При Т = 4,2 К МРЭ в образцах первой группы отрицателен и имеет гистерезис (рисунок 7) с коэрцитивной силой ₀H_с 0,125 Тл, что свидетельствует о его туннельном механизме. Образцы групп 2 и 3 не показывают гистерезисных явлений и МРЭ в них положителен в слабом поле, достигает максимальной величины при В 0,08 Тл и при В (0,3 - 0,4) Тл становится отрицательным (рисунок 8). Такой знакопеременный МРЭ обусловлен спин-орбитальным рассеянием электронов кластерами кобальта. Сравнение экспериментального и рассчитанного согласно Hikami, S. Spin - orbit interaction and magnetoresistance in the two dimensional random system / S. Hikami, A. L. Larkin, J. Nagajka // Progr. Theor. Phys. - 1980. - Vol. 63, № 2. - P. 707 - 710. (пунктирная линия на рисунке 8) МС позволило определить время релаксации фазы волновой функции = 3,510^-10 с и спин-орбитального рассеяния _so = 1,1910^-10 c. Несмотря на наличие гистерезисных явлений на металлической стороне ПДМ (группа 4) МРЭ в них обусловлен не механизмом гигантского МС, а анизотропным МС кластера кобальта, так как только ПМС смещается при изменении направления магнитного поля.

Рисунок 7 - Туннельное МС, характерное для образцов первой группы при Т = 4,2 К

Рисунок 8 - Сравнение измеренного (точки) и рассчитанного (пунктир) МС образца группы 2 при Т = 2,2 К

Намагниченность волокон Co_x - C_1-x возрастает с ростом концентрации катионов кобальта в волокне-предшественнике и увеличением температуры термообработки. Отожженные при Т_f = 700С волокна имеют закрытую петлю гистерезиса уже при Т= 77 К (рисунок 9), а при Т_f = 900 ^оС - открытую с коэрцитивной силой ₀H_с = 0,043 Тл. Изучение температурных зависимостей намагниченности в режимах охлаждения образцов без магнитного поля (Zero Field Cooled regime (ZFC-режим) и во внешнем магнитном поле (Field Cooled regime (FC-режим)) подтвердили суперпарамагнитное поведение кластеров кобальта в волокне, отожженном при Т_f = 700 С с температурой блокировки магнитного момента Т_b = 73 К (рисунок 10). При этом температурная зависимость намагниченности при Т > Т_b, описывается уравнением Ланжевена с независящим от температуры магнитным моментом нанокластера _р = 2700_B. Температурная зависимость коэрцитивной силы при температуре ниже температуры блокировки описывается зависимостью Bean, C.P. Superparamagnetism / C.P. Bean, J. D. Livigston // J. Appl. Phys. Supplement. - 1959. - Vol. 30, № 4. - P. 120S - 129S.

¹⁰ Pfeiffer, H. Determination of anisotropy field distribution in particle assemblies taking into account thermal fluctuations / H. Pfeiffer // Phys. Stat. Sol. a. - 1990. - Vol. 118, № 1. - P. 295 - 306.^,:

, (2)

где - магнитная постоянная;

M_S - намагниченность насыщения;

- эффективная константа магнитной анизотропии,

с величиной г = 0,77, что характерно для случайного распределения направлений магнитных моментов кластеров. Экстраполяция экспериментальной температурной зависимости коэрцитивной силы к значению при Т = 0 К позволила определить эффективную константу магнитной анизотропии

= 1,710⁵ Дж/м³.

Т, К: 1- 4,2; 2-10; 3-30; 4-70. Содержание катионов кобальта - 3 ммоль/г

Рисунок 9 - Петли гистерезиса намагниченности при разных температурах волокна Co_x - C_1-x, отожженного при Т_f = 700 С B, Тл : 1- 0,01; 2 - 0,05; 3- 0,1; 4 - 1

Рисунок 10 - Температурная зависимость намагниченности волокна, отожженного при Т_f = 700 С, охлажденного без магнитного поля (ZFC) (1-3) и в поле (FC) (4)

Изучение МРЭ в кремнии, содержащем включения редкоземельных элементов, показало, что МС отрицательно при Т 77К, и величина его уменьшается как при увеличении, так и при уменьшении температуры [13,14,92]. В первом случае это связано с увеличением спинового беспорядка, а во втором - с переходом рассеивающего кластера в антиферромагнитное состояние.

На основании установленных закономерностей изменения характеристик углеродных волокон в зависимости от режимов термообработки запатентован способ получения углеродных композиционных материалов с заранее заданными свойствами [121].

Шестая глава посвящена изучению размерно- и спин-зависимых электронных состояний и процессов переноса в металлополимерных композитах, полученных имплантацией ионов переходных металлов в полимерные пленки [19,20,27,28,30,31,34,36-38,40,45,46,48,58,61-63,65-68,89,93,95-101,103,106,107-109,111]. Экспериментально установлено, что при имплантации ионов Co⁺ в ПИ и Fe⁺ и ПЭТФ при достижении пороговых режимов имплантации наблюдается ПДМ, а при имплантации ионов Сu⁺ и Ag⁺ перехода не наблюдается [19,20,34]. В ПИ, имплантированном Co⁺ с энергией 40 кэВ в интервале доз D = 2,510¹⁶ - 1,2510¹⁷ cм^-2 при плотности ионного тока j = 4,0 мкA/cм², доминирующим механизмом проводимости является прыжковый. При дозе D = 1,2510¹⁷ cм^-2 и

j = 8,0 мкA/cм² в модифицированном слое обнаружен андерсоновский ПДМ, обусловленный формированием гранулированного металлического слоя в карбонизированном слое полимера. R(T) зависимости имплантированных ионами кобальта образцов ПИ показана на рисунках 11 (диэлектрическая) и 12 - (металлическая) стороны ПДМ.



D, см^-2 : 1 - 2,510¹⁶; 2 - 510¹⁶; 3 - 7,510¹⁶; 4 - 1,2510¹⁷.

j = 4,0 мкА/см²

Рисунок 11 - Температурная зависимость сопротивления, отнесенного к сопротивлению при Т=290 К, имплантированных ионами кобальта пленок ПИ D=1,2510¹⁷ см^-2 при j = 12,0 мкА/см²

Рисунок 12 - Температурная зависимость сопротивления пленки ПИ, имплантированной ионами Со⁺

Увеличение сопротивления при понижении температуры на металлической стороне ПДМ обусловлено процессами слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия. Причем процессы электрон-электронного взаимодействия имеют 3D характер в интервале Т = 5 - 300 К, в то время как для процессов слабой локализации при Т_3D-2D 40 - 50 К наблюдается переход от 3D к 2D случаю. Увеличение плотности тока до j = 12,0 мкA/cм² при имплантации максимальной дозой приводит к доминированию металлического типа проводимости вследствие более эффективного перколяционного эффекта по наночастицам металла. При этом процессы слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия определяют перенос заряда при Т < 50 К, а переход от 3D к 2D механизму для процессов слабой локализации происходит при температуре Т_3D-2D 10 - 15 К. В имплантированных ионами железа пленках ПЭТФ при ПДМ процессы слабой локализации не наблюдались.

