Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе
Свойства гетерофазных границ раздела и механизмов их влияния на электрофизические и фотоэлектрические свойства тонких поликристаллических пленок селенида свинца и цирконата-титаната свинца. Технологические режимов формирования фоторезисторных структур.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 02.03.2018 |
| Размер файла | 512,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
8. Петров А. А., Дорожкин А. А., Петров Н. Н. Оже-электроны при облучении твердых тел ионами средних // Изв. АН СССР, сер. Физ. 1979. Т. 43, №3. С. 619-628.
9. Дорожкин А. А., Петров А. А., Петров Н. Н. Ионно-электронная эмиссия и Оже-электроны // Труды ЛПИ. 1983, №377. С. 27-29.
10. Петров А. А. Оже-спектроскопия карбида кремния // Изв. ЛЭТИ. (Ленинградский электротехнический институт) Вып. 457. 1993. С. 22-25.
11. Петров А. А., Афанасьев А. В., Ильин В. А.,. Термометрические характеристики датчика температуры на основе структуры Cr-SiC // Перспективные материалы и приборы оптоэлектроники и сенсорики // Изв. ГЭТУ (СПб государственный электротехнический университет). 1998. Вып. 517. c. 97-100.
12. Петров А. А. Демин Ю. А., Ильин В. А. Аппаратура и программные средства для создания электронно-зондовых аналитических приборов // Научное приборостроение. РАН. 1999. Т.9, №2. С. 14.-20.
13.. А. А. Петров и др. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца. В. П. Афанасьев, Г. Н. Мосина, Пронин И.П., Сорокин Л.М., Тараканов Е.А. // Письма в ЖТФ. 2001. Т.27, № 11. С. 56-63.
14. Polarization and self-polarization in PZT thin films.(Поляризация и самополяризация в тонких пленках ЦТС) V. P. Afanasjev, A. A. Petrov, Pronin I. P. et al. // J. of Physics: Condensed Matter. 2001. Vol. 13, № 39. P. 8755-8763.
15. А. А.Петров и др. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния А. В. Афанасьев, В. А.Ильин, А. И. Г. Казарин // ЖТФ. 2001. T. 71, вып. 5. С. 78-81.
16. A. A. Petrov et al Specific properties of the PZT-based thin-film capacitor structures with excess lead oxide (Специфические свойства тонкопленочных конденсаторных структур на основе ЦТС с избытком свинца) / V. P Afanasjev, G. N Mosina,. I.P Pronin, L. V. Sorokin, E. A. Tarakanov // Tech. Phys. Letters. 2001. Vol. 27, № 6. P. 467-469.
17. Петров А. А., Афанасьев А. В., Ильин В. А. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния // ЖТФ. 2001. Т.71. Вып.5. С 121.
18. А. А. Петров Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца В. П. Афанасьев, Г. Н. Мосина, И. П. Пронин, Л. М. Сорокин, Е. А. Тараканов // Письма в ЖТФ. 2001. Т.27, № 11. С.56-63.
19. А. А. Петров и др. Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)-PZT(PZT/PT)-Ir / В. П. Афанасьев, И. В. Грехов, Л. А. Делимова и др. // ФТТ. 2006. Т.48. Вып. 6. С. 1130-1134.
20. A. A. Petrov et al. Origin of photoresponse in heterophase ferroelectric Pt/Pb(ZrTi)O3/Ir capacitors (Фотоотклик в гетерофазных конденсаторах Pt/Pb(ZrTi)O3/Ir) / L. A. Delimova, V. S. Yuferev, I. V. Grekhov, Afanasjev P. V., Kramar G. P., Afanasjev V. P. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. P. 112907-1 - 112903-3
21. Petrov A. A. et al. Ageing of thin-film capacitor structures based on PZT (Старение тонкопленочных конденсаторных структур на основе ЦТС) / L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets, I. E. Titkov, V. P. Afanasjev, P. V. Afanasjev, G. P. Kramar // Ferroelectrics. 2007. Vol. 348. P.25-32.
