхпроводимости элементов.
реферат [32,3 K], добавлен 13.06.2008Определение числа единиц переноса графическим методом. Массообмен между фазами. Сущность конвективной диффузии. Критериальное уравнение конвективного массообмена. Интеграл как изменение рабочих концентраций на единицу движущей силы на данном участке.
презентация [2,1 M], добавлен 29.09.2013Навчальна програма для загальноосвітніх шкільних закладів для 7-12 класів по вивченню теми "Напівпровідники". Структура теми: електропровідність напівпровідників; власна і домішкова провідності; властивості р-п-переходу. Складання плану-конспекту уроку.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 29.04.2014