В металлополимерных композитах, полученных имплантацией ионов магнитных металлов кобальта и железа в ПИ и ПЭТФ, МРЭ на обеих сторонах ПДМ имеет отрицательный знак и на диэлектрической стороне наблюдается максимум ОМС при В 0,1 Тл. Положение этого максимума не соответствует величине коэрцитивной силы ПЭТФ, имплантированного ионами железа [34,61,97,111] и ПИ, имплантированного ионами кобальта [45,46,48,96,108,109], и он не наблюдается при повторном увеличении магнитного поля в том же направлении. Это позволяет заключить, что МРЭ не обусловлен спин-зависимым межкластерным туннелированием, а немонотонная зависимость ОМС вызвана образованием агломератов магнитных кластеров и спин-зависимым рассеянием электронов доменными стенками. В режиме слабой локализации, который был характерен только для композитов на основе ПИ, имплантированного ионами кобальта, наблюдалалась смена знака МРЭ с отрицательного на положительный из-за полного подавления полем процессов слабой локализации и доминирования компоненты ПМС анизотропного и лоренцевского МРЭ.

Изучение статических магнитных характеристик показало формирование при имплантации магнитных включений, которые могут находиться в диэлектрической или проводящей матрицах, а сами материалы находятся в суперпарамагнитном или ферромагнитном состояниях. Композит на основе ПЭТФ, имплантированного ионами железа, показывает изменение статических магнитных свойств до ферромагнитных через суперпарамагнитное состояние, обусловленное образованием и ростом магнитных кластеров, в конечном счете приводящее к образованию квазисплошного лабиринтоподобного магнитного слоя с направлением намагниченности в его плоскости. Коэрцитивная сила такой структуры изменяется в диапазоне ₀H_с = 0,03 - 0,01 Тл в температурном интервале Т = 2 - 300 К, а пороговая доза образования ферромагнитного состояния D_с = 7,510¹⁶ cм^-2 . Петли гистерезиса намагниченности при дозе имплантации D = 1,510¹⁷ cм^-2 показаны на рисунке 13, а дозовая зависимость намагниченности при ZFC и FC -режимах измерения - на рисунке 14.

Формирование магнитных включений наблюдается и при имплантации ионов Со⁺ в ПИ. До доз D = 510¹⁶ cм^-2 формируется система невзаимодействующих магнитных включений, а при больших дозах начинается межкластерное взаимодействие. Сравнение измеренной и рассчитанной температурных зависимостей намагниченности позволило оценить размер кластера, который в зависимости от дозы имплантации изменяется в интервале 4 - 11нм.

D, см^-2 :1,5·10¹⁷ ; Т = 2К

Рисунок 13 - Петли гистерезиса намагниченности ПЭТФ, имплантированного ионами железа, измеренные в магнитном поле параллельном (1) и перпендикулярном (2) плоскости пленки Рисунок 14 - Дозовые зависимости намагниченности имплантированных ионами железа пленок ПЭТФ при Т= 2 К, измеренные в режимах ZFC (1) и FC (2) при В=10 мТл

В таблице 1 приведены режимы переноса электронов, обозначенные: I- диэлектрический; Mе - металлический; WL - слабая локализация, а также магнитное состояние, обозначенное: D - диамагнетик, P - парамагнетик, SP - суперпарамагнетик и F - ферромагнетик. Меньшая величина дозы достижения магнитного перехода по сравнению с ПДМ обусловлена наличием обменного взаимодействия, которое может вызываться прямым обменом посредством поверхности ближайших наночастиц железа в модифицированном слое, косвенным обменом через электроны карбонизированного слоя полимера, или через отдельные изолированные атомы железа в полимерной матрице.

В главе 7 методами просвечивающей электронной, атомной и магнитной силовой микроскопии, рентгеноструктурного анализа, изучения пропускания и отражения света в диапазоне длин волн 200 - 1000 нм исследовано формирование металлических включений при радиационно-термической обработке полимерного предшественника [9,11,12, 25, 29, 33, 35, 36, 39,41-44 ,47, 64, 69, 70-75,77,100,102,104-106]. Показано, что формирование нанокластеров кобальта в углеродной матрице, получаемой путем термообработки карбоксилированной целлюлозы приводит к ее структурированию в виде плоскостей графита с межплоскостным расстоянием d = 0,37 нм, характерным для разупорядоченных углеродных волокон. При Т_f = 700 С средний размер кластеров составляет около d 10 нм. Кластеры относительно равномерно распределены по объему, а увеличение температуры отжига до Т_f = 900 С ведет к росту размера кластеров до 200 нм и более и распределение их по объему становится неоднородным (рисунки 15 и 16).

Таблица 1- Режим проводимости и магнитное состояние нанокомпозитов, полученных имплантацией ионов кобальта и железа в ПИ и ПЭТФ

ПИ	ПЭТФ
Режим имплантации	Co+	Cо+	Режим имплантации	Fe+	Fe+
D, cм-2	J,мкA/cм2	Режим проводим Т=4,2К	Магнитное состояние T=300K	D, cм-2	J,мкA/cм2	Режим проводим Т=4,2К	Магнитное состояние T=300K
2,5·1016	4	I	D - P -?	1·1016	4	I	D - Р-?
5,5·1016	4	I	SP	2,5·1016	4	I	SP
7,5·1016	4	I	SP	5·1016	4	I	SP
1,25·1017	4	I	SP	7,5·1016	4	I	F
1,25·1017	8	Ме/WL	SP	1·1017	4	Me	F
1,25·1017	12	Ме/WL (T<50K)	SP	1,5·1017	4	Me	F

Рисунок 15 - Общий вид кластеров (а), структура кластера Со (б) в волокне. Отжиг при Т _f =700 С Рисунок 16 - Общий вид углеродной матрицы и кластеров кобальта волокна, отожженного при Т _f = 900 С

На рисунках 17 и 18 показаны рентгенограммы волокон, отожженных при Т_f = 700 С и Т_f = 900 С [11,12,25,29]. Широкий пик при угле около 45 обусловлен перекрытием рефлексов от кубической и гексоганальной модификаций кобальта, пик 3 дает кубическая модификация, а 4 - оксид кобальта. В отожженных при Т_f = 900 С волокнах наблюдается отражение от графита (пик 1), гексоганальной (пики 2,4,5,6,8,9,) и кубической (3, 7) модификаций кобальта.