22. А. А.Петров и др. Технология, свойства и применение сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе / А. Г. Алтынников, В. П. Афанасьев, П. В. Афанасьев и др.; Под ред. В. П. Афанасьева, А. Б. Козырева. СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 248 с.
23. Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в поликристаллических
пленках и структурах на их основе СПб: ГЭТУ «ЛЭТИ», 2008. 205 c.
Другие статьи и материалы конференций:
1. Петров А.А., Ильин В.А., Писаревский М.С. Фоточувствительность поликристаллических пленок на основе Pb 1-х Cd х Se // ПЖЭ. 2001, №4. С. 93-100.
2. A. A. Petrov et al. Trap Charge Density at Interfaces of MOCVD Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO2/Si) Structure / (Плотность зарядовых центров на интерфейсах структуры Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO2/Si), полученной методом MOCVD) L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets et al. // Proc. of MRS2005 Fall Meeting, Vol. 902E, P.10-27.
3. Петров А. А., Писаревский М. А. Методика и аппаратно-програмные средства растровой электронной Оже-спектроскопии // ПЖЭ. 2006. T. 3. C. 75-85.
4. Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в тонкопленочных структурах электроники. ПЖЭ. 2006. Вып. 4. С49-78.
5. A. A. Petrov et al. Effect of Interfaces on the Properties of Polycrystalline Thin-Film PZT Ferroelectric Capacitors (Влияние интерфейсов на свойства сегнетоэлектрических конденсаторов с поликристаллическими пленками ЦТС) / L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2007. Vol. 966E. P. 035313 - 035315.
Патенты:
1. Патент РФ на изобретение № 2166221 / Петров А.А Афанасьев. А.В., Ильин В.А. Высокотемпературный полупроводниковый прибор и способ его изготовления. 27.04. 2001.
2. Патент РФ на полезную модель № 71023 / Петров А. А., Афанасьев В. П., Афанасьев П. В., Грехов И. В., Делимова Л. А., Крамар Г. П., Машовец Д. В. Сегнетоэлектрическое устройство с оптическим считыванием. Опубл. 20.02.2008. Бюл. 5
3. Патент РФ на изобретение № 2338284 / Петров А. А., Афанасьев В. П., Афанасьев П. В., Грехов И. В., Делимова Л. А., Крамар Г. П., Машовец Д. В. Сегнетоэлектрический элемент для запоминающего устройства с оптическим считыванием информации. Опубл. 10.11.2008. Бюл. 31.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Основные модели токопереноса и фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. Технология получения и физические свойства тонких пленок PbS. Вольтамперные характеристики пленок сульфида свинца. Температурные зависимости образцов PbS31.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 19.01.2012Общая характеристика и свойства цирконата-титаната свинца, оценка перспектив его применения для изготовления электрооптических модуляторов и переключателей, ультразвуковых измерительных преобразователей и гидролокаторов, гидрофонов, зуммеров и звонков.
реферат [21,6 K], добавлен 24.06.2010Классификация материалов по электропроводности. Сегнетоэлектрические материалы, их физические свойства и особенности применения в технике. Кристаллическая структура и физические свойства титаната бария. Зонная структура и электропроводность.
дипломная работа [6,6 M], добавлен 26.03.2012История развития устройств хранения данных на магнитных носителях. Причины появления доменов, а также запоминающие устройства на тонких магнитных пленках. Доменная структура тонких магнитных пленок. Запоминающие устройства на гребенчатых структурах.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 23.12.2012Классификация диэлектриков по виду поляризации. Объяснение различий между понятиями тангенса угла и коэффициента диэлектрических потерь. Сущность и области применения синтетических и искусственных волокон. Свойства вольфрама, золота, платины и свинца.
контрольная работа [1,1 M], добавлен 22.01.2011Традиционные термоэлектрические материалы, теллуриды висмута и свинца. Улучшение термоэлектрической добротности однородных материалов. Термовольтаический эффект в поликристаллическом SmS. Выбор оптимальной концентрации носителей и ширины запрещённой зоны.
