Размерно- и спин-зависимый перенос электронов в магнитном поле в полупроводниках и радиационно-термически модифицированных полимерах при переходах диэлектрик–металл
Влияние электрического поля на величину, вид магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта в арсениде галлия и германия Закономерности проявления размерного эффекта в низкотемпературном магнитотранспорте диамагнитных полупроводниковых пленок.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | автореферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 19.08.2018 |
Размер файла | 1,2 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
67. Магнитотранспортные характеристики полиимида, имплантированного ионами кобальта и меди / Ф.А. Нажим, М.Г. Лукашевич, В.В. Базаров, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 8-й Междунар. конф., Минск, 23-25 сент. 2009 г. / Белорус. гос. унт; редкол.: В.М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2009. - С. 186-188.
68. DC and AC electric characterization of PI foils implanted by Cu+ ions / F.A. Najim, M.G. Lukashevich, R.I. Khaibullin, V.I. Nuzhdin, V.B. Odzhaev // Актуальные проблемы физики твердого тела : сб. докл. Междунар. науч. конф., Минск 20-23 окт. 2009 г. : в 3 т. / НАН Беларуси, Науч.-практ. центр НАН Беларуси по материаловедению, Белорус. респ. фонд фундам. исслед. ; редкол.: Н.М. Олехнович [и др.]. - Минск, 2009. - Т. 2. - С. 110-112.
69. Оптические характеристики металлополимерных композитов, синтезированных имплантацией серебра в ПЭТ и ПИ / В.С. Волобуев, Ю.А. Бумай, М.Г. Лукашевич, Ф.А. Нажим, В.И. Нуждин, Р.И. Хайбуллин, В.Б Оджаев // Актуальные проблемы физики твердого тела : сб. докл. Междунар. науч. конф., Минск, 20-23 окт. 2009 г. : в 3 т. / НАН Беларуси, Науч.-практ. центр НАН Беларуси по материаловедению, Белорус. респ. Фонд фундам. исслед. ; редкол.: Н.М. Олехнович [и др.]. - Минск, 2009. - Т. 3. - С. 306-308.
70. Физико-механические свойства пленок полиэтилентерефталата и полиимида, имплантированных ионами Ag+ / С.А. Вабищевич, В.С. Волобуев, Д.И. Бринкевич, М.Г. Лукашевич, Ф.А. Нажим // Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф.; Минск, 23-24 сент. 2010 г. / Белорус. гос. ун-т, Белорус. респ. фонд фундам. исслед. ; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2010.- С. 204-207.
71. Исследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетическими ионами Sb+ фотополимер-кремний / Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, В.С. Волобуев, М.Г. Лукашевич, В.С. Просолович, В.Б Оджаев // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф.; Минск, 23-24 сент. 2010 г. / Белорус. гос. ун-т; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2010. - С. 208-211.
72. Оптические характеристики пленок полиимида, имплантированных ионами бора. / Ю. А. Бумай, Н. И. Долгих, М. Г. Лукашевич, А. А. Харченко, В. Б. Оджаев // Материалы и структуры современной электроники, сборник научных трудов IV международной научной конференции, Минск, 23-24 сентября 2010 г. -Минск, 2010. -С. 201-204.
73. Лабораторное сопровождение специальных курсов лекций по изучению электронных состояний и процессов в наноструктурированных конденсированных средах / Ю. А. Бумай, Н. И. Долгих, М. Г. Лукашевич, А. А. Харченко, В. Б. Оджаев // Материалы и структуры современной электроники, сборник научных трудов IV международной научной конференции, Минск, 23-24 сентября 2010 г. -Минск, 2010. - С. 224-227.
74. Оптические свойства модифицированных имплантацией ионов серебра и бора слоев полиимида / Ю.А. Бумай, Н.И. Долгих, Ф.А. Нажим, А.А. Харченко, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев // Оптика неоднородных структур - 2011 Материалы III Международной научно - практической конференции, Могилев 16-17 февраля 2011 г. / МГУ. -Могилёв, 2011. - С. 182-184.
75. Волобуев, В.С. Электродинамические свойства структур фоторезист-кремний, имплантированных ионами серебра и сурьмы / В.С. Волобуев, А.Н. Олешкевич, М.Г. Лукашевич // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф.; Минск, 10-11 окт. 2012 г. / Белорус. гос. ун-т; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2012. - С. 31-34.
76. Переход диэлектрик-металл при имплантации ZnO ионами кобальта / А.А. Харченко, С.Д. Шварков, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, Р.И. Хайбуллин, М.Г. Лукашевич, A. Wieck, В.Б. Оджаев // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф.; Минск, 10-11 окт. 2012 г. / Белорус. гос. ун-т; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2012. - С. 172-175.