Рисунок 17 - Рентгенограмма кобальтосодержащего углеродного волокна, отожженного при Т_f = 700єC Рисунок 18 - Рентгенограмма кобальтосодержащего углеродного волокна, отожженного при Т_f = 900єC

Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что с ростом дозы имплантации ионов переходных металлов в полимерные пленки происходит изменение морфологии ее поверхности, а именно: переход от отдельных конусообразных островков при малых дозах (D ? 1,0•10¹⁶ см^-2) имплантации к системе колоколообразных при средних (D ? 1,0•10¹⁷ см^-2), и квазисплошной лабиринтоподобной структуре при максимальных (D ? 1,5•10¹⁷ см^-2). Наблюдаемое изменение коррелирует с результатами просвечивающей электронной микроскопии [33,34,38,64,70-75,99,102]. При этом наблюдается увеличение шероховатости поверхности пленки. Так, шероховатость пленок ПЭТФ увеличивается от 0,2 нм до 2,7 нм и 17 нм при имплантации ионов серебра и никеля, соответственно.

Экспериментально обнаружено увеличение коэффициента отражения имплантированных ионами серебра плёнок ПЭТФ и ПИ, обусловленное формированием в приповерхностном слое наночастиц серебра, а также увеличение отражения при длинах волн ₁ = 205 и ₂ = 260 нм в ПИ и л₁ = 210, л₂ = 254 и л₃ = 311 нм в ПЭТФ при падении света на неимплантированную сторону [35,39,41,44,47,64,69,74,75,77,102,104]. Показано, что оно обусловлено термической модификацией полимера за пределами пробега ионов в процессе имплантации. Отсутствие этого эффекта при падении света на имплантированную поверхность вызвано завершением процессов карбонизации и определяющим влиянием карбонизированного слоя на отражательную способность имплантированной поверхности. Модификация пленки за пределами пробега ионов подтверждена и измерениями микропрочностных характеристик [33,38,66,70,71]. Максимум отражения, обусловленный поверхностным плазмонным резонансом на наночастицах серебра, при измерении с неимплантированной стороны находится при больших длинах волн, чем при измерении с имплантированной стороны, что свидетельствует о неравномерном распределении по глубине диаметра формирующихся наночастиц серебра, при котором большие частицы расположены вблизи имплантированной поверхности, а меньшие - в глубине модифицированного слоя.

В рамках двухслойной модели металлополимерный композит-полимерная пленка проведено моделирование прохождения света при его падении на имплантированную и неимплантированную поверхности и определен показатель преломления модифицированного слоя, что позволило с использованием теории Ми оценить размер формирующихся наночастиц серебра, который в зависимости от дозы имплантации изменяется в интервале 5 - 20 нм при изменении показателя преломления от 1,8 до 2,8 [41]. При облучении г-квантами пленок ПЭТФ обнаружена модификация структуры тонких приповерхностных слоев с обеих сторон облучаемой пленки [42].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные научные результаты диссертации

1. Впервые экспериментально установлено, что на диэлектрической стороне моттовского перехода диэлектрик-металл в специально нелегированном арсениде галлия (N_d <10¹⁴ см^-3) при неравновесном электронном переходе, обусловленном генерационно-рекомбинационными процессами вследствие ударной ионизации в электрическом поле мелких донорных примесей, величина положительного магниторезистивного эффекта уменьшается, а магнитополевая зависимость изменяется от экспоненциальной, характерной для прыжкового механизма проводимости, до параболической, характерной для лоренцевского магнитосопротивления при зонном механизме переноса электронов, а в промежуточно легированном n-GaAs (210¹⁵ N_d 210¹⁶ см^-3) наблюдается изменение знака магнитосопротивления с отрицательного на положительный, в то время как в германии наблюдается только увеличение положительного магнитосопротивления, обусловленное появлением в предпробойном поле неравновесных электронов в зоне проводимости. Теоретический расчет магниторезистивного эффекта при зонном механизме переноса неравновесными электронами и впервые проведенном учете энергетической зависимости не только времени релаксации импульса, но и энергии показал, что магниторезистивный эффект имеет параболическую зависимость от магнитного поля с меньшим коэффициентом, а зависимость коэффициента Холла от магнитного поля определяется не только процессом магнитного вымораживания, но и влиянием магнитного поля на генерационно-рекомбинационные параметры ударной ионизации [1-3,5,7,8,26,82,83,112].

2. Впервые экспериментально показано, что коэффициент положительного лоренцевского магниторезистивного эффекта в арсениде галлия при неравновесном электронном переходе, обусловленном разогревом электронов электрическим полем и междолинными переходами из основного минимума в вышележащие долины при комнатной температуре увеличивается, а при температуре жидкого гелия наблюдается смена знака магнитосопротивления с отрицательного на положительный. Проведенный расчет зависимости коэффициента магниторезистивного эффекта от электрического поля в рамках двухдолинной модели проводимости с учетом одно - и двухжидкостного приближений и вклада разных механизмов релаксации квазиимпульса в основной и вышерасположенной долине подтвердил его увеличение в электрическом поле [10,83,116,118].

3. Впервые экспериментально доказано, что в многослойных структурах на основе арсенида галлия с барьером Шоттки при температурах жидкого гелия можно управлять знаком, величиной и видом магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта с помощью поля барьера, изменяя знак магнитосопротивления с отрицательного на положительный, что интерпретировано перераспределением носителей заряда между активным и буферным слоями структуры при их вытеснении полем затвора из активного слоя. Показано, что в зависимости от величины внешнего магнитного поля в такой структуре можно осуществлять переход от отрицательного магниторезистивного эффекта к положительному и вновь к отрицательному с увеличением электрического поля барьера Шоттки [6,79,81,115].