дипломная работа [1,3 M], добавлен 11.07.2015Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
дипломная работа [327,8 K], добавлен 29.09.2013Пьезоэлектрический эффект в кристаллах. Диэлектрики, в которых наблюдается пьезоэффект. Прямой и обратный эффект пьезоэлектриков. Сжатие пьезо-электрической пластинки. Основные виды поликристаллических пьезоэлектриков. Основные свойства пьезоэлектриков.
презентация [582,4 K], добавлен 14.11.2016Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015Сущность понятий магнетизма, ферромагнетизма, магнитной анизотропии, доменов. Анализ явления гистерезиса в ферромагнетике, перехода из парамагнетика в ферромагнетик и природа ферромагнетизма. Методы исследования тонких ферромагнитных пленок, их сравнение.
дипломная работа [6,5 M], добавлен 05.11.2009Структура межзеренных границ наноструктурированных материалов и сверхпластичность наноструктур. Сущность закона Хола-Петча. Дефекты в наноструктурированных материалах. Влияние границ раздела на механические свойства нанокристаллических наноматериалов.
курсовая работа [838,1 K], добавлен 21.09.2013Фотоэлектрические свойства неоднородных полупроводниковых образцов. Энергетическая структура омического контакта в присутствии неравномерно распределенных электронных ловушек. Фотоэлектрические свойства кристаллов, обработанных в газовом разряде.
дипломная работа [3,3 M], добавлен 18.03.2008Тонкопленочные слои; назначение тонких пленок, методы их нанесения. Устройство вакуумного оборудования для получения тонких пленок. Основные стадии осаждения пленок и механизмы их роста. Контроль параметров технологических процессов и осажденных слоев.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 11.09.2014Анализ физических свойств перовскитов, в которых сосуществуют электрическая и магнитная дипольные структуры. Общая характеристика пленок феррита висмута BiFeO3. Особенности взаимодействия электромагнитной волны и спиновой подсистемой магнитного кристалла.
реферат [512,3 K], добавлен 20.06.2010Способы нанесения оксидных пленок. Физические основы работы магнетронных распылительных систем. Особенности нанесения оксидов дуальной магнетронной распылительной системы. Процессы роста и параметры тонких пленок. Ионно-плазменная установка "Яшма".
дипломная работа [2,8 M], добавлен 15.06.2012Анализ основных особенностей методов получения нового лазерного материала – керамики для разработки мощных твердотельных лазеров нового поколения на основе селенида и сульфида цинка. Исследование спектрально-кинетических свойств полученных образцов.
дипломная работа [3,3 M], добавлен 28.01.2014Период математического маятника. Кинетическая и потенциальная энергия, удельная теплоёмкость свинца. Сила тока в цепи при подключении к источнику постоянного тока. Относительная влажность воздуха, количество теплоты. Фотоэффект с поверхности металла.
задача [108,0 K], добавлен 24.01.2010Расчет оптических постоянных на основе экспериментальной зависимости коэффициента отражения. Формулы Френеля, полное внешнее отражение. Схематическое устройство оптического канала. Спектр поглощения корунда, а также сплошность изученных тонких пленок.
дипломная работа [3,0 M], добавлен 22.12.2012Основные понятия, виды (диамагнетики, ферримагнетики, парамагнетики, антиферромагнетики) и условия проявления магнетизма. Природа ферромагнитного состояния веществ. Сущность явления магнитострикции. Описание доменных структур в тонких магнитных пленках.
реферат [25,6 K], добавлен 30.08.2010Сущность полиморфизма, история его открытия. Физические и химические свойства полиморфных модификаций углерода: алмаза и графита, их сравнительный анализ. Полиморфные превращения жидких кристаллов, тонких пленок дийодида олова, металлов и сплавов.
курсовая работа [493,4 K], добавлен 12.04.2012