77. Оптические характеристики пленок полиимида, имплантированных ионами никеля/ Ю.А.Бумай, Н.И. Долгих, А.А. Харченко, В.Ф.Валеев, В.И Нуждин, Ф.А. Нажим, В.В.Базаров, Р.И. Хайбуллин М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 10-й Междунар. конф., Минск, 24-27 сент. 2013 г. / Белорус. гос. ун-т; редкол.: В.М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. - Минск, 2013. - С. 163-165.
78. DC and AC electric characterization of Zinc Oxide implanted by Co+ ions / A. Kharchenko, A. Gumariv, S. Shvarkov, Y. Bumai, M. Lukashevich, V. Bazarov V. Valeev V. Nuzhdin, R. Khaibullin, V. Odzhaev// Актуальные проблемы физики твердого тела : сб. докл. Междунар. науч. конф., Минск, 20-23 окт. 2009 г.
: в 3 т. / НАН Беларуси, Науч.-практ. центр НАН Беларуси по материаловедению, Белорус. респ. фонд фундам. исслед. ; редкол.: Н.М. Олехнович [и др.]. - Минск, 2013. - Т. 2. - С. 137-139.
Тезисы
79. Гришанов, В. А. Магниторезистивный датчик, управляемый электрическим полем / В. А. Гришанов, М. Г. Лукашевич // Перспективные материалы твердотельной электроники: тез. докл. конф.; Минск, Белоруссия, 1990 г. : в 2ч. - Минск, 1990.- Ч. 2. - С. 62 - 63.
80. Лукашевич, М. Г. Магниторезистивный преобразователь /
М. Г. Лукашевич, В. А. Савчук, В. Ф. Стельмах // Перспективные материалы твердотельной электроники: тез. докл. конф.; Минск, Белоруссия, 1990 г. :
в 2ч. - Минск, 1990.- Ч. 2. - С. 60 - 61.
81. Лукашевич, М.Г. Магниточувствительные датчики на основе многослойных структур из n - GaAs / М. Г. Лукашевич, В. Г. Мацукевич, Э. Е. Подоксик // Метрология - 94: тез. докл. научно-практ. конф.; Минск, Белоруссия, 1994 г. - Минск, 1994. - С.119 - 120.
82. Камара, М. С. Новые способы регистрации магнитного поля в магнитокриоэлектронике / М.С. Камара, М. Г. Лукашевич, , Э. Е. Подоксик // Метрология - 94: тез. докл. научно-практ. конф.; Минск, Белоруссия, 1994 г. - Минск, 1994. - С.125 - 126.
83. Скрипка, Д. А. Управляемые датчики и способы регистрации магнитного поля при криогенных температурах / Д. А. Скрипка, М. Г. Лукашевич,
// Датчики и преобразователи информации: сб. материалов
ХII научно-практической конференции; Москва, Россия, 2000 г. / МГИЭМ; под. Ред. В.Н.Азарова. - Москва, 2000. - С. 129.
84. Мазаник, А. А. Использование геометрического эффекта в гальваномагнитном датчике на основе ферромагнитной пленки / А. А. Мазаник, М. Г. Лукашевич // Датчики и преобразователи информации: сб. материалов ХII научно-практической конференции; Москва, Россия, 2000 г. // МГИЭМ; под. ред. В.Н.Азарова - Москва, 2000. - С. 128.
85. Лукашевич, М.Г. Геометрический эффект в магнитосопротивлении тонких ферромагнитных пленок / М.Г. Лукашевич, А.А. Мазаник, Д.А. Скрипка// Материалы 8 Международной конференции по физике тонких пленок; Ивано-Франковск, 20 - 22 мая 2001г. - Ивано-Франковск, 2001 - С 206 - 207.
86. Бумай, Ю.А. Осцилляции магнитосопртивления слабо разупорядоченного двумерного газа/ Ю.А. Бумай, М.Г. Лукашевич, Д.А. Скрипка// Материалы 8 Международной конференции по физике токих пленок; Ивано-Франковск, 20 - 22 мая 2001г. - Ивано-Франковск, 2001. - С. 285.
87. Electrical and magnetic properties of cobalt nanoclusters in carbon matrix / I. A. Bashmakov, V. A. Dorosinez, M. G. Lukashevich, T. F. Tihonova, M. Holdenried, D. Hakenbroich, H. Zare - Kolsaraki and H. Micklitz //Abstracts of 7th International Conference on nanometer-scale sciense and technology; Malmo, Sweden, June 24 - 28, 2002. - Malmo, 2002. - P. 3 - 4.