4. Обнаружены немонотонные магнитополевые зависимости магнитосопротивления и холловского сопротивления слабо разупорядоченной гетероструктуры GaAs - AlGaAs с двумя заполненными подзонами размерного квантования при гелиевой температуре, которые интерпретированы в рамках двухслойной модели проводимости, учитывающей наличие параллельных двух - и трехмерного каналов электронной проводимости. Впервые показано, что положительный магниторезистивный эффект двумерного электронного газа имеет лоренцевскую природу когда магнитное поле перпендикулярно плоскости гетероперехода, и магнитосопротивление отрицательно с логарифмической зависимостью в классически слабом и параболической в классически сильном магнитном поле когда оно параллельно плоскости гетероперехода и определяется влиянием поля на процессы слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия. Определены характеристики двух подзон размерного квантования квантовой ямы гетероперехода: концентрации электронов n_s0 =7,610¹¹ cм^-2,

n_s1 = 1,310¹¹ cм^-2, энергетическое положение ₀ = 107.4 мэВ, ₁ = 126.9 мэВ первой и второй подзон размерного квантования, соответственно, а также уровень Ферми

_F = 131 мэВ [17,18,21,86,88,90]. Показано, что размерный эффект в магнитотранспортных характеристиках диамагнитных полупроводниковых материалов определяется размерной зависимостью лоренцевской компоненты магнитосопротивления, в то время как в магнитоупорядоченных пленках металла (пермаллой) размерная зависимость анизотропного магниторезистивного эффекта определяется величиной размагничивающего фактора в направлении протекающего тока, а его немонотонная зависимость от поля обусловлена рассеянием носителей заряда доменными стенками при перемагничивании образца [4,16,17,21,53,80,84-86,88,90,91,113,114,119,120].

5. Впервые экспериментально показано, что в полупроводниковых матрицах (кремний) с включениями редкоземельных элементов (гольмий, эрбий, гадолиний) наблюдается смена знака магниторезистивного эффекта с положительного на отрицательный при температуре жидкого азота, что связано с доминированием спин-зависимого рассеяния электронов на магнитных включениях, а в полупроводниковой матрице оксида цинка с включениями кобальта изменение знака магнитосопротивления в магнитном поле обусловливается наличием сильного обменного s-d взаимодействия электронов с d оболочкой атомов кобальта [13,14,48, 76,78,92,110].

6. Впервые экспериментально доказано, что при термообработке в вакууме при температуре 700 C полимерного предшественника карбоксилированной целлюлозы после замены в ней протонов СООН - групп на катионы кобальта получаемые углеродные волокна содержат кластеры кобальта со средним диаметром d 10 нм и линейно-логарифмическим распределением по диаметру, а увеличение температуры до 900 C приводит к увеличению размера кластеров до d 200 нм и более. Обнаружено каталитическое действие кластеров кобальта на структурирование углеродной матрицы в виде плоскостей графита, что позволяет варьированием технологических режимов синтеза получать углеродные волокна по обе стороны перехода диэлектрик-металл в суперпарамагнитном или ферромагнитном состоянии [9,11,12,15,22-25,29,50-52,55-57,59,60,87,94].

7. Впервые установлено, что в кобальтосодержащих углеродных волокнах на диэлектрической стороне перехода диэлектрик - металл при температурах измерения ниже 35 К магнитотранспорт осуществляется преимущественно путем спин-зависимого туннелирования электронов между магнитными кластерами, а на металлической стороне в режиме слабой локализации положительный магниторезистивный эффект в слабом магнитном поле обусловлен спин-орбитальным взаимодействием, а отрицательный эффект в сильном магнитном поле вызывается подавлением полем процессов слабой локализации. На металлической стороне перехода обнаружен гистерезис магнитосопротивления, обусловленный аддитивным вкладом положительного анизотропного магнитосопротивления и отрицательной компоненты из-за спин-зависимого рассеяния магнитными кластерами, причем гистерезисные явления наблюдаются только в его положительной компоненте. Определены характеристические времена сбоя фазы волновой функции = 3,510^-10 с и время спин - орбитального рассеяния _so = 1,1910^-10 c [23,24,50-52].

8. Впервые экспериментально установлено, что термообработанные при 700C кобальтосодержащие углеродные волокна при комнатной температуре находятся в суперпарамагнитном состоянии, а отожженные при 900 C - в ферромагнитном с коэрцитивной силой ₀H_с = 0,043 Тл. Показано, что температурная зависимость коэрцитивной силы кластеров кобальта в углеродной матрице описывается зависимостью ₀H_с Т^0,77, а температурная зависимость намагниченности в суперпарамагнитной области - функцией Ланжевена c независящим от температуры магнитным моментом кластера. Определены температура блокировки магнитных моментов Т_b = 73 К, эффективная константа магнитной анизотропии К_eff = 1,710⁵ Дж/м³ и средний магнитный момент кластера

_p = 2700_B [11,15,22,59,60,87,94,121].

9. Впервые экспериментально показано, что при пороговых дозах имплантации ионов Со⁺ в пленки полиимида (D = 1,2510¹⁷ cм^-2 и j = 8,0 мкA/cм²) и Fe⁺ в полиэтилентерефталат (D = 1,010¹⁷ cм^-2 и j = 4,0 мкA/cм²) наблюдается андерсоновский переход диэлектрик-металл. При этом в имплантированном полиимиде на металлической стороне перехода диэлектрик-металл зависимость сопротивления от температуры обусловлена процессами слабой локализации и электрон - электронного взаимодействия, в то время как в имплантированном полиэтилентерефталате процессы слабой локализации не наблюдаются. Увеличение плотности ионного тока до 12,0 мкA/cм² при имплантации полиимида дозой 1,2510¹⁷ cм^-2 приводит к металлическому типу проводимости и доминированию процессов слабой локализации и электрон - электронного взаимодействия при температурах ниже 50 К [19,20,30,37,40,58,61,62,66,68,89, 93,96,98,99,107-109,111].

10. Впервые экспериментально установлено, что в полиэтилентерефталате, имплантированном ионами железа с энергией 40 кэВ с плотностью ионного тока j = 4,0 мкA/cм², при дозе D_с = 7,510¹⁶ cм^-2, меньшей пороговой дозы перехода диэлектрик-металл, наблюдается переход суперпарамагнетик-ферромагнетик, обусловленный зарождением и ростом магнитных включений, приводящих к формированию квазисплошного лабиринтоподобного магнитного слоя с увеличением дозы имплантации, который имеет направление намагниченности в плоскости пленки и коэрцитивную силу изменяющуюся в диапазоне ₀H_с = 0,03 - 0,01 Тл в температурном интервале Т = 2 - 300 К, в то время как металлополимерный композит, полученный имплантацией ионов кобальта в полиимид, находится в суперпарамагнитном состоянии [28,34,45,46,49,97,103,107-109,111].

