Фізичні засади розроблення термометричних елементів на основі інтерметалічних напівпровідників
Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 14.09.2015 |
| Размер файла | 120,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
8. Рекомендувати інтерметалічні напівпровідники для використання як термометричні елементи засобів вимірювання температури.
СПИСОК ОСНОВНИХ ОПУБЛІКОВАНИХ СТАТЕЙ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ
1. Ромака В.А. Особенности перехода проводимости металл-диэлектрик в узкощелевых полупроводниках структурного типа MgAgAs / В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, М.Г. Шеляпина, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурин, Л.П. Ромака, Ю.К. Гореленко // Физ. и техн. полупров. 2006. Т. 40, вып. 2. С. 136-141.
2. Ромака В.А. Особенности механизмов проводимости сильно легированных интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn / В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.К. Гореленко, Д. Фрушарт, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин // Физ. и техн. полупров. 2006. Т. 40, вып. 6. С. 676-682.
3. Ромака В.А. Роль примесной зоны при переходе диэлектрик-металл при изменении состава сильно легированного и компенсированного полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Донорные примеси / В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.В. Стаднык, Д. Фрушарт, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин // Физ. и техн. полупров. 2006. Т. 40, вып. 7. С. 796-801.
4.Ромака В.А. Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs / В.А. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.В. Стаднык, Я. Тобола, Ю.К. Гореленко, М.Г. Шеляпина, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин // Физ. и техн. полупров. 2006. Т. 40, вып. 11. С. 1309-1315.
5. Ромака В.А. Особенности проводимости сильно легированного акцепторной примесью In интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn / В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь // Физ. и техн. полупров. 2007. Т. 41, вып. 9. С. 1059-1065.
6. Ромака В.А. Перехід діелектрик-метал при зміні складу сильнолегованого та компенсованого напівпровідникового твердого розчину TiCo1-xNixSb / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, М.Г. Шеляпіна, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурін, Л.П. Ромака, А.В. Ткачук // Укр. фіз. журн. 2006. Т. 51, № 5. С. 487-492.
7. Ромака В.А. Вплив режимів термообробки на провідність сильнолегованих напівпровідників n-ZrNiSn. I. Експериментальні результати / В.А. Ромака, Ю.К. Гореленко, Ю.В. Стадник, Л.П. Ромака, М.Г. Шеляпіна, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурін, А.М. Горинь // Укр. фіз. журн. 2006. Т. 51, № 7. С. 703-709.
8. Ромака В.А. Умови отримання максимуму коефіцієнта термоелектричної потужності в інтерметалічних напівпровідниках ZrNiSn та TiCoSb / В.А. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, Ю.В. Стадник, В.А. Ромака, М.Г. Шеляпіна, В.Ф. Чекурін // Укр. фіз. журн. 2006. Т. 51, № 10. С. 972-978.
9. Ромака В.А. Механізми провідності інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильнолегованого донорною домішкою Сu / В.А. Ромака, М.Г. Шеляпіна, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, Ю.В. Стадник, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурін, А.М. Горинь // Укр. фіз. журн. 2007. Т. 52, № 1. С. 40-46.
10. Ромака В.А. Механізми провідності інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильнолегованого акцепторною домішкою Со. II. Розрахунок електронної структури / В.А. Ромака, М.Г. Шеляпіна, Ю.В. Стадник, Ю.К. Гореленко, Д. Фрушарт, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурін Укр. фіз. журн. 2007. Т. 52, № 3. С. 251-255.
11. Ромака В.А. Особливості легування інтерметалічного напівпровідника p-TiCoSb донорною омішкою Сu. I. Розрахунок електронної структури / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, Д. Фрушарт, Я. Тобола, Ю.К. Гореленко, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурін, А.М. Горинь // Укр. фіз. журн. 2007. Т. 52, № 5. С. 455-459.
12. Ромака В.А. Особливості легування інтерметалічного напівпровідника p-TiCoSb донорною домішкою Сu. II. Експериментальні дослідження / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, Д. Фрушарт, Я. Тобола, Ю.К. Гореленко, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурін, А.М. Горинь // Укр. фіз. журн. 2007. Т. 52, № 7. С. 650-656.
13. Ромака В.А. Особливості провідності напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xInx / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, Д. Фрушарт, В.В. Ромака, Ю.К. Гореленко, В.М. Давидов, А.М. Горинь // Укр. фіз. журн. 2007. Т. 52, № 10. С. 952-958.
