Результаты легирования примесями различных групп Периодической системы и отжигов в различных атмосферах свидетельствовали о том, что примеси, вводимые в пленки, оказывали влияние не только на соответствующие электрофизические характеристики микрокристаллических пленок, но и на характер структурных превращений в них в процессе рекристаллизации. Легирование примесями, проявляющими акцепторные свойства, инициировало рекристаллизацию и увеличение размеров кристаллитов в микрокристаллических пленках широкозонных соединений A²B⁶, а донорными - приводило к обратному эффекту.

Приборы с применением рекристаллизованнных пленок CdSe(Ag) и CdSe(Cu). На основе проведенных исследований в качестве основы для фоточувствительных слоев передающих трубок типа «видикон» были выбраны микрокристаллические пленки CdSe, легированные серебром и медью. Наличие сверхлинейной характеристики фотопроводимости при комнатной температуре в рекристаллизованных пленках позволяло рассчитывать на создание на их основе прибора передающего изображение с высоким контрастом полутонов, а малоинерционные кинетические характеристики фотопроводимости таких пленок и практически полное отсутствие остаточной проводимости (ОП) при комнатной температуре позволяли рассчитывать на возможность качественной передачи с помощью приборов данного типа цветного изображения.

С применением каждого типа примеси были изготовлены три серии телевизионных передающих трубок (видиконов), фоточувствительные слои в которых отличались условиями напыления основного состава селенида кадмия. Первая группа состояла из легированных с помощью имплантации пленок, содержащих незначительный избыток кадмия (ат% Se /ат % Cd не менее 0,8), вторая - указанное соотношение было близко к 1, третья - пленки были с избытком селена и соотношение компонент было близко к 1,2. Сравнивали основные параметры приборов: темновой ток(I_темн), ток сигнала (I_сигн), фотоэлектрическую инерционность (ф) и напряжение на сигнальной пластине(U_с.п.)_. Приборы, фоточувствительный слой которых содержал избыток кадмия, имели сигнал значительно меньше нормы (1 группа) и этот результат не зависел условий последующего отжига, характера рекристаллизации и дозировки легирующей примеси. С другой стороны, приборы первой группы, легированные серебром, обладали минимальной инерционностью (~1 -2%). С увеличением содержания селена в фотослое в приборах увеличивался ток сигнала и фотоэлектрическая инерционность (образцы 2 группы). Дальнейшее увеличение содержания селена в пленках не приводило к увеличению тока сигнала, однако значительно увеличивало инерционность (>35-40%) приборов (образцы 3 группы). Инерционность и темновой ток видиконов на основе пленок легированных серебром для всех групп приборов была ниже, чем у приборов, легированных медью. Было замечено, что обработка легированных пленок селенида кадмия в атмосфере паров селена в ходе рекристаллизации, ухудшало инерционность приборов. Параметры приборов, изготовленных с использованием ионной имплантации Ag и Сu, превышали характеристики отечественных приборов и зарубежных аналогов (таблица 3).

Таблица 3.

Параметры приборов, изготовленных с помощью ионного внедрения атомов Аg и Сu и параметры приборов-аналогов.

ВЫВОДЫ

1. Теоретически обоснованы и разработаны технологии направленного воздействия и управления свойствами широкозонных соединений группы А²В⁶, в том числе ионное легирование, электронное облучение импульсными высокоэнергетичными пучками и термообработка в различных условиях, позволившие получить монокристаллы и микрокристаллические пленки указанных материалов с характеристиками и свойствами, открывающими перспективы их использования в качестве основы элементной базы оптоэлектроники.

2. Разработаны и практически реализованы технологии получения высокочистых неорганических продуктов с управляемым составом собственных точечных дефектов - монокристаллов селенидов кадмия и цинка р-типа проводимости отжигами в парах металлоида и низкоомных кристаллов n-типа отжигами в расплаве металла. Установлены закономерности изменений состава, кинетических характеристик и зарядового состояния собственных точечных дефектов и их комплексов в нелегированных монокристаллах CdSe и ZnSe, в ходе отжига и «закалки» высокотемпературного равновесного состояния. Выявлено влияние дефектов структуры на гетеррирующие способности локальных областей монокристаллов в процессе отжига и предложен технологический процесс минимизации этого влияния.