11. В металлополимерных композиционных материалах, синтезированных имплантацией ионов кобальта в полиимид и железа в полиэтилентерефталат с энергией 40 кэВ в интервале доз D = 1,010¹⁶ - 1,510¹⁷ cм^-2 при плотности ионного тока j = (4,0 - 12) мкA/cм², установлены особенности и корреляция электронно-транспортных, магнитотранспортных и магнитных характеристик, заключающиеся в увеличении проводимости (до 5,5·10³ Cм/cм) магнитосопротивления (до 4% при В = 5 Тл) и намагниченности (до 0,25 А·м² /кг) с увеличением дозы, меньшей величине коэрцитивной силы при измерении петли гистерезиса намагниченности (₀H_с =0,03 Тл) по сравнению с петлей гистерезиса магнитосопротивления (₀H_с =0,1 Тл), которые впервые доказывают формирование в модифицированном слое агломератов магнитных кластеров со спинзависимым рассеянием электронов доменными стенками и подавлением процессов слабой локализации на диэлектрической и металлической сторонах перехода диэлектрик-металл, что позволяет объяснить отрицательный знак и немонотонную зависимость магниторезистивного эффекта от поля. [27,28,31,34,49,61,62,63,65,67,97,107-109,111].

12. На основании экспериментальных результатов, показывающих изменение величины, знака и вида магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта при переходах диэлектрик - металл и проявлении размерных эффектов [2,4,6,7,9,10,12,16,22] разработаны и защищены авторскими свидетельствами и патентами новые способы и устройства регистрации магнитного поля гальваномагнитными датчиками, отличающиеся тем, что в основе их лежит управление переходом датчика из состояния с отрицательным в состояние с положительным магниторезистивным эффектом и их суммирование, что позволило увеличить пороговую чувствительность, температурную стабильность измерений и обеспечить линейность градуировочной кривой датчика магнитного поля [112 - 122].

Рекомендации по практическому использованию результатов

Разработанные новые способы и устройства регистрации магнитного поля [112 - 122] могут использоваться предприятиями электронной и приборостроительной промышленности при изготовлении магниточувствительных датчиков и приборов регистрации магнитного поля. Генератор импульсного магнитного поля может использоваться для решения технических задач (намагничивание, испытание различных приборов и устройств и т. д. в сильном магнитном поле) предприятиями Республики Беларусь.

Учебно-методические издания [123 -125] используются при чтении лекций по спецкурсам “Электронные состояния и процессы в конденсированных средах”, “Введение в магнитоэлектронику”, “Физика электропроводящих полимеров” на физическом факультете БГУ и могут использоваться в других ВУЗах. Внедренные в учебный процесс физического факультета БГУ экспериментальные установки применяются в спецпрактикумах “Полупроводниковые материалы”, “Современные методы исследования полупроводников” и могут быть тиражированы и использованы на естественных факультетах других ВУЗов.

Экспериментальные образцы композиционных материалов, полученные методом ионно-радиационной и термической обработки полимеров, могут использоваться для создания пассивных элементов электронной техники с разными величиной и температурным коэффициентом сопротивления, разным знаком и величиной магниторезистивного эффекта, которые могут эксплуатироваться в широком интервале температур и магнитных полей, находясь в суперпарамагнитном или ферромагнитном состояниях.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ СОИСКАТЕЛЯ

Статьи в рецензируемых научных журналах

1. Камара, М. С. Изменение магнитосопротивления арсенида галлия в электрическом поле / М. С. Камара, Е. К. Кохан, М. Г. Лукашевич // Вестн. Бел. ун-та. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 1984. - № 1. - С. 23 - 25.

2. Kamara, M. S. Electric field influence on n-GaAs magnetoresistance / M. S. Kamara, M. G. Lukashevich, V. F. Stelmach // Phys. Stat. Sol. (a). - 1984. - Vol. 84, № 42. - P. 613 - 619.

3. Камара, М. С. Влияние электрического поля на магниторезистивный эффект в слабо легированном арсениде галлия / М. С. Камара, М. Г. Лукашевич, В. Ф. Стельмах // ФТП. - 1985. - Т. 19, № 6. - С. 1134 - 1136.

4. Камара, М. С. Геометрический эффект в магнитосопротивлении n - Ge при низких температурах / М. С. Камара, М. Г. Лукашевич // Изв. вузов. Физика. - 1986. - № 6. - С. 115 - 117.

5. Камара, М. С. Влияние электрического поля на магниторезистивный эффект в германии при низких температурах / М. С. Камара, М. Г. Лукашевич // Вестн. Бел. ун-та. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 1987. - № 1. - С.8 - 12.

6. Гришанов, В. А. Управление магниторезистивным эффектом в многослойных структурах с барьером Шоттки / В. А. Гришанов, М. Г. Лукашевич // Приборы и системы управления. - 1992. - № 4. - С. 40.

7. Lukashevich, M. G. Magnetoresistance and Hall effect of warm and nonequilibrium electrons in high-purity n- GaAs / M. G. Lukashevich, M. Bogershausen, H. Micklitz // Phys. Stat. Sol. (a). - 1994. - Vol. 144, № 42. - P. 377 - 382.

8. Подоксик, Э. Е. Низкотемпературный перенос заряда в магнитном поле неравновесными электронами в n-GaAs / Э. Е. Подоксик, М. Г. Лукашевич,

В. Г. Мацукевич // ФТП. - 1995. - Т. 29, № 6. - С. 1070 - 1075.

9. Preparation, structure and magnetic properties of cobalt nanoparticles in carbon fibers / I. A. Bashmakov, V. A. Dorosinez, M. G. Lukashevich, A. A. Mazanik, T. F. Tihonova // J. Mat. Res. - 2001. - Vol. 16, № 10. - P. 2832 - 2835.

10. Cкрипка, В.А. Электрический эффект в магнитосопротивлении арсенида галлия / Д. А. Скрипка, М. Г. Лукашевич // Вестн. Бел. ун-та. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 2002. - № 2. - С. 46 - 52.

11. Электрические и магнитные характеристики кобальтосодержащих углеродных волокон / И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, М. Г. Лукашевич, А. А. Мазаник, Т. Ф. Тихонова, Д. А. Скрипка // Вестн. Бел. ун-та. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 2002. - № 1. - С. 48 - 53.

12. Получение и электрофизические свойства кобальтосодержащих углеродных волокон / И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, М. Г. Лукашевич,

А. А. Мазаник, Т. Ф. Тихонова, Д. А. Скрипка // ФТТ. - 2002. - Т. 44, № 9. - С.1614 - 1621.