88. Эффекты локализации и взаимодействия в оптических и транспортных характеристиках гетероструктуры GaAs-AlGaAs / Ю. А. Бумай, М. Г. Лукашевич, Д. А. Скрипка, G. Gobsch, R. Goldhahn, N. Stein, H. Micklitz // Материалы 4 Международной конференции по квантовой электронике; Минск, Белоруссия, 18 - 21 ноября 2002 г. / БГУ. - Минск, 2002. - C. 79.
89. Charge carrier transport in polyimide with Co nanoparticles formed by ion implantation / V. Popok, M. Lukashevich, S. Lukashevich, R. Khaibulin,
V. Bazarov // Abstract of 22 International European Conference on Surface Science; Prague, Czech Republic, 7-12 September 2003. - Prague, 2003. - CD № 17347.
90. Транспортные и оптические характеристики слабо разупорядоченного гетероперехода GaAs-AlGaAs / Ю. А. Бумай, М. Г. Лукашевич,
Д. А. Скрипка // Актуальные проблемы физики твердого тела: тез. докладов Международной конференции; Минск, Белоруссия, 4 - 6 ноября 2003 г./ ИФТТ ПП НАН Б; под.ред Н.М Олехновича. - Минск, 2003. - С. 104.
91. Лукашевич, М. Г. Гистерезис магниторезистивного эффекта и рассеяние на доменных границах в тонких ферромагнитных пленках /
М. Г. Лукашевич, А. А. Мазаник // Актуальные проблемы физики твердого тела: тез. докладов Международной конференции; Минск, Белоруссия, 4 -
6 ноября 2003 г./ ИФТТ ПП НАН Б; под.ред. Н.М Олехновича. - Минск, 2003. - С. 53.
92. Отрицательный магниторезистивный эффект в кремнии с включениями редкоземельных элементов/ М. Г. Лукашевич, А. А. Мазаник , Д.И. Бринкевич, В.С. Просолович, Ю.Н. Янковский// Актуальные проблемы физики твердого тела: тез. докладов Международной конференции; Минск, Белоруссия, 4 - 6 ноября 2003 г./ ИФТТ ПП НАН Б; под.ред. Н.М Олехновича. - Минск, 2003. - С. 106.
93. Structure and electrical properties of metall-polimer composites formed by iron and cobalt ion implantation into polyimide /V. B. Odzaev,
M.G. Lukashevich, V.N. Popok, , S. M. Lukashevich, V. V. Ponaryadov, R.I. Khaibulin, V.V. Bazarov // Полимерные композиты, покрытия, пленки: тезисы IV Междун. научн. конф.; Гомель, Белоруссия, 22 - 24 июня 2003 г.- Гомель, 2003. - С. 25 - 26.
94. EPR spectroscopy of carbon fibers with cobalt nanoclusters /
I. I. Azarko, S. M. Lukashevich, V.B. Odzaev,M. G. Lukashevich, T. F. Tichonova, I. A. Bashmakov // Modern development of magnetic resonance: abstracts of the International Conference; Kazan, Russia, August 15 - 20, 2004 - Kazan, 2004. - P. 229 - 230.
95. 3D -2D transition in weak localisation regime for polyimide implanted by cobalt/ V. Odzhaev, V. Popok, S. Lukashevich, M. Lukashevich, R. Khaibulin, V. Bazarov, J. Partyka, P. Wegierek, P. Zukovsky // Ion Implantation and other applications of ion and electrons: abstracts of the V-th International Conference; Kazimier Dolny, Poland, June 14 - 17, 2004 - Kazimier Dolny, 2004. - P. 58.
96. Magnetoresistive effect and impedance spectroscopy of polyimide implanted by cobalt ions / V.N. Popok, M.G. Lukashevich, N.I. Gorbachuk,
V.B. Odzhaev, R.I. Khaibullin, and I.B. Khaibullin // Nanoscale Magnetism: abstr. Int'l Conf.; Gebze, Tyrkey, July 3-7, 2005 - Gebze, 2005. - P. 66.
97. Modification of magnetic properties of polyethyleneterephthalate by implantation of iron ions / M.G. Lukashevich, A. Labarta, X. Batlle, V.B. Odzhaev, V.N. Popok, V. A. Zhikharev, R.I. Khaibullin // Ion Beam Modification of Materials: abstr. 15 Int'l Conf.; Taormina, Italy, September 18-22, 2006. - Taormina, 2006. - P. 354.