3. Разработана технология управления проводимостью приповерхностных слоев монокристаллов селенидов кадмия и цинка посредством ионной имплантации акцепторных (Ag⁺, Р⁺, As⁺) и донорных (In⁺) примесей, а также собственного компонента -металлоида(Se⁺) с последующим отжигом в различных условиях, в том числе:

- впервые имплантацией ионов Ag⁺ в монокристаллы CdSe получены слои р-типа проводимости (р=10¹³ч10¹⁴ см^-3, м_p=20ч25 см²/В·с) и имплантацией ионов In⁺ в ZnSe низкоомные проводящие слои n-типа (n=3ч5·10¹⁸ см^-3, м_p=200ч250 см²/В·с). Установлен механизм дефектообразования и природа электрически активных центров, ответственных за получение проводимости n- и р-типа и их компенсацию.

- разработаны физико-химические основы технологии получения слоев р-типа проводимости путем имплантации ионов металлоида в монокристаллы и микрокристаллические пленки соединений группы А²В⁶, обеспечивающие управление составом и концентрацией собственных точечных дефектов. Впервые получены слои с проводимостью р-типа в CdSe на поверхности монокристаллических пластин (р=2ч410¹⁷ см^-3, м_p=60ч70 см²/В·с) и в пленках (p=5ч8.10¹² 1/см³, м_p=20ч30 см²/В·с).

- разработаны технологии формирования активных структур на основе монокристаллов ZnSe и CdSe n и p-типа проводимости, посредством имплантации соответствующих примесей и отжига в различных условиях и изготовлены опытные образцы светоизлучающих (диоды Шоттки, МДП и p-n структуры) и фотоприемных (p-i-n) структур. Установлены основные закономерности транспорта носителей заряда и рекомбинационных процессов с их участием, открывающие перспективы использования разработанных структур в приборах оптоэлектроники.

4. Установлены основные закономерности и особенности радиационного дефектообразования в широкозонных материалах А²В⁶ при бомбардировке их поверхности в процессе имплантации ионов. На примере монокристаллов CdSe, имплантированных Ar⁺, Р⁺ и Ag⁺, детально изучен эффект насыщения концентрации радиационных дефектов в ионнолегированных слоях, предотвращающий их аморфизацию при больших дозах легирования и эффект аномально глубокого проникновения имплантируемых примесей в процессе ионного легирования. Предложена модель стимулированной диффузии в процессе ионного легирования, учитывающая особенности дефектообразования в широкозонных соединениях группы А²В⁶.

5. Установлены основные закономерности и особенности взаимодействия радиационных дефектов и примесных атомов с собственными точечными дефектами и линейными дефектами структуры кристаллов в процессах отжигов ионнолегированных монокристаллов CdSe и ZnSе в различных условиях, в том числе:

- теоретически обоснована и практически реализована на примере ZnSе технология импульсных электроннолучевых отжигов ионнолегированных слоев широкозонных соединений группы А²В⁶, с целью управления их проводимостью.

Изучены процессы дефектообразования при облучении монокристаллов пучками электронов в широком диапазоне ускоряющих напряжений и плотности энергий электронного пучка. Установлены механизмы изменения свойств материала основы и отжигаемых ионно-легированных слоев, позволяющие прогнозировать характер и динамику этих изменений, в том числе деградацию материала.

Показаны возможности и перспективность применения импульсных электронных отжигов для формирования слоев с различной проводимостью на поверхности монокристаллических пластин как не легированных, так и легированных путем ионной имплантации примесями I, III и V групп периодической системы элементов.

- установлены технологические режимы и условия, обеспечивающие эффективную аннигиляцию радиационных дефектов и активацию имплантированных донорных и акцепторных примесей I, III и V групп периодической системы элементов в широкозонных материалах А²В⁶ при термической обработке в контакте с компонентами соединений, защитными пленками на основе металлов и диэлектриков и в вакууме.

Показаны отличия в эффективности различных видов отжига при формировании слоев с проводимостью как n- так и р-типа для активных структур, имеющих перспективы применения в приборных разработках.

