Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов
Феноменологические модельные представления о механизме генерации неравновесных точечных дефектов и теория количественных оценок. Анализ термодинамических стимулов такой генерации и оценка кинетических факторов, при которых процесс может быть реализован.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 02.03.2018 |
| Размер файла | 2,8 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
16. Italyantsev A.G. Solid-phase reaction on silicon surface. Accompanying processes.
J. Appl. Phys., 79 (5), 1996, pp.2369-2375.
17. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Possible mechanism of the stress evolution and point defects generation during the solid phase epitaxial silicides growth. Mat. Res.Soc.Symp.Proc., 1990, v.238, pp.90-96.
18. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Point defects generation at the silicon-growing silicide layer interface. Proc. Thir. Int.Conf. «Metallization in ULSI Application», Murray Hill, NJ, 1991, pp.181-187.
19. Итальянцев А.Г. Взаимодействие собственных точечных дефектов с их кластерами в элементарных полупроводниках при внешних воздействиях. В сб.: «VI Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок», Новосибирск, 1982, т.II, с.19-20.
20. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Темпер Э.М. Химическая стимуляция перестройки дефектов в кремнии. В сб.: Всесоюзная конференция по радиационной физике полупроводников и родственных материалов, Ташкент, 1984, с.179.
21. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Ерохин Ю.Н. Роль индуцированных светом электрических полей в фотостимулированных перестройках радиационных дефектов в полупроводниках. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.127.
22. Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г., Кузнецов А.Ю., Краснобаев Л.Я. Взаимное влияние отжига ионно-имплантированных слоев и образования силицидов металлов. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.129.
23. Итальянцев А.Г., Митюхляев В.Б., Пащенко П.Б., Файфер В.Н. Свойства ионно-легированных слоев GaAs, подвергнутого предварительному термохимическому воздействию. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.130.
24. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Пащенко П.Б. Влияние предварительно сформированного фона собственных дефектов на характеристики ионно-имплантированных полупроводников. В сб.: Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987, с.132.
25. Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю. Особенности формирования силицидов металлов при сильном пересыщении кристалла собственными точечными дефектами. В сб.: XII Всесоюзная конференция по микроэлектронике, Тбилиси, 1987, т.VII, с. 71-72.
26. Итальянцев А.Г. Условия легирования полупроводников неравновесными термохимическими вакансиями. В сб.: Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования. Москва, 1988.
27. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю., Мордкович В.Н., Хмельницкий С.Г. Эффекты в полупроводниках при введении неравновесных вакансий. В сб.: Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования. Москва, 1988.
28. Итальянцев А.Г., Михайлов Г.Б., Мордкович В.Н. О трансформации дефектов структуры в ионно-имплантированных полупроводниках при импульсном отжиге. В сб.: « 7 Международная конференция по ионной имплантации в полупроводниках и других материалах», Вильнюс, 1983, с.127-128.
29. Итальянцев А.Г. Эффекты в кремнии, обусловленные химическими реакциями на его поверхности. В сб.: « 5 Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностике кремния, нанолегированных структур и приборов на его основе «Кремний - 2008», Черноголовка, 2008, с.159.
30. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Peculiarities of defect rearrgement in semiconductor structure upon pulse photon annealing. International Conf. EPM-87, Dresden, GDR, 1987, p.4.15.
31. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N., Krasnobaev L.Y. The effect of chemical action on the impurity behavior in highly irradiated in implanted layers. International Conference EPM-87, Dresden, GDR, 1987, p.10.7.
32. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Chemical stimulated defect rearrgement in GaAs structure. International Conf. E-MRS-87, Strasbourg, France, 1987, p.B-1.6.
33. Italyantsev A.G., Mordkovich V.N. Photoinduced defect rearrgement in ion-implanted silicon. International Conf. E-MRS-87, Strasbourg, France, 1987, p.A-1.5.
34. Buravlev A.V., Vjatkin A.F., Italyantsev A.G., Krasnobaev L.Y., Mordkovich V.N. Solid phase epitaxial regrowth of amorphus ion implanted Si layers in the presence of point defects flow. Thesises of Reports International Conf. IBMM-88, Japan.