98. Электронно-транспортные свойства нанокомпозитных материалов, синтезированных имплантацией ионов магнитных и немагнитных металлов в полимерную пленку / В. С. Волобуев, М. Г. Лукашевич, А. А. Мельников, Р. И. Хайбуллин, В. Ф. Валеев, A. Wieck, В. Б. Оджаев // Наноструктурные материалы - 2008: материалы I междунар. научн. конф., Минск, 22-25 апр. 2008 г. / Белорусская наука: редкол.: П.А. Витязь [и др.].- Минск, 2008. - С.468-469.
99. DC and AC electric characterization of polyethyleneterephthalate foils implanted by Fe+ ions / V.S. Volobuev, M.G. Lukashevich, S.M. Lukashevich, R. I. Khaibullin, V. F. Valeev, and V. B. Odzhaev // VII-th international conference on ion implantation and other applications of ions and electrons. Kazimirerz Dolny, Poland, June 16-19, 2008. - Kazimirerz Dolny, 2008. - С.175.
100. AFM, ESR and optic study of ions implanted photoresist / V.S. Volobuev, F.A. Nazim, P.V. Zukowski, M.G. Lukashevich, V.B. Odzaev // 6th International Conference NEET, Zakopane, Poland, June 23 - 26, 2009. - Zakopane, 2009. - P.144.
101. Structure and electron-transport properties of photoresist implanted by Sb+ ions / N.Vabishchevich, D.Brinkevich, V.Volobuev, M.Lukashevich, V.Prosolovich, Yu.Sidorenko, V.Odzhaev, J.Partyka //VIII-th international conference on ion implantation and other applications of ions and electrons. Kazimirerz Dolny, Poland, June 16-19, 2008. - Kazimirerz Dolny, 2010. - С.137.
102. Наблюдение эффектов дальнодействия при ионной имплантации тонких полимерных пленок полиимида и полиэтилентерефталата. / В.С. Волобуев, М.Г. Лукашевич, Ф.А. Нажим, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, В.Б. Оджаев // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: тез. докл. III Междунар. науч. конф., Нижний Новгород, 26-29 окт. 2010 г. - Нижний Новгород, 2010. - С.114-115.
103. Superparamagnetic behavior of cobalt nanoparticles formed into polyimide by ion implantation / A. A. Kharchenko, M. G. Lukashevich, V. F. Valeev, O. Petracic, R. I. Khaibullin, V. B. Odzhaev, P. Zhukowski, T. N. Koltunowicz // 7th International Conference “New Electrical and Electronic technologies and their industrial Implementation” “NEET 2011”, Zakopane, Poland june 28 - juli 1, 2011.
-Zakopane, 2011. - P.31.
104. Optical Characterisation of nanostructured composite formed by Ag+ implantation into polyethyleneterephthalate / V.S. Volobuev, Y.A. Bumai, N.I. Dolgikh, M.G. Lukashevich, V.F. Valeev, R.I. Khaibullin, V.B. Odzhaev // International Conference Fundamental and Applied NanoElectroMagnetics; Minsk, 22-25 May 2012/ Belarusian state university. - Minsk, 2012. - P. 46.
105. Low-dimentional structures formed on polyimide film by focused beam of Fe+ and Au+ ions / A. A. Kharchenko, E.A. Kolesnik, S. D. Svarkov, M.G. Lukashevich // IV International Conference “Radiation interaction with material and its use in technologies” 2012, Kaunas, Lithuania, May 14-17, 2012. - Kaunas, 2012. - P. 331-333.
106. Surface plasmon resonance in silver nanoparticles formed in polyimide by ion implantation / A.A. Kharchenko, Y. A. Bumai, N. I. Dolgikh, M.G. Lukashevich, V.F. Valeev, R.I. Khaibullin, V.B. Odzhaev // Fundamental and Applied NanoElectroMagnetics “FANEM'12”, conference proceedings, Minsk, May 22-25 2012./ Belarusian State University. - Minsk, 2012. P. 47.
107. Semimetallic and superpara-magnetic behaviour of polyimide implanted with cobalt ions / A. Kharchanka, M. Lukashevich, V. Valeev, O. Petracic,
R. Khaibullin, and V. Odzhaev // “ICPS 2012” 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. - Zurich, 2012. - P. 201.
108. Correlation of magnetic and magneto-transport properties of thin polymer composite layers with cobalt nanoparticles / A. Kharchenko, M. Lukashevich, V. Odzhaev, V. Popok, R. Khaibullin, V. Valeev, V. Bazarov, O. Petracic, A. Wieck // International symposium on small particles and inorganic clusters XVI, program & abstract, ISSPIC XVI, Leuven, Belgium, July 8-13, 2012. - Leuven, 2012. - P. 124.