6. Установлены особенности и механизмы физико-химического взаимодействия материала основы и имплантированных примесей в микрокристаллических пленках соединений группы A²B⁶. На примере пленок CdSe и CdS детально изучены основные закономерности формирования микроструктуры, фазового состава и свойств материалов в зависимости от изменения основного состава пленок, легирования и отжигов в различных условиях в том числе:

- установлено, что в нелегированных и в легированных примесями I, III и V групп периодической системы элементов пленках до их термообработки, отклонение состава пленок от стехиометрического решающим образом сказывается на их структуре и фазовом составе и, как следствие, оказывает определяющее влияние на электрофизические свойства пленок, в том числе механизм транспорта носителей заряда.

- изучены основные закономерности процессов полиморфного превращения и рекристаллизации в нелегированных и легированных поликристаллических плёнках указанных соединений при термообработке в различных условиях.

Установлена взаимосвязь между типом и концентрацией легирующей примеси, атмосферой и температурой отжигов и характером рекристаллизации пленок, выражавшейся в изменении типа текстуры, размеров и структурного совершенством микрокристаллитов. Исследована кинетика межфазных превращений и предложены механизмы прохождения рекристаллизации при отжигах микрокристаллических пленок соединений А²В⁶ в различных атмосферах.

- на примере микрокристаллических пленок CdSе, легированных элементами I,III и V групп, впервые детально рассмотрена взаимосвязь процессов рекристаллизации пленок и проявления электрической активности(активации) имплантированной в них примеси. Установлено, что перестройка структуры микрокристаллитов в процессе рекристаллизации пленок обладает чертами «самоорганизации» и оказывает определяющее влияние не только на их структурное совершенство, но и на фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок.

Предложен механизм образования твердых растворов на основе имплантированных примесей и материала пленки в процессе рекристаллизации при относительно низких температурах Т0,2-0,3Т_пл, в результате которой происходит активация примеси и формирование соответствующих электрофизических и фотоэлектрических характеристик.

- установлено, что в рекристаллизованных пленках CdSe и CdS, имплантированных серебром и медью, основные закономерности изменения кинетических характеристик носителей заряда, обусловлены формированием в них рекомбинационных и дрейфовых барьеров, связанных с дефектами структуры в объеме микрокристаллитов и на их границах. Минимизация содержания в пленках дефектов структуры инициирует переход рассеяния носителей заряда и фоточувствительности к механизмам характерным для монокристаллов и обеспечивает получение пленок с высокими электрофизическими и фотоэлектрическими характеристиками.

- на основе изученных закономерностей разработана технология получения высокоомных (р~10¹²ч10¹⁴ Омсм), обладающих высокими кинетическим характеристиками (м^*_Н100ч150 см²/Всек при 300 К) и фоточувствительных (R_т/R_св 10⁸ч10¹⁰) микрокристаллических пленок посредством ионного внедрения серебра и меди и отжига в атмосфере паров CdSe:СdCl₂.

Установлены концентрации имплантируемой примеси, диапазон температур и длительности термообработки, обеспечивающие рекристаллизацию и эффективную активацию примеси. Указанные слои прошли испытания в качестве фоточувствительных слоев передающих телевизионных трубок - видиконов и позволили получить приборы с параметрами, превышающими отечественные приборы и зарубежные аналоги.

7. Результаты работы внедрены на ведущих отечественных предприятиях в том числе:

- технология получения высокоомных фоточувствительных пленок для видиконов защищена авторскими свидетельствами и внедрена во ФГУП «НИИ Платан с заводом при НИИ» в производство приборов отображения информации.

- методика и режимы отжигов в расплаве цинка монокристаллов селенида цинка внедрены в ЗАО «НИИМВ»;

- методики анализа и подготовки высокочистых исходных материалов для синтеза монокристаллов, подготовки и нанесения защитных покрытий для реакторов, используемых при получении монокристаллов соединений А²В⁶, защищенные патентами, внедрены в ОАО «Гиредмет».

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ РАБОТЫ

1. Киреев.П.С, Корницкий А.Г.,Левонович Б.Н. Электропоглощение и люминесценция монокристаллов селенида кадмия// Сб. «Модуляционная спетроскопия» 1975, Тбилиси, стр. 144-148

2. Горелик С.С, Гордеева Г.В., Сагалова Т.Б.. Левонович Б.Н., Корницкий А.Г.,Киреев П.С.Исследование структурных изменений и электрофизических свойств пленок поликристаллических пленок селенида кадмия при отжиге// Тезисы докладов 1 Всес. конференции «Получение и свойства полупроводниковых соединений А^ПВ^VI и А^ПВ^VI и твердых растворов на их основе», 1977, г. Москва, т.2 стр.157

3.Бабарина Л.Р. Корницкий Л.Г. Киреев П.С., Левонович Б.Н., Нугридинов Б.

