Наноструктури на поверхні та в приповерхневих шарах широкозонних напівпровідників 6H-SiC, BN та ZnS, сформовані імпульсним лазерним опроміненням

Рубрика	Физика и энергетика
Вид	автореферат
Язык	украинский
Дата добавления	20.07.2015
Размер файла	81,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Подобные документы

• Термонапружений стан частково прозорих тіл з порожнинами за теплового опромінення

  Математична модель, яка включає замкнуту систему рівнянь і співвідношень, що описують зумовлений зовнішнім тепловим опроміненням термонапружений стан частково прозорого тіла. Визначення параметрів електромагнітного випромінювання і термонапруженого стану.
  
  автореферат [66,8 K], добавлен 10.04.2009
  

• Термоелектричні властивості кристалів плюмбум телуриду

  Характеристики та класифікація напівпровідників. Технологія отримання напівпровідників. Приготування полікристалічних матеріалів. Вплив ізохорного відпалу у вакуумі на термоелектриці властивості і плівок. Термоелектричні властивості плюмбум телуриду.
  
  дипломная работа [4,4 M], добавлен 09.06.2008
  

• Загальна характеристика напівпровідникових матеріалів

  Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
  
  курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011
  

• Вплив процесів деформування на поверхневий шар металів

  Суть процесу формування верхнього шару металу в умовах пружної і пластичної деформації. Дослідження структурних змін і зарядового рельєфу поверхні при втомі металевих матеріалів. Закономірності формування енергетичного рельєфу металевої поверхні.
  
  курсовая работа [61,1 K], добавлен 30.06.2010
  

• Електропровідність напівпровідників. Власна і домішкова провідність напівпровідників. Напівпровідниковий діод. Застосування напівпровідникових приладів

  Навчальна програма для загальноосвітніх шкільних закладів для 7-12 класів по вивченню теми "Напівпровідники". Структура теми: електропровідність напівпровідників; власна і домішкова провідності; властивості р-п-переходу. Складання плану-конспекту уроку.
  
  курсовая работа [3,2 M], добавлен 29.04.2014
  

• Фізико-технологічні основи процесів пайки

  Характеристика основних даних про припої та їх використання. Особливості пайки напівпровідників, сполук припоїв і режимів пайки германія й кремнію. Сполуки низькотемпературних припоїв, застосовуваних при пайці германія й кремнію. Паяння друкованих плат.
  
  курсовая работа [42,0 K], добавлен 09.05.2010
  

• Зонна теорія електропровідності напівпровідників

  Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
  
  курсовая работа [1002,2 K], добавлен 24.06.2008
  

• Взаємодія іонізуючого випромінювання з речовинами

  Проходження важких ядерних заряджених частинок через речовину. Пробіг електронів в речовині. Проходження позитронів через речовину. Експозиційна, поглинена та еквівалентна дози. Проходження нейтронів через речовину. Методика розрахунку доз опромінення.
  
  курсовая работа [248,4 K], добавлен 23.12.2015
  

• Біологічна дія іонізуючого випромінювання

  Процеси взаємодії іонізуючого випромінювання з речовиною клітин. Біологічна дія іонізуючих випромінювань. Етапи розвитку променевої хвороби. Деякі міри захисту від зовнішнього і внутрішнього опромінення. Характер радіаційного впливу на живий організм.
  
  реферат [81,7 K], добавлен 12.04.2009
  

• Метод підсилення пасивації дефектів напівпровідників

  Визначення методу підсилення пасивації дефектів для покращення оптичних та електричних властивостей напівпровідників. Точкові дефекти в напівпровідниках та їх деформація. Дифузія дефектів та підсилення пасивації дефектів воднем за допомогою ультразвуку.
  
  курсовая работа [312,3 K], добавлен 06.11.2015
  

• Расчет параметров воздействия лазерного излучения на органы зрения

  Расчет параметров воздействия отраженного или рассеянного лазерного излучения на органы зрения персонала, который обслуживает лазерные установки. Применение лазерного излучения в медицине. Параметры лазерного пучка, преобразованного оптической сиcтемой.
  
  дипломная работа [1,5 M], добавлен 20.07.2015
  

• Теорія електропровідності напівпровідників та твердих тіл

  Елементи зонної теорії твердих тіл, опис ряду властивостей кристала. Постановка одноелектронної задачі про рух одного електрона в самоузгодженому електричному полі кристалу. Основні положення та розрахунки теорії електропровідності напівпровідників.
  
  реферат [267,1 K], добавлен 03.09.2010
  

• Експериментальні методи вивчення електронної структури шаруватих напівпровідників

  Дослідження стану електронів за допомогою фотоелектронної й оптичної спектроскопії. Аналіз електронної й атомної будови кристалічних і склоподібних напівпровідників методами рентгенівської абсорбційної спектроскопії. Сутність вторинної електронної емісії.
  
  реферат [226,5 K], добавлен 17.04.2013
  

• Исследование физических явлений в диэлектрических жидкостях инициируемых лазерным излучением

  Взаимодействие лазерного излучения с атомами. Пробой жидкостей под действием лазерного излучения. Туннельный эффект в лазерном поле. Модель процессов ионизации вещества под воздействием лазерного излучения. Методика расчета погрешностей измерений.
  
  дипломная работа [7,4 M], добавлен 10.09.2010
  

• Автоматизація установки ультрафіолетового опромінення УО-4

  Вибір комукаційно-захисних апаратів і щитів. Командні та сигнальні апарати. Складання специфікації на світлотехнічне обладнання, провідники і матеріали. Показники економічної ефективності від автоматизації установки ультрафіолетового опромінення УО-4.
  
  курсовая работа [499,6 K], добавлен 02.04.2014
  

• Фізика напівпровідників

  Оцінка ймовірності знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі. Визначення положення рівня Фермі, розрахунок температурної залежності власної концентрації носіїв заряду у вихідному напівпровіднику та побудова графіка.
  
  контрольная работа [2,8 M], добавлен 18.12.2009
  

• Механизмы действия высокоинтенсивного лазерного излучения на биологические ткани

  Принцип работы лазера. Классификация современных лазеров. Эффекты, в виде которых в тканях организма реализуется биологическое действие высокоинтенсивного лазерного излучения. Действующие факторы лазерного излучения. Последствия действия светового потока.
  
  презентация [690,8 K], добавлен 19.05.2017
  

• Гіперзвук та його властивості

  Область частот гіперзвуку, його природа і шкала дії. Поширення гіперзвуку в твердих тілах. Механізм поширення гіперзвуку в кристалах напівпровідників, в металах. Взаємодія гіперзвуку зі світлом. Сучасні методи випромінювання і прийому гіперзвуку.
  
  реферат [14,5 K], добавлен 10.11.2010
  

• Розрахунок гідростатичних і трубопровідних систем

  Визначення гідростатичного тиску у різних точках поверхні твердого тіла, що занурене у рідину, яка знаходиться у стані спокою. Побудова епюр тиску рідини на плоску і криволінійну поверхні. Основні рівняння гідродинаміки для розрахунку трубопроводів.
  
  курсовая работа [712,8 K], добавлен 21.01.2012
  

• Рентгеноструктурний аналіз молибдену

  Розповсюдження молібдену в природі. Фізичні властивості, отримання та застосування. Структурні методи дослідження речовини. Особливості розсіювання рентгенівського випромінювання електронів і нейтронів. Монохроматизація рентгенівського випромінювання.
  
  дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.01.2010
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к подобным работам