14. Ромака В.А. Дослідження механізму локальної аморфізації сильнолегованого кристалічного напівпровідника n-TiNiSn / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, Д. Фрушарт, В.В. Ромака, П. Рогль, Я. Тобола, Ю.К. Гореленко, А.М. Горинь // Укр. фіз. журн. 2008. Т. 53, № 1. С. 42-49.15.
15. Ромака В.А. Механізм генерації акцепторної домішки в інтерметалічному напівпровіднику TiCoSb при сильному легованні донорною домішкою V. I. Дослідження структури та розподілу електронної густини / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, П. Рогль, Л.Г. Аксельруд, В.М. Давидов, В.В. Ромака, Ю.К. Гореленко, А.М. Горинь // Укр. фіз. журн. 2008. Т. 53, № 2. С. 158-163.
16. Стадник Ю.В. Вплив легування інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn акцепторними домішками In на величину коефіцієнту термоелектричної потужності Z* / Ю.В. Стадник, В.А. Ромака // Термоелектрика. 2006. № 4. С. 28-37.
17. Стадник Ю.В. Особливості механізмів електропровідності напівпровідникового твердого розчину TiNiSn1-xInx / Ю.В. Стадник, В.А. Ромака // Термоелектрика. 2007. № 1. С. 42-50.
18. Бодак О.І. Перехід провідності метал-діелектрик, викликаний зміною складу твердого розчину Zr1-xScxNiSn / О.І. Бодак, В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, Л.П. Ромака, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурін // Фіз. і хім. тв. тіла - 2005. Т. 6, № 1. С.120-123.
19. Бодак О.І. Роль домішкової зони в провідності твердого розчину TiCo1-xNixSb. Донорні домішки / О.І. Бодак, В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, М.Г. Шеляпіна, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурін, Ю.К. Гореленко // Фіз. і хім. тв. тіла - 2005. Т. 6, № 2. С. 218-223.
20. Бодак О.І. Умови виникнення максимальної термоелектричної потужності в інтерметалічних напівпровідниках структурного типу MgAgAs / О.І. Бодак, В.А. Ромака, Ю.К. Гореленко, М.Г. Шеляпіна, Ю.В. Стадник, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурін, Д. Фрушарт, А.М. Горинь // Фіз. і хім. тв. Тіла. 2006. Т. 7, № 1. С. 76-81.
21. Бодак О.І. Механізми провідності сильнолегованих інтерметалічних напівпровідників n-ZrNiSn. Експериментальні результати / О.І. Бодак, В.А. Ромака, Ю.К. Гореленко, Ю.В. Стадник, В.Ф. Чекурін, Л.П. Ромака, М.Г. Шеляпіна, Д. Фрушарт, А.М. Горинь // Фіз. і хім. тв. Тіла. 2006. Т. 7, № 2. С. 259-264.
22. Ромака В.А. Механізми провідності інтерметалічних напівпровідників ZrNiSn, сильнолегованих Со. II. Розрахунок електронної структури / В.А. Ромака, М.Г. Шеляпіна, Ю.К. Гореленко, Ю.В. Стадник, Л.П. Ромака, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурін // Фіз. і хім. тв. тіла - 2007. Т. 8, № 3. С. 466-470.
23. Ромака В.А. Особливості механізмів провідності інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильно легованого Mn. I. Розрахунок електронної структури / В.А. Ромака, М.Г. Шаляпіна, Д. Фрушарт, Ю.В. Стадник, Ю.К. Гореленко, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурін // Фіз. і хім. тв. Тіла. 2007. Т. 8, № 4. С. 688-693.
24. Ромака В.А. Особливості зонної структури та механізмів електропровідності напівпровідникового твердого розчину TiCo1-xCuxSb / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, Д. Фрушарт, Я. Тобола // Фіз. і хім. тв. Тіла. 2008. Т. 9, № 1. С. 81-86.
25. Бодак О.І. Особливості переходу провідності метал-діелектрик при зміні складу напівпровідникового твердого розчину Zr1-хScхNiSn. I. Aкцепторні домішки / О.І. Бодак, В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, М.Г. Шаляпіна, Д. Фрушарт, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурін, Ю.К. Гореленко // Журн. фіз. досл. 2005. Т. 9, № 3. С. 243-247.
26. Бодак О.І. Механізми провідності інтерметалічних напівпровідників n-ZrNiSn, сильнолегованих акцепторними домішками Со / О.І. Бодак, В.А. Ромака, М.Г. Шеляпіна, Ю.К. Гореленко, Ю.В. Стадник, Л.П. Ромака, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурін // Журн. фіз. досл. 2006. Т. 10, № 1. С. 46-53.