Электропоглощение и люминесценция на мелких локальных центрах в монокристаллах селенида кадмия// Тезисы докладов 1 Всес. конференции «Получение и свойства полупроводниковых соединений А^ПВ^VI и А^IVВ^VI и твердых растворов на их основе», 1977 г. Москва, т.2 стр.216.

4.Киреев П.С. Корницкий А.Г., Котляр А.А., Левонович Б.Н., Локализованные состояния в монокристаллах, селенида кадмия, легированных ионным внедрением//Тезисы.докладов. Ш Всесоюзного совещания. «Дефекты структуры в полупроводниках» 1978, Новосибирск, стр. 141

5. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Иофис Б.Г., Гордиенко Е.В. Левонович Б.Н. Люминесценция монокристаллов CdSe , легированный ионами фосфора и азота//Известия АН СССР сер. Неорганические материалы 1978, № 5, стр. 952 -954

6. Киреев П.С.,Корницкий А.Г.,Иофис Б.Г.,Гордиенко Е.В. Левонович Б.Н. Фотолюминесценция и электроотображение имплантированных ионами фосфора монокристаллов селенида кадмия// Известия вузов, сер. Физика, 1978, № 3, стр. 49-54

7. Горелик С.С., Гордеева Г.В., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н. Влияние отжига на структуру и свойства поликристаллических пленок селенида кадмия. Электронная техника сер. Материалы 1978, № 3, стр. 70-73.

8. Киреев П.С. Корницкий А.Г. Левонович Б.Н. Фоточувствительность и люминесценция монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора.Изв. АН Узб. ССР, серия физ-мат.наук № 4, 1979, стр.61-63.

9. Корницкий А.Г., Куликаускас В.С., Левонович Б.Н., Пендюр С.И., Фрейдин С.Г. Радиационное дефектообразование в монокристаллах селенида кадмия, легированных, ионами фосфора и серебра// Сборник докладов Х Всесоюзн. Совещания по взаимодействию заряженных частиц с твердым телом, 1979,Москва, МГУ, стр. 43-44

10. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н. Электроотражение монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора//Известия вузов, сер. Физика 1979 г. № 4 с.109-111

11. Киреев П.С., Корницкий А.Г. Левонович Б.Н. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства, неоднородных структур, изданных имплантацией ионов серебра в монокристаллы селенида кадмия.// Известия вузов, сер. Физика 1979 г, № 12, стр. 83-84.

12. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Спицын А.В., Левонович Б.Н. Фотолюминесценция и фоточувствительность монокристаллов CdSe, легированных ионами серебра// Известия АН ССР, сер. Неорганические материалы, 1980, № 1, стр. 161-163.

13. Георгобиани А.Н. Дементьев Б.П., Коваль Б.А., Котляровский М.Б, Левонович Б.Н. Проскуровский Д.И.,Якубович Н.М.// Применение наносекундных сильноточных электронных пучков для отжига радиационных дефектов в ионно-имплантированном селениде цинка Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции «Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве» 1981, Тбилиси, т.1, стр. 28.

14. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Ластовка В.В, Левонович Б.Н. Высокая подвижность в селениде цинка, ионно-легированном большими дозами индия// Краткие сообщения по физике, 1983, № 7, стр. 23-27.

15. Бочков Ю.В., Илюхина З.П., Левонович Б.Н. Сердюк Н.В. О получении слоев ZnSe, с дырочной проводимостью// Сборник «Тройные полупроводники и их применение»// Материалы IV Всесоюзной конференции, 1983, Кишенев, стр. 238-240.

16. Бабарина Н.Р. Корницкий А.Г. Малючков О.Т. Сафонов Ю.С. Левонович Б.Н. Фотоэлектрические свойства легированных поликристаллических слоев селенида кадмия// Физика и техника полупроводников 1983, т.17, выпуск 7, стр. 1306-1308.