109. Лукашевич, М.Г. Корреляция электрических, гальваномагнитных и магнитных свойств композитов, полученных имплантацией ионов переходных металлов в полимерные пленки/ М.Г. Лукашевич// Материалы Международной конференции “Поликомтриб 2013”, Гомель, 24-27 июня 2013г. - Гомель, 2013. - С. 24.
110. Correlation between magnetic and electron-trasport properties of cobalt implanted zinc oxide/A.Kharchenko, A.Ludwig, S.Ahvarkov, Y.Bumai, M.Lukashevich, V.Odzhaev, A.Gumarov, V.Nuzhdin, V.Valeev, R.Khaibullin//Abstract book of International Conference on Nanoscale Magnetism. ICNM 2013. Istambul, Turkey, September 01 -06, 2013.- Istambul, 2013.- P.195.
111. Thin Polymer Films with Ion-Synthesised Metal Nanoparticles: Electric and magnetic Properties/ M.G. Lukashevich, V. B. Odzhaev, R. I. Khaibullin B.Rameev, B.Aktas, V.N. Popok //Abstract book of International Conference on Nanoscale Magnetism ICNM 2013, Istambul, Turkey, September 01 - 06, 2013. -Istambul, 2013. -P.12.
Патенты и авторские свидетельства
112. Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком: а.с. 1081576 СССР, МКИ3 G 01 R 33/02. / М. Г. Лукашевич, Т. А. Лукашевич, В. Ф. Стельмах; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № 3498333/18- 21; заявл. 05.10.82; опубл. 23.03.84 // Открытия. Изобрет. - 1984. -№ 11. - С. 159.
113. Магнитометр: пат. 2086 Респ. Беларусь, МПК6 G 01R 33/02 /
М. С. Камара, М. Г. Лукашевич; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № а 105; заявл. 21.01.1993; опубл. 30.03.1998 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 1998. - № 1(16). - С. 125.
114. Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком: пат. 1409 Респ. Беларусь, МПК7 G 01 R 33/02 / М. С. Камара, М. Г. Лукашевич, В. Г. Мацукевич, Э. Е. Подоксик; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № а 1081; заявл. 21.12.1993; опубл. 16.12.1996 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 1999. - № 4 (ч 991). - С. 181.
115. Магнитометр: пат. 3002 Респ. Беларусь, МПК6 G 01R 33/02 /
М. Г.Лукашевич, Г. Миклитц; заявитель Белорусский гос. ун-т.-
№ а 19980062; заявл. 22.01.1998; опубл. 30.09.1999 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 1999. - № 3 (22). - С. 148.
116. Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком: пат. 5306 Респ. Беларусь, МПК6 G01R / М. Г Лукашевич, Д. А. Скрипка, Г. Миклитц, С. Рубин, М. Холденрид; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № а 19991144; заявл. 12.22.1999; опубл. 2001 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. -2001. -№ 2(29). - С. 54.
117. Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком: пат. 5050 Респ. Беларусь, МПК6 G01R / М. Г. Лукашевич, А. А. Мазаник, Д. А. Скрипка; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № а 19991126; заявл. 16.12.1999; опубл. 30.09.2001 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 2001. - № 2(29). - С. 54.
118. Способ линеаризации градуировочной кривой магниторезистивного датчика: пат. 8129 Респ. Беларусь, МПК6 G 01R 33/02, 33/028/ М. Г. Лукашевич, Д. А. Скрипка, Г. Милитц; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № а20010243; заявл. 03.15.2002; опубл. 2002 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 2002. - № 3(34). - С.65.
119. Магнитометр: полезная модель. 1205 Респ. Беларусь, МПК6 G01R / А. И. Белоус, В. А. Емельянов, М. Г. Лукашевич, С. М. Лукашевич; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № и 20030358; заявл. 04.04.2003; опубл. 2006.04.30 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 2003. - № 4(39). - С. 316.
120. Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком: пат. 7944 МПК6 G 01R /А. И. Белоус, В. А. Емельянов, М. Г. Лукашевич, С. М. Лукашевич; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № а 20030115; заявл. 12.02.03; опубл. 2006 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 2006. - № 2(49). - С. 118.
121. Способ получения модифицированного углеродного волокна: пат. 7502 Респ. Беларусь, МПК6 D 01 F 11/02 / И. А. Башмаков, Ф. Н. Капуцкий, М. Г. Лукашевич, Т. Ф. Тихонова, В. А. Доросинец, С. М. Лукашевич; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № а 20020331; заявл. 30.05.2002; опубл. 12.30.2005 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 2005. - № 4(47). - С. 193.