27. Ромака В.А. Вплив термообробки на механізми провідності інтерметалічних напівпровідників структурного типу MgAgAs / В.А. Ромака, Ю. Гореленко, Ю. Стадник, Л. Ромака, М. Шаляпіна, В. Чекурін, А. Горинь // Вісник Львів. універ. Серія хімічна. 2006. Вип. 47. С. 71-76.
28. Шеляпіна М. Електронна структура сильно легованого інтерметалічного напівпровідника ZrNiSn / М. Шеляпіна, Ю. Гореленко, Л. Ромака, Ю. Стадник, В.А. Ромака, В. Чекурін, А. Горинь // Вісник Львів. універ. Серія хімічна. 2006. Вип. 47. С. 65-70.
29. Шеляпіна М. Електронна структура напівпровідникового твердого розчину ZrNi1-хMnxSn / М. Шеляпіна, Ю. Стадник, В.А. Ромака, Ю. Гореленко, Л. Ромака, А. Горинь // Вісник Львів. універ. Серія хімічна. 2007. Вип. 48, Ч. I. С. 217-222.
30. Ромака В.А. Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-xInx. Особливості електрокінетичних характеристик / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, В.В. Ромака, А.Е. Лагун // Міжвід. науково-технічний збірник ”Вимірювальна техніка та метрологія”. 2007. № 67. С. 30-36.
31. Ромака В.А. Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-xInx. Особливості електронної та кристалічної структур / В.А. Ромака, Ю.В. Стадник, В.В. Ромака, А.Е. Лагун // Вісник НУ “Львівська політехніка” “Автоматика, вимірювання та керування”. 2007. № 574. С. 104-108.
32. Ромака В.А. Моделі електронної та кристалічної структур інтерметалічного напівпровідника TiNiSn1-xInx / В.А. Ромака, Ю. Стадник, В.В. Ромака, П. Гаранюк // Комп'ютерні технології друкарства. 2007. № 18. С. 104-111.
33. Stadnyk Yu.V. Metal-insulator transition induced by changes in composition in Zr1-хScхNiSn solid solution range / Yu.V. Stadnyk, V.A. Romaka, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, D. Fruchart, V.F. Chekurin // Journal of Alloys and Compounds. 2005. Vol. 400. P. 29-32.
34. Romaka L.P. Peculiarity of metal-insulator transition due to composition change in semiconducting TiCo1-xNixSb solid solution. I. Electronic structure calculations / L.P. Romaka, M.G. Shelyapina, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, E.K. Hlil, V.A. Romaka // Journal of Alloys and Compounds. 2006. Vol. 416. P. 46-50.
35. Stadnyk Yu. Impurity band effect on TiCo1-xNixSb conduction. Donor impurities / Yu. Stadnyk, V.A. Romaka, M. Shelyapina, Yu. Gorelenko, L. Romaka, D. Fruchart, A. Tkachuk, V. Chekurin // Journal of Alloys and Compounds. 2006. Vol. 421. P. 19-23.
36. Fruchart D. Conductivity Mechanisms in Heavy-Doped n-ZrNiSn Intermetallic Semiconductors / D. Fruchart, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko, M.G. Shelyapina, V.F. Chekurin // Journal of Alloys and Compounds. 2007. Vol. 438. P. 8-14.
АНОТАЦІЯ
Ромака В.А. Фізичні засади розроблення термометричних елементів на основі інтерметалічних напівпровідників. - Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 05.11.04 - прилади та методи вимірювання теплових величин - Національний університет “Львівська політехніка”, Львів, 2008.
На основі фізичних моделей електронної та кристалічної структур, електрокінетичних та магнетних характеристик інтерметалічних напівпровідників встановлені закономірності функцій перетворення резистивних та термоелектричних інтерметалічних напівпровідникових елементів та можливість керування ними як екологічно чистих термометричних матеріалів для електрорезистивної та термоелектричної термометрії з однозначними залежностями та високим значенням питомого електроопору та термо-ЕРС. Показано, що керованість електрокінетичними характеристиками термометричних матеріалів на основі інтерметалічних напівпровідників здійснюється шляхом їх легування. Вперше показано, що легування інтерметалічних напівпровідників суттєво впливає на їх кристалічну структуру. Показано, що при прогнозуванні електрокінетичних властивостей термометричних матеріалів шляхом розрахунку розподілу електронної густини для отримання однозначних залежностей та максимальних значень термо-ЕРС і питомого електроопору необхідно врахувати локальну аморфізацію напівпровідників. Вперше здійснений розрахунок розподілу електронної густини з врахуванням локальної аморфізації. Реалізовані термочутливі елементи з використанням інтерметалічних напівпровідників для електрорезистивних та термоелектричних термометрів.