17. Бочков Ю.В., Левит А.Д., Левонович Б.Н. Паносюк Е.И, Н.В.Сердюк О возможности выращивания кристаллов ZnSe с дырочной проводимостью// Краткие сообщения по физике 1983, № 7, стр. 42-45

18. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н, Илюхина З.П., Левонович Б.Н. Н.В. Сердюк О получении слоев ZnSe c дырочной проводимостью//Краткие сообщения по физике 1983, № 8, стр. 22-26.

19. Георгобиани А.Н. Сердюк Н.В. Котляровский М.Б. Ластовка В.В, Б.Н. Левонович Излучательные р - i - n структуры на основе ZnSe, полученные ионной имплантацией// Сборник докладов международной конференции «Ионная имплантация в полупроводниковые и другие материалы» 1983, Вильнюс, стр. 35,

20. Зада-Улы Е.Н, Левонович Б.Н., Муллабаев И.Д., Сердюк Н.В. Влияние изохронных отжигов на фотолюминесценцию монокристаллов селенида цинка, имплантированных Ar+// Краткие сообщения по физике, 1984, № 2, стр. 55-59.

21. Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Левонович Б.Н., Сердюк Н.В. Электролюминесцентные характеристики светодиодов на основе ZnSe// Физика и техника полупроводников, 1984, т.18, № 3 стр. 408-411,

22. Бабарина Л.Р., Корницкий А.Г., Молючков О.Т., Левонович Б.Н., Перенос носителей заряда в легированных поликристаллических слоях селенида кадмия//Известия АН СССР сер. . Неорганические материалы 1984, т.20, № 8, стр. 1284-1286.

23 Б.П.Дементьев, М.Б.Котляревский, Левонович Б.Н., Н.И.Якубович Механизмы дефектообразования в селениде цинка при импульсном облучении мощными электронными пучками подпороговых энергий// Краткие сообщения по физике, 1990, № 6, стр. 24-26.

24. Бочков Ю.В. Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Левонович Б.Н., Сердюк Н.В.Слои селенида цинка с дырочной проводимостью// Сборник докладов III Всесоюзной конференции “Материаловедение халькогенидных полупроводников”, 1991, Черновцы, т.1. стр. 18

25. Котляровский М.Б., Ластовка В.В., Левонович Б.Н., Дементьев Б.П., Якубович Н.И.Голубая инжекционная электролюминесценция в в р - i - n структурах на основе ZnSe, ионноимплантированных Ar+ // Сборник докладов III Всесоюзной конференции “Материаловедение халькогенидных полупроводников”, 1991, Черновцы, т. 3, стр. 39

26..Тодуа П.А, Левонович Б.Н., .Шестакова Е.Ф,.Эльтазаров Б.Т. Электролюминесцентные туннельные структуры на основе селенида цинка и ленгмюровской пленки// Поверхность, 1992, № 2, стр.34-39

27. Георгобиани А.Н, Дементьев Б.А., Котляровский М.Б., Левонович Б.Н. Янкелевич Е.Б., Якубович Н.И. Примесная дырочная проводимость в ионнолегированных ZnSe, отожженных импульсными электронными пучками// Сборник «Легирование полупроводниковых материалов» под ред. проф. Зеленова В.С., Москва, Наука, 1995, стр. 193-198

28. Котляревский М.Б., Левонович Б.Н, Якубович Н.И., Лудзиш О.С. Твердофазный электронный отжиг ионноимлантированных монокристаллов селенида цинка// Известия. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1991, 27, 11, стр. 2265-2270.

29. Б.Н. Левонович, Н.И. Шматов, А.А. Шленский, Н. А. Смирнова, Н.В. Пашкова

Исследование природы электрофизической и оптической неоднородности в кристаллах

Cd1-xZnxTe(x0,04), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации// Известия вузов, сер. Материалы электронной техники 2008, №1, с.32-36

30. Георгобиани А.Н, Левонович Б. Н. Свойства монокристаллов CdSe, активированных селеном с помощью ионной имплантации// Известия АН РФ, Сер. Неорганические материалы 2009, № 6, т. 45, с.1-5,

31. Хомяков А.В., Зиновьев А.Ю, Аветисов И. Х., Левонович Б. Н., Сагалова Т.Б. Поликристаллические слои сульфида кадмия для приборов отображения инфомации// Известия вузов, сер. Материалы электронной техники, 2009, № 3, 57-62