122. Способ определения влажности окружающей среды: пат. 15041 Респ. Беларусь, МПК6 G 01 N 27/02 / М.Г.Лукашевич, В.Б.Оджаев, Н.И.Горбачук, М.И. Ивановская, Д.А.Котиков, Ю.В.Сидоренко; заявитель Белорусский гос. ун-т. - № а 20091775; заявл. 12.11.2009; опубл.30.08.2010 // Афiцыйны бюл. / Дзярж. пат. ведамства Рэсп. Беларусь. - 2011. - № 5(82). - С. 170.
Учебно-методические издания
123. Лукашевич, М. Г. Изучение гальваномагнитных явлений в квантующем магнитном поле. Современные методы исследования полупроводников: учеб.-метод. пособие: в 2ч./ М. Г. Лукашевич. - Минск: Изд-во БГУ, 1988.- 25 c.
124. Лукашевич, М.Г. Изучение гальваномагнитных явлений: методические указания к спецпрактикуму “Физика полупроводниковых материалов”/
М. Г. Лукашевич, А.А. Мазаник, Д.А. Скрипка. - Минск: Изд-во БГУ, 2004. - 39 c.
125. Лукашевич, М. Г. Введение в магнитоэлектронику: курс лекций / М. Г. Лукашевич. - Минск: Изд-во БГУ, 2004. - 69 c.
РЕЗЮМЕ
Ключевые слова: легированный полупроводник, полимер, прыжковая электропроводность, ударная ионизация, переход диэлектрик-металл, cлабая локализация, магнитосопротивление, кластер, двумерный электронный газ.
Цель диссертационной работы: установление закономерностей изменения размерно- и спин-зависимого переноса электронов в магнитном поле в полупроводниках и радиационно-термически модифицированных полимерах при переходах диэлектрик-металл и изменении размерности системы для разработки высокоэффективных сред мезоскопики, магнитоэлектроники и спинтроники, а также новых способов и устройств регистрации магнитного поля.
Методы исследования и аппаратура: электронная микроскопия (Philips CM 300UT-FEG и LEO 1455VP), атомно- и магнитосиловая микроскопия (AFM “AutoProbeCP” и Solver P47), рентгеноструктурный анализ (Siemens D-500), магнитометрия (SQUID Quantum Design XL-5), оптическая спектроскопия (PROSCAN MC-122), измерение температурных зависимостей сопротивления, магнитосопротивления и эффекта Холла (мультиметры KEITHLEY).
Полученные результаты и их новизна: 1) установлено, что при неравновесном электронном переходе, обусловленном ударной ионизацией мелких донорных уровней в арсениде галлия наблюдается смена знака и уменьшение положительного магнитосопротивления, в то время как в германии изменяется только величина положительного магнитосопротивления. Магнитополевая зависимость изменяется от экспоненциальной до параболической. Проведен теоретический расчет магниторезистивного эффекта при дополнительном учете времени релаксации энергии электронов; 2) определены механизмы магниторезистивного эффекта и их размерная зависимость в гетеропереходе GaAs/AlGaAs в режиме слабой локализации при заполнении двух подзон размерного квантования;
3) впервые установлены закономерности перехода диэлектрик-металл и суперпарамагнетик-ферромагнетик в углеродных волокнах и металлополимерных композитах, полученных имплантацией ионов переходных металлов; 4) разработаны и защищены авторскими свидетельствами и патентами новые способы и устройства регистрации магнитного поля.
Область применения: физика низкоразмерных и спин-зависимых электронных состояний и процессов в конденсированных средах, магнитоэлектроника и спинтроника.
Ключавыя словы: легіраваны паўправаднік, палімер, скачковая электраправоднасць, ударная іанізацыя, пераход дыэлектрык-метал, слабая лакалізацыя, магнітасупраціўленне, кластэр, двухмерны электронны газ.
Мэтай дысертацыйнай работы: выяўленне асноўных заканамернасцей змянення размерна- i спiн-залежнага пераносу электронаў у магнiтным полi ў паўправаднiках i радыяцыйна-тэрмiчна мадыфiкаваных палiмерах пры пераходах дыэлектрык-метал i змяненнi рамернасцi сiстэмы з мэтай распрацоўкi высокаэфектыўных асяродзяў мезаскопiкi, магнiтаэлектронiкi i cпiнтронiкi, а таксама новых спосабаў i прылад вымярэння магнiтнага поля.
Метады даследвання і апаратура: электронная мiкраскапiя (Philips CM 300UT-FEG и LEO 1455VP), атомна- и магнiтнасiлавая мiкраскапiя (AFM “AutoProbeCP” i Solver P47), рэнтгенаструктурны аналiз (Siemens D-500), магнiтаметрыя (SQUID Quantum Design XL-5), аптычная спектраскапiя (PROSCAN MC-122), вымярэнне электрычнага супрацiўлення, магнiтасупрац iўлення i эфекта Холла (мультыметры KEITHLEY).