Ключові слова: температура, термометрія, термометричний елемент, напівпровідник, коефіцієнт термо-ЕРС, питомий електроопір.
АННОТАЦИЯ
Ромака В.А. Физические основы разработки термометрических элементов на основе интерметаллических полупроводников. - Рукопись.
Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.11.04 - приборы и методы измерения тепловых величин - Национальный университет “Львовская политехника”, Львов, 2008.
На основе физических моделей электронной и кристаллической структур, электрокинетических и магнитных характеристик интерметаллических полупроводников установлены закономерности функций пребразования электрорезистивних и термоэлектрических полупроводниковых элементов и возможность управления ними как экологически чистых термометрических материалов для электрорезистивной и термоэлектрической термометри с однозначними и высокими значениями удельного сопротивления и термо-ЭДС. Показано, что управление электрокинетическими характеристиками термометрических материалов на основе интерметаллических полупроводников осуществляется путем их легирования. Впервые показано, что легирование интерметаллических полупроводников существенно влияет на их кристаллическую структуру. Показано, что при прогнозировании электрокинетических свойств термометрических материалов путем расчета распределения электронной плотности для получения однозначных зависимостей и максимальных значений термо-ЭДС и удельного сопротивления необходимо учитывать локальную аморфизацию полупроводников. Вывод о локальной аморфизации интерметаллических полупроводников подтвержден результатами исследований электрокинетических и магнитных характеристик: изменение знака коэффициента термо-ЭДС при переходе проводимости диэлектрик-металл и магнитное упорядочение на диэлектрической стороне перехода соответствуют критерию Мотта о наличии структурного разупорядочения. Впервые осуществлен расчет распределения электронной плотности с учетом локальной аморфизации. На основе анализа температурных та концентрационных зависимостей удельного сопротивления и коэффициента термо-ЭДС интерметаллических полупроводников показано, что в сильнолегированном и компенсированном полупроводнике значения энергий активации 1 и 3, полученные из температурных зависимостей коэффициента термо-ЭДС, связаны с энергетическими характеристиками флуктуации зон непрерывных энергий. Показано, что сопоставление энергетических характеристик флуктуации зон непрерывных энергий термометрического материала позволяет прогнозированно получать и использовать материал только с экспоненциальными изменениями электросопротивления и значительными изменениями термо-ЭДС, обеспечивая высокую чувствительность средст измерения температуры в широком температурном диапазоне. Реализованы термочувствительные элементы с использованием интерметаллических полупроводников для электрорезистивных и термоэлектрических термометров.
Ключевые слова: температура, термометрия, термометрический элемент, полупроводник, коэффициент термо-ЭДС, удельное сопротивление.
ABSTRACT
Romaka V.A. Physical principles of development of thermometric elements based on intermetallic semiconductors. - Manuscript.
Thesis presented for a scientific degree of the Doctor of Technical Scienses by 05.11.04 special subject - Devices and Methods of Thermal Values Measurements. - “Lviv Polytechnik” National University, Lviv, 2008.
On basis of the physical models for the electronic and crystal structures, electrokinetic and magnetic characteristics of the intermetallic semiconductors, the relationship of the transformation functions of the resistive and thermo-electric intermetallic semiconductor elements was established. The possibility of their monitoring as the ecologically clean thermometric materials for the electro-resistive and thermoelectric thermometry with the standardized dependencies and high values of the electro-resistivity and thermopower was proved. It was shown that controllability of electro-kinetic characteristics of the thermometric materials based on the intermetallic semiconductors was carried out by theirs doping. It was shown first, that doping of the intermetallic semiconductors substantially influenced on their crystal structure. It was shown that at prognostication of the electro-kinetic properties of the thermometric materials by calculation of the density of electronic states to obtain the unambiguous dependencies and maximal values of thermopower and resistivity it was necessary to take into account the local amorphisation of the semiconductors. The calculation of distribution of the density of electronic states with taking into account a local amorphization was performed first. The eleсtro-resistive and thermo-electric thermometers were realized with the use of intermetallic semiconductors as the thermosensitive elements.
Keywords: temperature, thermometry, thermometric element, semiconductor, thermopower, electric resistivity.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Елементи зонної теорії твердих тіл, опис ряду властивостей кристала. Постановка одноелектронної задачі про рух одного електрона в самоузгодженому електричному полі кристалу. Основні положення та розрахунки теорії електропровідності напівпровідників.