32. I.Ch. Avetissov, A.P.Sadovskii, E.A.Sukhanova, E.V.Zharikov, A.I.Belogorokhovb, B.N.Levonovich Czochralski crystal growth assisted by axial vibrational control technique //

J. Crystal Growth (2009), doi:10.1016/j.jcrysgro.2009.10.014

33. Levonovich B.N Change in Electrical Properties and Structure during Recrystallization of Polycrystalline Cadmium Selenide Films. Crystallography Reports// 2009, vol.54, № 7 pp. 114-118

34. Агапова М.С., Белов А.Г., Каневский В.Е., Левонович Б. Н., Скачкова А.Д., Цветкова В.А.Шленский А. А. К вопросу о природе полосы «1,4 эВ» в спектрах фотолюминесценции образцов Cd1-yZnyTe, легированных хлором// Известия вузов, сер. Материалы электронной техники 2009, № 4, с. 9-13

35. Георгобиани А.Н , Левонович Б.Н., Сагалова Т.Б., Аветисов И.Х.

Влияние атмосферы отжигов на структуру и свойства пленок селенида кадмия, имплантированных серебром// Известия вузов, сер. Материалы электронной техники 2009, № 4, с.14-18

36. Левонович Б. Н. Влияние атмосферы отжига на характер рекристаллизации поликристаллических пленок селенида кадмия// Доклады Академии Наук РФ, 2010, т. 431, №1 с.1-3.

37. Корницкий А.Г. Котляр А.А. Левонович Б.Н., Гордиенко Е.В., Новиков В.М. Способ создания высокоомных фоточувствительных слоев полупроводниковых соединений// Авторское свидетельство № 678749, приоритет от 15.03.1978 г.

38. Котляр А.А., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н., Бабарина Л.Р., Шапкин П.В.//Способ получения р - п переходов на основе полупроводниковых соединений А^ПВ^V1.

Авторское свидетельство № 771956 , приоритет от 14.02.1979 г.

39. Горелик С.С., Дравин В.А., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н., Новиков В.М., Сагалова Т.Б., Спицын А.В.//Способ создания высокоомных фоточувствительных поликристаллических слоев полупроводниковых соединений типа А^ПВ^V1. Авторское свидетельство .№ 965256, приоритет от 15.02.1980 г.

40. Иофис Б.Г., Левонович Б.Н., Новиков В.М., Хвостикова Н.Т. Способ изготовления мишени видикона// Авторское свидетельство .№ 1029781, приоритет от 15.03.1983 г.

41. Аверичкин П.А., Левонович Б. Н., Пархоменко Ю.Н.Шленский А. А. Шматов Н.Н. Способ изготовления кварцевых контейнеров //Патент на изобретение № 2 370 568 от 20.10.2009 г., Бюл. № 29

42. Аверичкин П. А., Кальнов В. А., Кожухова Е. А., Левонович Б. Н., Маншев Ю. П. Пархоменко Ю.Н. Шевчук С. Л. Шленский А.А. Способ получения углеродосодержащих покрытий.// //Патент на изобретение № 2374358 от 27.11.2009, Бюл. № 33

Цитированная литература.

1. Михаленко В.Н., Дементьев Б.П., Котляревский М.Б., Георгобиани А.Н. Низкотемпературное равновесное ограничение компенсации собственно-дефектной дырочной проводимости в сульфиде цинка// Изв. вузов. Физика. 1978. №8. стр. 150-152.

2. Feldman L.G., Hodgers J.W. Depth. Profiles of Lattice Disorder Resulting From Ion Bombardment of Silicon Single Crystals.// J. Appl. Phys., v.4I, № 9, p.3776-3782, 1970.

3. Шкловский Б.И. Эфрос Ф.Л.// Электронные свойства легированных полупроводников. М. Наука,1979 г. с.416

4. Эпштейн Э.М. О механизме возникновения поликристаллической структуры в полупроводниках// Физ. и техн.полупроводников, 1982, т.16, № 5, стр.861-863.

5.Orton J.W. Goldsmith B.J., Chapman J.A. Powell M.J.//The mechanism of photoconductivity in polycrystalline cadmium sulphide layers.- J. Appl. Phys., 1982 v.53, №3, p. 1602-1614.

6. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами.// УФЖ, т.18, №5, стр.732-741, 1974.

Размещено на Allbest.ru