Атрыманыя вынiкi i iх навiзна: 1) Вызначана, што пры нераўнаважным электронным пераходзе, якi выклiкаецца ўдарнай iанiзацыяй мелкiх донарных узроўней у арсенiдзе галiю назiраецца переход ад адмоўнага магнiтарэзiстыўнага эфекту да станоўчага, ў тым часе як у германii змяняецца толькi велiчыня станоўчага магнiтасупрацiўлення. Велiчыня магнiтасупрацiўлення пры пераходзе змяншаецца, а магнiтапалявая залежнасць змяняецца ад экспаненцыяльнай да парабалiчнай. Выкананы тэарэтычны разлiк магнiтарэзiстыўнага эфекту пры ўлiку часу рэлаксацыi энергii электронаў;
2) Устаноўлены механiзмы магнiтасупрацiўлення ў гетэрапераходзе GaAs/AlGaAs у рэжыме слабай лакалiзацыi пры запаўненнi двух падзон размернага квантавання; 3) упершыню вызначаны заканамернасцi пераходу дыэлектрык-метал i суперпарамагнетык-феррамагнетык у вугляродных валокнах i металапалiмерных кампазiтах, атрыманых iмплантацыяй iонаў пераходных металаў; 4) распрацаваны i абаронены пасведчаннямi i патэнтамi новыя спосабы i прыборы вымярэння магнiтнага поля.
Галіна выкарыстання: фiзiка нiзкаразмерных i спiн-залежных электронных станаў i працэсаў у кандэнсаваных асяроддзях, магнiтаэлектронiка i спiнтронiка.
Key words: doped semiconductor, polymer, hopping conductance, impact ionization, metal-insulator transition, weak localization, magnetoresistance, cluster, two-dimensional electron gas.
The main goal of the work: is to determine the regularities of the size- and spin-dependent electron transport in magnetic field in semiconductors and radiation-thermal modified polymers at insulator to metal transition and change dimention of system to develop higheffisient media for mesoscopic, magnetoelectronic and spintronic as well as new sensors and device for magnetic field measurement.
Methods of investigation and facilities:electron microscopy (Philips CM 300UT-FEG and LEO 1455VP), atomic and magnetic force microscopy (AFM “AutoProbeCP” and Solver P47), X-ray diffraction analysis (Siemens D-500),optical spectrofotometry (PROSCAN MC-122), measurements of electrical and galvanomagnetic properties (myltimeters KEITHLEY).
Obtained results and their novelty:1) The transition from negative to positive magnetoresistive effect is experimentally found for the non-equilibrium electron transition caused by impact ionization of shallow donor impurity levels in GaAs. At the same time only the change of the positive magnetoresistance magnitude is observed in Ge under the same conditions. The magnitude of the positive magnetoresistance in weakly doped GaAs crystals decreases at the transition. The magnetic field dependence changes from exponential to parabolic. Theoretical calculations of the magnetoresistive effect are carried out for the charges transport by the non-equilibrium electrons taking into account the energy relaxation time; 2) mechanisms of the magnetoresistive effect are determined for the weakly disordered two-dimensional electron gas of the heterojunction GaAs/AlGaAs at weak localization regime and occupation of two dimentional quantized sub-bands; 3) for the first time the regularities of the metal-insulator transition and superparamagnetic-ferromagnetic transition are established for the carbon fibers аnd metal-polymer composites formed by implantation of metal ions; 4) based on these regularities new methods and devices for magnetic field measurement are developed.
Applications areas: physics of lowdimentional and spin-depended electron states and processes in the condensed matters, magnetoelectronic and spintronic.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Ознакомление с основами движения электрона в однородном электрическом поле, ускоряющем, тормозящем, однородном поперечном, а также в магнитном поле. Анализ энергии электронов методом тормозящего поля. Рассмотрение основных опытов Дж. Франка и Г. Герца.
лекция [894,8 K], добавлен 19.10.2014Магниторезистивный эффект (магнетосопротивление) — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Качественное объяснение эффекта. Тензор проводимости двумерного дырочного газа в магнитном поле и отрицательное магнетосопротивление.
контрольная работа [208,7 K], добавлен 21.02.2009Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитном полях, между плоскопараллельными электродами в однородном электрическом поле. Особенности движения в ускоряющем, тормозящем полях. Применение метода тормозящего поля для анализа энергии электронов.