13. Влияние редкоземельных примесей на магниторезистивный эффект в монокристаллическом кремнии / Д. И. Бринкевич, М. Г. Лукашевич, В. С. Просолович, Д. А. Скрипка, Ю. Н. Янковский // Неорганические материалы. - 2002. - Т. 38, № 7. - С.775 - 777.

14. Магнитотранспортные характеристики монокристаллического кремния с включениями гадолиния / Д. И. Бринкевич, С. А. Вабищевич,
М. Г. Лукашевич, А. А. Мазаник, В. С. Просолович, В. В. Самохвал, Ю. Н. Янковский // Вестн. Полоцкого ун-та. Сер. С. Фундаментальные науки. - 2002. - Т.1, № 3. - С. 100 - 104.

15. Суперпарамагнетизм нанокластеров кобальта в углеродной матрице / И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, М. Г. Лукашевич, Т. Ф. Тихонова // Вестн. Бел. ун-та. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 2003. - № 1. - С. 33 - 37.

16. Лукашевич, М. Г. Размерный эффект в магнитосопротивлении тонких пленок пермаллоя / М. Г. Лукашевич, А. А. Мазаник // Вестн. Бел. ун-та. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 2003. - № 2. - С. 21 - 25.

17. Бумай, Ю. А. Магниторезистивный эффект слабо разупорядоченного гетероперехода GaAs - AlGaAs / Ю. А. Бумай, М. Г. Лукашевич, Д. А. Скрипка // Вестн. Бел. ун-та. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 2003. - № 3. - С. 18 - 24.

18. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в транспортных гетероструктуры GaAs-AlGaAs / Ю. А. Бумай, М. Г. Лукашевич, Д. А. Скрипка, Г. Гобш, Р. Голдхан, Н. Стайн // ЖПС. - 2004. - Т.71, № 1. - С. 70 - 75.

19. Электронно - транспортные свойства и переход Андерсона в пленках полиимида, имплантированных ионами кобальта / М. Г. Лукашевич, В. Н. Попок, В. Б. Оджаев, С. М. Лукашевич, Р. И. Хайбулин, В. В. Базаров // Доклады НАН Б. - 2004. - Т. 48, № 4. - С. 42- 47.

20. Charge carrier transport in polyimide with Co nanoparticles formed by ion implantation / V. Popok, M. Lukashevich, S. Lukashevich, R. Khaibullin, V. Bazarov // Surface Science. - 2004. - Vol. 566 - 568. - P. 327 - 331.

21. Размерный эффект в магнитосопротивлении 2D электронного газа гетероперехода GaAs/AlGaAs / Ю. А. Бумай, Р. Р. Cероглазов, Д. А. Скрипка, М. Г. Лукашевич // Вестн. Бел. ун - та. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 2004. - № 3. -С. 48 - 53.

22. Магнитные свойства нанокластеров кобальта в углеродной матрице/ И. А. Башмаков, С. М. Лукашевич, Т. Ф. Тихонова, М. Г. Лукашевич // Физика металлов и металловедение. - 2005. - Т. 100, № 1. - С. 24 - 28.

23. Туннельный магниторезистивный эффект в углеродной матрице с нанокластерами кобальта/ И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, С. М. Лукашевич, Т. Ф. Тихонова, М. Г. Лукашевич // Вестн. БГУ. Сер. 1. Физ., мат., мех. - 2005. - № 3. - С. 8 -13.

24. Cпин-орбитальное взаимодействие и двумерная слабая локализация в углеродной матрице с нанокластерами кобальта / Ю.А. Бумай, И. А. Башмаков, С. М. Лукашевич, Т. Ф. Тихонова, М. Г. Лукашевич // ФТТ. - 2005. - Т. 47, № 2. - С. 345 -349.

25. Рентгеноструктурное исследование углеродного волокна, содержащего нанокластеры кобальта / И. А. Башмаков, А. П. Зборовский, Ф.Н. Капуцкий, Т. Ф. Тихонова, Е. А. Щемелёва, М. Г. Лукашевич // Вестник БГУ. Сер.1. - 2006. - №2. - С. 11-15.

26. Сероглазов, Р. Р. Магнитное вымораживание неравновесных электронов в n-GaAs / Р. Р. Сероглазов, А. П. Зборовский, М. Г. Лукашевич // Вестник БГУ. Сер.1. - 2006. - №2. - С. 30-34.

27. Magnetoresistive effect and impedance spectroscopy of Co-implanted polyimide / V. N. Popok, M. G. Lukashevich, N. I. Gorbachuk, V. B. Odzaev, R. I. Khaibullin, I. B. Khaibullin // Phys. Stat. Sol. (а). - 2006. - Vol. 203, №.7. - Р.1545-1549.

28. Modification of magnetic properties of polyethyleneterephthalate by iron implantation / M. G. Lukashevich, X. Batlle, A. Labarta, V. N. Popok, V.A. Zhikharev, R. I. Khaibullin, V. B. Odzaev // Nucl. Instr. Meth. B. -2007. -Vol. 257, №1-2. - P. 589-592.

29. Определение размеров нанокластеров серебра и палладия в углеродном волокне// И. А. Башмаков, С.М. Лукашевич, Е.А. Толкачева,Т. Ф. Тихонова, М. Г. Лукашевич, Ф.Н. Капуцкий // Вестник БГУ. Сер.1. - 2008. - №2. -

С. 13-15.

30. Особенности электрических свойств пленок полиимида, имплантированных ионами меди и кобальта / Ф.А. Нажим, М.Г. Лукашевич, В.И. Нуждин, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев // Изв. Нац. акад. наук Беларуси. Сер. физ.-мат. наук. - 2010. - №. 2. - С. 100-105.

31. Магниторезистивный эффект в полимерных композитах с нанокластерами магнитных и немагнитных металлов / Ф.А. Нажим, М.Г. Лукашевич, В.В. Базаров, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев // Вестн. Белорус. гос. ун-та. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2010. - № 3. - C. 22-26.

32. Зависимость электропроводности пленочных композитов SiO2-Fe2O3 во влажном воздухе/ А. В. Адакимчик, Н. И. Горбачук, М. И. Ивановская,

Д. А. Котиков, М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев, Ю. В. Сидоренко// Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, № 4, - C. 1-6.

33. Физико-механические свойства приповерхностных слоев полиэтилентерефталата и полиимида, модифицированных имплантацией ионов никеля / C.А. Вабищевич, Д.И. Бринкевич, В.С. Волобуев, Ф.А. Нажим, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев, В.Ф. Валеев, Р.И. Хайбуллин // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундаментальные науки. - 2010. - № 9. - C. 74-82.

