Оптимізація умов отримання напівпровідникових кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe(Te) та детекторів на їх основі
Встановлення рівня забруднення сполуки CdTe хімічними домішками в процесі отримання кристалів. Методики отримання детекторів іонізуючих випромінювань й оптоелектронних пристроїв. Вплив умов хімічної обробки кристалів ZnSe на параметри діодів Шоттки.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 28.08.2015 |
| Размер файла | 52,0 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.
отчет по практике [1,0 M], добавлен 02.10.2014Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі
контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011Вимоги до технології 4G. Місце LTE у світі. Зростання абонентських пристроїв з підтримкою LTE. Отримання ліцензій про користуванням радіочастотним ресурсом України для впровадження технології 3G IMT-2000 (UMTS). Мінімальна швидкість передачі даних.
презентация [1,0 M], добавлен 06.11.2016Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014Отримання аналітичного виразу для емпіричної характеристики підсилювача постійної напруги шляхом обробки результатів багаторазових вимірювань. Послідовність оцінювання похибки вивчення емпіричної залежності з урахуванням похибки засобу вимірювання.
курсовая работа [2,5 M], добавлен 15.03.2012Фізичні основи будови та принцип дії напівпровідникових приладів. Класифікація та характеристики підсилювальних каскадів. Структурна схема та параметри операційних підсилювачів. Класифікація генеруючих пристроїв. Функціональні вузли цифрової електроніки.
курсовая работа [845,3 K], добавлен 14.04.2010Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.
курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012Поняття та призначення детектора, їх різновиди та структура, основні частини, фізичні основи роботи, характеристики. Дробовий шум, його сутність та причини виникнення, методи запобігання. Відношення сигнал/шум, біт/помилка. Визначення часу відгуку.
реферат [50,3 K], добавлен 22.11.2010Види пристроїв синхронізації. Принципи фізичної реалізації стандартів частоти. Параметри сигналів на виходах пристроїв синхронізації. Дослідження зв'язку фази і частоти сигналу при дрейфі частоти. Вплив просковзування на якість передачі інформації.
курсовая работа [898,0 K], добавлен 01.10.2015Розрахнок підсилювача імпульсних сигналів на транзисторах. Вибрані транзистори і прийнята схема забезпечують отримання заданих параметрів без застосування високочастотної корекції. Кількість підсилювальних каскадів є оптимальною з технічних міркувань.
реферат [666,1 K], добавлен 18.01.2011Формування електричного кола із заданою конфігурацією. Проведення аналізу перехідних процесів для отримання дискретного сигналу. Обчислення інтегралу та перехідної від напруги. Визначення математичного очікування, відхилення, дисперсії та потужності.
контрольная работа [2,3 M], добавлен 10.05.2013Особливості конструювання і виготовлення екранів з волокнистих матеріалів, висока технологічність таких виробів. Отримання комплексної нитки введенням мікродроту. Залежність амплітудно-частотної характеристики ефективності екранів від будови полотна.
реферат [1,2 M], добавлен 10.12.2014Головні шляхи отримання інформації в оптичному каналі: візуальне спостереження, фото-відеозйомка, використання видимого та інфрачервоного діапазонів для передачі інформації від приховано встановлених мікрофонів та інших датчиків. Прилади нічного бачення.
доклад [16,0 K], добавлен 06.11.2016Отримання карти нулів та полюсів, амплітудно-частотної, фазо-частотної (АЧХ та ФЧХ) та імпульсної характеристик функції аналітично засобами програми Matlab. Основна смуга частот. Аналіз АЧХ та ФЧХ по карті нулів та полюсів. Побудова структурної схеми.
контрольная работа [432,9 K], добавлен 17.01.2014Огляд математичних моделей елементарних сигналів (функції Хевісайда, Дірака), сутність, поняття, способи їх отримання. Динамічний опис та енергетичні характеристики сигналів: енергія та потужність. Кореляційні характеристики детермінованих сигналів.
курсовая работа [227,5 K], добавлен 08.01.2011Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011Історія назви кремнію, його поширення в природі, хімічні та фізичні властивості. Основні властивості діелектрика. Отримання промислового кремнію. Виробництво напівпровідникової техніки. Розрахунок кількості заряду в залежності від площі та густини заряду.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 13.12.2013Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014Впровадження автоматизованої системи комерційного обліку електроенергії, її переваги, основні функції, склад, організиція роботи та програмне забезпечення. Система обліку та отримання розрахункових даних. Підсистема відображення даних та конфігурації.
реферат [93,8 K], добавлен 12.05.2009