курсовая работа [922,1 K], добавлен 28.12.2014Действие магнитного поля. История открытия эффектов Холла, Эттингсгаузена, Нернста и Риги-Ледюка. Количественная теория гальваномагнитных явлений. Техническое применение эффекта магнетосопротивления. Изменение траекторий носителей в магнитном поле.
реферат [570,0 K], добавлен 02.03.2013Сущность внутреннего фотоэффекта. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Измерение фотоэлектромагнитного эффекта. Особенности p-n переходов в полупроводниках, барьер Шоттки для электронов.
курсовая работа [788,8 K], добавлен 27.11.2013Характеристика движения электронов: в вакууме, в однородном электрическом, ускоряющем, тормозящем, поперечном, магнитном полях. Использование уравнения Лапласа для описания аналитической картины электрического поля в пространстве, свободном от зарядов.
курсовая работа [883,5 K], добавлен 27.10.2011Появление вихревого электрического поля - следствие переменного магнитного поля. Магнитное поле как следствие переменного электрического поля. Природа электромагнитного поля, способ его существования и конкретные проявления - радиоволны, свет, гамма-лучи.
презентация [779,8 K], добавлен 25.07.2015Исследование особенностей движения заряженной частицы в однородном магнитном поле. Установление функциональной зависимости радиуса траектории от свойств частицы и поля. Определение угловой скорости движения заряженной частицы по круговой траектории.
лабораторная работа [1,5 M], добавлен 26.10.2014Работа сил электрического поля при перемещении заряда. Циркуляция вектора напряжённости электрического поля. Потенциал поля точечного заряда и системы зарядов. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля. Эквипотенциальные поверхности.
реферат [56,7 K], добавлен 15.02.2008Природа и виды ионизирующих излучений. Взаимодействие электронов с веществом. Торможение атомных ядер. Зависимость линейного коэффициента ослабления гамма-излучения в свинце от энергии фотонов. Диффузия в структуре полупроводник-металл-диэлектрик.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 12.04.2012Физические процессы, лежащие в основе электронной оже-спектроскопии (ЭОС). Механизмы ЭОС, область ее применения. Относительная вероятность проявления оже-эффекта. Глубина выхода оже-электронов. Анализ тонких пленок, преимущества ионного распыления.
реферат [755,3 K], добавлен 17.12.2013Способность диэлектриков проводить электрический ток, характер движения электронов, переходы. Определения механизма проводимости — наблюдение тока в магнитном поле, определение знака термоэлектродвижущей силы. Проводимость первого и второго порядка.
реферат [18,4 K], добавлен 20.09.2009Эквивалентность движения проводника с током в магнитном поле. Закон Фарадея. Угловая скорость вращения магнитного поля в тороидальном магнитном зазоре. Фактор "вмороженности" магнитных силовых линий в соответствующие домены ферромагнетика ротора, статора.
доклад [15,5 K], добавлен 23.07.2015Структурная схема эффекта Поккельса - изменения показателя преломления вещества под действием внешнего электрического поля. Характеристики ячеек Поккельса. Условия эксплуатации оптико-электронного трансформатора напряжения. Погрешность его измерения.
реферат [130,5 K], добавлен 19.05.2014Поиск местонахождения точки заряда, отвечающей за его устойчивое равновесие. Нахождение зависимости напряженности электрического поля, используя теорему Гаусса. Подбор напряжения и заряда на каждом из заданных конденсаторов. Расчет магнитной индукции.
контрольная работа [601,8 K], добавлен 28.12.2010Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.
презентация [2,4 M], добавлен 20.04.2016Электромагнитное поле. Система дифференциальных уравнений Максвелла. Распределение потенциала электрического поля. Распределения потенциала и составляющих напряженности электрического поля и построение графиков для каждого расстояния. Закон Кулона.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 12.05.2016Квантово-механическая картина строения атома. Квантовые числа. Пространственное квантование. Спин электрона. Суть опыта Штерна и Герлаха. Эффект Зеемана. Расщепление энергетических уровней в магнитном поле. Орбитальный магнитный момент. Проекция спина.
презентация [3,7 M], добавлен 07.03.2016Магнитное поле — составляющая электромагнитного поля, появляющаяся при наличии изменяющегося во времени электрического поля. Магнитные свойства веществ. Условия создания и проявление магнитного поля. Закон Ампера и единицы измерения магнитного поля.
презентация [293,1 K], добавлен 16.11.2011Роль затравочных электронов лавины. Набор энергии электроном в осциллирующем поле. Пороги пробоя и зависимость от давления. Физические представления об оптическом пробое идеальных диэлектриков. Его тепловой механизм. Влияние первичных электронов.
реферат [547,2 K], добавлен 26.08.2015