34. Magnetoresistive effect in PET films with iron nanoparticles synthesized by ion implantation / M.G. Lukashevich, V.N. Popok, V.S. Volobuev, A.A. Melnikov, R.I. Khaibullin, V.V. Bazarov, A. Wieck, V.B. Odzhaev // The Open Applied Physics Journal. - 2010. - № 3. - P.1-5.

35. Оптические свойства пленок полиимида, имплантированных ионами серебра / Ю.А. Бумай, В.Ф. Валеев, Н.И. Долгих, М.Г. Лукашевич, Ф.А. Нажим, В.И. Нуждин, В.Б. Оджаев // Материалы, технологии, инструменты. - 2010. - Т. 15, № 4. - С. 54-58.

36. AFM, ESR and optic study of Sb+ ions implanted photoresist / I.Azarko, Y.Bumai, V. Volobuev, P. Zukowski, M.Lukashevich1, V. Odzhaev // Przeglad elektrotechnichzni Electrical rewiew. - 2010. - № 7. - P.270-271.

37. Najim, F.A. DC and AC electron-transport properties of polyimide foils implanted by Co⁺ and Cu⁺ ions / F.A. Najim, M.G. Lukashevich // J. of Al-Qadisiya for Pure Science. - 2011. - Vol. 16, № 2. - P. 1-8.

38. Structure and electron-transport properties of photoresist implanted by Sb+ ions/ N. Vabishchevich, D. Brinkevich, V. Volobuev, M. Lukashevich, V. Prosolovich, Y. Sidorenko, V. Odzhaev, J. Partyka // Acta Physica Polonica A. - 2011. - Vol.120, № 1. - P.46-48.

39. Оптические характеристики пленок полиимида, имплантированных ионами B⁺ и Ag⁺ / Ю.А. Бумай, Н.И. Долгих, А.А. Харченко, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев // Вестник БГУ, серия 1 - 2011. - №2. - С. 41-44.

40. Волобуев, В.С. Электрические характеристики плёнок полиэтилентерефталата, имплантированных ионами серебра / В.С. Волобуев, М.Г. Лукашевич // Вестн. Белорус. гос. ун-та. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2012. - № 1. - С. 39-43.

41. Оптические характеристики композита, полученного имплантацией ионов серебра в полиэтилентерефталат. / Ю. А. Бумай, В. С. Волобуев, В. Ф. Валеев, Н. И. Долгих, М. Г. Лукашевич, Р. И. Хайбуллин, В. И. Нуждин, В. Б. Оджаев // ЖПС. - 2012. - Т. 79, № 5. - C.781-787.

42. Модификация приповерхностных слоёв плёнок полиэтилентерефталата при облучении г-квантами / Ю. А. Бумай, Д.И. Бринкевич, В.С. Волобуев,

Н. И. Долгих, И.А.Карпович, М. Г. Лукашевич // Вестн. Белорус. гос. ун-та. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2012. - № 3. - С. 41-44.

43. Формирование низкоразмерных структур на полимерной пленке фокусированным ионным пучком / А.А. Харченко, С.Д. Шварков, Е.А. Колесник, М.Г. Лукашевич // Вест. БГУ. Сер I, Физика. Математика. Информатика. - 2012. - № 2. - С. 29-31.

44. Модификация оптических свойств пленок полиамида имплантацией ионов углерода / Ю.А. Бумай, Н.И. Долгих, И.А. Карпович, А.А Харченко, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев // Материалы. Технологии. Инструменты. - 2012-

Вып. 4. - С.70-72.

45. Модификация магнитных свойств пленок полиимида, имплантацией ионов кобальта / А. А. Харченко, М. Г. Лукашевич, В. И. Нуждин , Р. И. Хайбуллин, В. Б. Оджаев // ФТТ. - 2013. -Том 55, вып. 1. - С. 75-80.

46. Суперпарамагнетизм нанокластеров кобальта, полученных ионной имплантацией в пленках полиимида/ А. А. Харченко, М.Г. Лукашевич, В.И. Нуждин, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев // Вестн. Белорус. гос. ун-та. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2013. - № 2. - C. 33-36.

47. Модификация оптических характеристик пленок полиимида при радиационно-термической обработке / Ю.А. Бумай, Д.И. Бринкевич, Н.И. Долгих, И.А. Карпович, А.А. Харченко, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев // Известия НАН Б. - 2013. - № 1. - С. 92-96.

48. Харченко, А.А. Магниторезистивный эффект в оксиде цинка, имплантированном ионами кобальта /А.А. Харченко, М.Г. Лукашевич // Вестн. Белорус. гос. ун-та. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2013. - № 3. - C. 34-38.

49. Correlation of Electronic and Magnetic Properties of Thin Polymer Layers with Cobalt Nanoparticles / A. Kharchenko, M. Lukashevich, V Popok, R. Khaibullin, V. Valeev, V. Bazarov, O. Petracic, A. Wieck and V. Odzhaev // Part. Part. Syst. Char. - 2013. - Vol. 30, № 2. - P. 180-184.

Статьи в сборниках научных трудов

50. Электрофизические свойства кобальтосодержащих углеродных волокон / В. А. Доросинец, М. Г. Лукашевич, В. А. Самуйлов, И. А. Башмаков, Т. Ф. Тихонова // Низкоразмерные системы: сб. научн. тр. / Белорус. гос. ун-т; под ред. В. Ф. Стельмаха и А. К. Федотова. - Минск: Технопринт, 2000. - С. 35 - 39.

51. Перспективные полупроводниковые материалы: физика и технология/ В. А. Доросинец, А. Г. Захаров, Н. М. Лапчук, М. Г. Лукашевич, Н.А. Поклонский, А.Р. Челядинский, В. Ю. Явид, А. М. Янченко// Избранные научные труды БГУ: в 7 т; редкол.: В. М. Анищик (отв. ред.) [ и др. ].- Минск: БГУ, 2001. - Т. 4: Физика. -С. 413 - 434.

52. Двумерная слабая локализация в углеродных волокнах с кластерами кобальта / В. А. Доросинец, И. А. Башмаков, М. Г. Лукашевич,
Т. Ф. Тихонова // Низкоразмерные системы 2: сб. научн. тр. / Гроднен. ун-т; под ред. С. А. Маскевича, В. Ф. Стельмаха и А. К. Федотова. - Гродно: Гр. ун - т, 2002. - С. 75 - 80.