35. Buravlev A.V., Italyantsev A.G., Vasin A.S. A new solid-phase recrystallisation effect of ion amorfphized Si under high pressure. Internation Conference on ion implantation and ion beam equipment (I3BE), 1990, Elenita, Bulgaria.
36. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Computer simulation of the point defects distribution, injected into silicon through the advancing silicide-silicon interfase. CAMCE-92, 1992, p.127, Yokogava, Japan.
37. Italyantsev A.G., Kuznetsov A.Yu. Vacancy flux enhanced diffusion of Sb in n+-n-Me structures during surface silicides formation: new experimental data and quantitative model. MRS Spring Meeting, 1992, p.91.
38. Еnisherlova К.L., Italyantsev A.G., Tkacheva T.M. The thermodynamical model of the internal guttering in Si. 11th Scintific and Business Conference “Silicon 2008”, November, 2008, pp.257-269.
39. Смульский А.С., Мордкович В.Н., Итальянцев А.Г. Авторское свидетельство № 820528, приоритет от 21.12.1979. Способ создания структур Si-SiO2.
40. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Енишерлова К.Л., Иноземцев С.А. Авторское свидетельство №1088593 с приоритетом от 19.11.1982. Способ термообработки кремния и кремниевых структур.
41. Курбаков А.И., Трунов В.А., Рубинова Э.Э. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Смульский А.С., Вахрушев С.Б., Квятковский Б.Е. Авторское свидетельство №1195831 с приоритетом от 07.04.1984. Способ изготовления монохроматоров тепловых нейтронов из монокристаллического кремния.
42. Аветесян Г.Х., Кузнецов Ю.А., Итальянцев А.Г. Авторское свидетельство №257176 с приоритетом от 27.03.1986. Способ изготовления мишеней видиконов на основе фосфида галлия.
43. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н., Вяткин А.Ф., Копецкий Ч.В., Пащенко П.Б. Авторское свидетельство с приоритетом от 18.11.1986. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического GaAs.
44. Смульский А.С., Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Новая методика ликвидации ростовых и технологически вносимых дефектов структуры кремния при создании ПЗС. В сб.: «Приборы с зарядовой связью. Технология и применение», Москва, 1983, с.32-33.
45. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Ускоренный распад кластеров собственных точечных дефектов при импульсном нагреве кристалла. Препринт Института проблем технологии микроэлектроники АН СССР. Черноголовка, 1986, 25 с.
Размещено на Allbest.ru
...Подобные документы
Контроль рельефа поверхности и оценка размера трёхмерных дефектов. Кривизна полос. Оптическая схема микроинтерферометра Линника. Интерферограммы. Ход лучей в системе "плёнка-подложка" при измерении толщины плёнки. Метод отражательной интерференции.
реферат [1,4 M], добавлен 15.01.2009Общая характеристика работы лазеров. Рассмотрение импульсного "режима свободной генерации", генерации "пичков". Подробное изучение методов получения коротких мощных импульсов излучения лазера с использованием режима модуляции добротности резонатора.
реферат [123,4 K], добавлен 21.08.2015Расчет реакции цепи на воздействие произвольной формы. Импульсная характеристика цепи. Cхема автогенератора и график колебательной характеристики. Крутизна характеристики транзистора, при которой наступит самовозбуждение автогенератора. Частота генерации.
аттестационная работа [461,5 K], добавлен 20.02.2009Физические принципы генерации гармонических СВЧ-сигналов широкополосных каналов связи. Базовая конструкция оптоэлектронных генераторов. Расчет мощности нелинейной генерации в планарных структурах с областями модулированной диэлектрической проницаемости.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 18.06.2014Условия возникновения генерации синусоидальных сигналов. Обзор генераторов гармонических колебаний. Схема моста Вина. Формулы расчета элементов генераторов. Разработка RC-генератора с фазовращателем на операционном усилителе с частотой генерации 2 кГц.