реферат [267,1 K], добавлен 03.09.2010Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
курсовая работа [1002,2 K], добавлен 24.06.2008Навчальна програма для загальноосвітніх шкільних закладів для 7-12 класів по вивченню теми "Напівпровідники". Структура теми: електропровідність напівпровідників; власна і домішкова провідності; властивості р-п-переходу. Складання плану-конспекту уроку.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 29.04.2014Вивчення закономірностей тліючого розряду, термоелектронної емісії. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту, впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів.
учебное пособие [452,1 K], добавлен 30.03.2009Вивчення основних закономірностей тліючого розряду. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів. Дослідження впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників.
методичка [389,4 K], добавлен 20.03.2009Дослідження стану електронів за допомогою фотоелектронної й оптичної спектроскопії. Аналіз електронної й атомної будови кристалічних і склоподібних напівпровідників методами рентгенівської абсорбційної спектроскопії. Сутність вторинної електронної емісії.
реферат [226,5 K], добавлен 17.04.2013Визначення методу підсилення пасивації дефектів для покращення оптичних та електричних властивостей напівпровідників. Точкові дефекти в напівпровідниках та їх деформація. Дифузія дефектів та підсилення пасивації дефектів воднем за допомогою ультразвуку.
курсовая работа [312,3 K], добавлен 06.11.2015Характеристики та класифікація напівпровідників. Технологія отримання напівпровідників. Приготування полікристалічних матеріалів. Вплив ізохорного відпалу у вакуумі на термоелектриці властивості і плівок. Термоелектричні властивості плюмбум телуриду.
дипломная работа [4,4 M], добавлен 09.06.2008Електрофізичні властивості напівпровідників та загальні відомості і основні типи напівпровідникових розмикачів струму. Промислові генератори імпульсів на основі ДДРВ й SOS-діодів, дрейфовий діод з різким відновленням, силові діоди на базі P-N переходів.
дипломная работа [254,4 K], добавлен 24.06.2008Поняття хімічного елементу. Утворення напівпровідників та їх властивості. Електронно-дірковий перехід. Випрямлення перемінного струму, аналіз роботи тиристора. Підсилення електричного сигналу, включення біполярного транзистора в режимі підсилення напруги.
лекция [119,4 K], добавлен 25.02.2011Оцінка ймовірності знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі. Визначення положення рівня Фермі, розрахунок температурної залежності власної концентрації носіїв заряду у вихідному напівпровіднику та побудова графіка.
контрольная работа [2,8 M], добавлен 18.12.2009Напівпровідники як речовини, питомий опір яких має проміжне значення між опором металів і діелектриків. Електричне коло з послідовно увімкнутих джерела струму і гальванометра. Основна відмінність металів від напівпровідників. Домішкова електропровідність.
презентация [775,8 K], добавлен 23.01.2015Загальна характеристика шаруватих кристалів, здатність шаруватих напівпровідників до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Ітеркаляція та інтеркаляти: методи та характеристики процесу.
реферат [200,7 K], добавлен 31.03.2010Здатність шаруватих напівпровідників до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Вплив інтеркаляції воднем на властивості моноселеніду ґалію. Спектри протонного магнітного резонансу.
реферат [154,0 K], добавлен 31.03.2010Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011Характеристика основних даних про припої та їх використання. Особливості пайки напівпровідників, сполук припоїв і режимів пайки германія й кремнію. Сполуки низькотемпературних припоїв, застосовуваних при пайці германія й кремнію. Паяння друкованих плат.
курсовая работа [42,0 K], добавлен 09.05.2010Магнетизм, електромагнітні коливання і хвилі. Оптика, теорія відносності. Закони відбивання і заломлення світла. Елементи атомної фізики, квантової механіки і фізики твердого тіла. Фізика ядра та елементарних часток. Радіоактивність. Ядерні реакції.
курс лекций [515,1 K], добавлен 19.11.2008Область частот гіперзвуку, його природа і шкала дії. Поширення гіперзвуку в твердих тілах. Механізм поширення гіперзвуку в кристалах напівпровідників, в металах. Взаємодія гіперзвуку зі світлом. Сучасні методи випромінювання і прийому гіперзвуку.
реферат [14,5 K], добавлен 10.11.2010Дослідження електричних властивостей діелектриків. Поляризація та діелектричні втрати. Показники електропровідності, фізико-хімічні та теплові властивості діелектриків. Оцінка експлуатаційних властивостей діелектриків та можливих областей їх застосування.
контрольная работа [77,0 K], добавлен 11.03.2013Розмірні і температурні ефекти та властивості острівцевих плівок сплаву Co-Ni різної концентрації в інтервалі товщин 5-35 нм та температур 150-700 К. Встановлення взаємозв’язку морфології, структури та електрофізичних властивостей надтонких плівок.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 12.12.2011