Статьи в сборниках трудов конференций

53. Мазаник, А.А. Влияние имплантации немагнитных ионов на магнитотранспортные характеристики тонких пленок пермаллоя / А. А. Мазаник, Д. А. Скрипка, М. Г. Лукашевич // Взаимод. излучений с тв. телом: матер. IV междунар. конф., Минск, Беларусь, 3 - 5 окт. 2001 г. / БГУ Минск; редкол.: В. М. Анищик ( отв. ред. ) [ и др. ] .- Минск, 2001. - С. 37 - 38.

54. Переход от слабой к сильной локализации при имплантации тонких пленок железа ионами бора и азота / А. А. Мазаник, В.В. Углов, Ю.А. Федотова, Д. А. Скрипка, М. Г. Лукашевич, Б. Хакенброих, M. Холденрид, Г. Mиклиц // Взаимод. излучений с тв. телом: матер. IV междунар. конф., Минск, Беларусь, 3 - 5 окт. 2001 г. / БГУ Минск; редкол.: В. М. Анищик ( отв. ред. ) [ и др. ] .- Минск, 2001. - С. 39 - 40.

55. Технология получения и электрофизические свойства углеродного волокона с нанокластерами металла / И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, М. Г. Лукашевич, Т. Ф. Тихонова // “Современные технологии, материалы, машины и оборудование”: материалы международной научно - технической конференции; Могилев, 15 - 17 мая 2002 г. - Могилев, 2002.-C. 138 - 139.

56. Получение, структура и магнитные свойства нанокластеров кобальта в углеродной матрице / И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, М. Г. Лукашевич,
А. А. Мазаник, Т. Ф. Тихонова // Сб. науч. тр. 10-й Междунар. плесской конф. по магнитным жидкостям; Плесс, Россия, 9 - 12 сентября 2002 г. / Ивановский гос. энергетический ун-т; под ред. Ю. Я. Щелыкалова. - Плесс, 2002.-С. 46 - 50.

57. Электронные процессы транспорта в углеродном волокне, содержащем нанокластеры металлов / М. Г. Лукашевич, И. А. Башмаков,
В. А. Доросинец, Т. Ф. Тихонова // “New electrical and electronic technologies and their industrial implementation”: mater. of III International Symposium; Zakopane, Poland, May 13 - 16, 2003. / Lublin University of Technology;
ed. Pavel Wegierek [ et al. ]. - Zakopane, 2003.- P. 122 - 124.

58. Модификация электронно-транспортных свойств полиимида имплантацией ионов кобальта / М. Г. Лукашевич, В.Н. Попок, В.Б. Оджаев, С.М. Лукашевич, Р. И. Хайбулин, В.В. Базаров // Взаимод. излучений с тв. телом: матер. V Междунар. конф.; Минск, Белоруссия, 6-9 октября 2003 г. / БГУ; редкол.: В. М. Анищик ( отв. ред. ) [ и др. ].- Минск, 2003. - С. 275 - 277.

59. Низкотемпературный магнетизм нанокластеров кобальта в углеродной матрице / М. Г. Лукашевич, И. А. Башмаков, С.М. Лукашевич,
Т. Ф. Тихонова // Сб. науч. тр. 11-й Международной плесской конференции по магнитным жидкостям; Плесc, Россия, 8 - 11 сентября 2004 г. / Ивановский гос. энергетический ун-т; под ред. Ю. Я. Щелыкалова. - Плесс, 2004.- С. 108 - 113.

60. Магниторезонансные свойства нанокластеров кобальта в углеродной матрице / И. И. Азарко, С.М. Лукашевич, В.Б. Оджаев, М. Г. Лукашевич, Т. Ф. Тихонова, И. А. Башмаков // Сб. науч. тр. 11-й Международной плесской конференции по магнитным жидкостям; Плесc, Россия, 8 - 11 сентября 2004 г. / Ивановский гос. энергетический ун-т; под ред. Ю. Я. Щелыкалова - Плесс, 2004. - С. 114 - 117.

61. Lukashevich, M. G. Modification of electron-transport and magnetic properties of polymers by magnetic ions implantation / M. G. Lukashevich, A. Labarta, X. Batlle // Interaction of radiation with solids: proceedings of six International Conference; Minsk, Belarus, September 28-30, 2005 y. / БГУ; редкол.: В. М. Анищик

( отв. ред. ) [ и др. ]. - Мinsk, 2005. - P. 195 - 197.

62. Лукашевич, М. Г. Сравнительный анализ электронно-транспортных свойств композиционных материалов, полученных радиационно-термической модификацией полимерного предшественника и содержащих кластеры немагнитных и магнитных металлов/М. Г. Лукашевич// Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. II Междунар. науч. конф.; Минск, Белоруссия, 5-6 окт. 2006 г. / БГУ; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.)[ и др.] . - Минск, 2006. - С. 34 -38.

63. Модификация статических магнитных свойств полиимида имплантацией ионов кобальта / М. Г. Лукашевич, В. И. Нуждин, Р. И. Хайбулин, В. Б.Оджаев // Взаимод. излучений с тв. телом: Матер.
VII междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007./БГУ; редкол.:
В. М. Анищик ( отв. ред. ) [ и др ]. - Минск, 2007. С. 257 - 258.

64. Оптические свойства полиэтилентерефталата и полиэфирэфиркетона, имплантированных ионами никеля / Ю.А. Бумай, В.С. Волобуев, В.Ф. Валеев, Н.И. Долгих, М.Г. Лукашевич, Ф.А. Нажим, Р.И. Хайбуллин // Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / Белорус. гос. ун-т, Белорус. респ. фонд фундам. исслед. ; редкол.: В.Б Оджаев ( отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2008. - С. 214-217.

65. Магниторезистивный эффект в модифицированных имплантацией ионов железа пленках полиэтилентерефталата, обусловленный доменными стенками / В.С. Волобуев, М.Г.Лукашевич, А.А. Мельников, Р.И. Хайбуллин, В.Ф.Валеев, A. Wieck, В.Б. Оджаев // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф.; Минск, 25-26 сент. 2008 г. / Белорус. гос. ун-т, Белорус. респ. фонд фундам. исслед.; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2008. - С. 196-202.

66. Модификация приповерхностных слоев полиэтилентерефталата и полиимида имплантацией ионов никеля / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, В.Ф. Валеев, В.С. Волобуев, Ф.А. Нажим, М.Г. Лукашевич, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 8-й Междунар. конф., Минск, 23-25 сент. 2009 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В.М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2009. - С. 148-150.

...