курсовая работа [144,8 K], добавлен 21.10.2014Сущность метода частотно-фазовой автоматической подстройки частоты в тракте формирования и генерации радиопередающего устройства. Фазовый анализ генератора Мейснера. Способы улучшения динамических свойств системы и повышения ее помехоустойчивости.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 10.01.2014Процесс электрографии на фильтрованной бумаге. Электрофорез – движение заряженных частиц, находящихся в виде суспензии в жидкости. Декорирование с помощью коронного разряда. Сравнительная оценка параметров электрохимических методов обнаружения дефектов.
реферат [926,5 K], добавлен 03.02.2009Сущность и классификация методов обработки поверхности. Методы сухой очистки. Процесс плазмохимического травления. Схема вакуумной камеры диодного типа для плазмохимического травления непосредственно в плазме. Очистка поверхности газовым травлением.
реферат [536,7 K], добавлен 15.01.2009Произведение сравнительной характеристики извещателей охранных точечных магнитоконтактных ИО102-20 и ИО102-26 "Аякс". Принципы построения и технические характеристики интегрированной системы безопасности "ОРИОН". Расчет бесперебойного электропитания.
контрольная работа [1,6 M], добавлен 17.11.2015Описание конструкции оптического квантового генератора типа ЛГ-75. Методы юстировки, их характеристика. Оценка критического угла разъюстировки для одного из гелий-неоновых лазеров. Юстировка с помощью диоптрийной трубки, особенности данного процесса.
лабораторная работа [61,1 K], добавлен 05.06.2014Заготовки оптических деталей из оптического стекла. Глубина залегания дефектов на поверхности прессованной заготовки. Процесс обработки оптических деталей. Шлифование свободным абразивом. Шлифование закрепленным абразивом. Полирование. Припуски операционн
реферат [1,2 M], добавлен 29.11.2008Анализ цепи во временной области методом переменных состояния при постоянных воздействиях. Поиск точных решений уравнений состояния. Метод Эйлера. Построение точных и численных решений. Анализ цепи операторным методом при апериодическом воздействии.
курсовая работа [607,1 K], добавлен 05.11.2011Лазерные фототелеграфные устройства. Факсимильные аппараты. Фазирование передающего и принимающего аппаратов. Избыточность факсимильного сообщения. Упрощенная схема участвующих в генерации уровней энергии в аргоновом лазере с водяным охлаждением.
контрольная работа [81,6 K], добавлен 21.02.2009Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
лабораторная работа [3,4 M], добавлен 31.10.2009Микропроцессорное вычислительное устройство для обработки информации и управления в составе радиотехнической системы. Формирование программы генерации "пилы". Преобразование цифрового сигнала в аналоговый с помощью цифро-аналогового преобразователя.
курсовая работа [31,0 K], добавлен 23.02.2013Сравнительный анализ кристаллических иттербий-эрбиевых сред для полуторамикронных лазеров. Пороги генерации сенсибилизированной трехуровневой лазерной среды. Способы получения образцов кристалловолокон на основе ниобата лития. Метод лазерного разогрева.
дипломная работа [2,7 M], добавлен 02.09.2015Экспериментальное исследование схемы автоколебательных мультивибраторов на транзисторах и интегральных микросхемах. Измерение тока коллектора с помощью осциллографа. Факторы, ограничивающие величину максимальной частоты генерации мультивибраторов.
лабораторная работа [87,9 K], добавлен 18.06.2015Открытие жидких кристаллов. Сфера применения жидких кристаллов. Дисплеи на жидких кристаллах. Изготовление интегральных схем. Жидкокристаллические телевизоры. О будущих применениях жидких кристаллов. Жидкокристаллические фильтры.
реферат [42,0 K], добавлен 08.04.2005Разработка структуры многопроцессорного вычислительного комплекса с многовходовым оперативным запоминающим устройством. Характеристика структурной схемы МПВК: блок генерации сигналов, блок микропроцессора, блок сопряжения, памяти и контроллеров пуска.
курсовая работа [594,1 K], добавлен 25.12.2010Разработка схемы алгоритма программной генерации сигнала заданной формы. Обоснование назначения отдельных блоков программы, описание ее работы в целом. Формирование последовательности из трех пилообразных импульсов с заданным временем паузы и нарастания.
контрольная работа [28,0 K], добавлен 25.05.2015
