Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.

Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.

Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.

Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.

Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.

Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.

Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.

Оперативные запоминающие устройства. Метод произвольного доступа. Основные требования, предъявляемые к оперативным запоминающим устройствам. Комплементарная транзисторная пара. Полная схема статического запоминающего элемента на основе триггеров.

Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.

Характеристика электрических параметров, эксплуатационных данных и конструктивных особенностей тиристоров. Анализ инверторного режима в трехфазном мостовом тиристорном преобразователе. Временная диаграмма напряжений и токов тиристорного преобразователя.

Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.

Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, изменяющие своё сопротивление под действием светового потока. Максимальная спектральная чувствительность. Плоскостные полупроводниковые диоды.

Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.

Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.

Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.

Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.

Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.

Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.

Массивы нитевидных нанокристаллов и наностержней ZnO как элементная база высокоэффективных электрооптических устройств. Прикладные характеристики массивов нанокристаллов ZnO, способы их определения. Управление морфометрическими параметрами массивов.

Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.

Характеристика получения передаточной функции объекта управления. Основной расчет границы устойчивости замкнутой системы. Определение настроек ПИ- и ПИД-регуляторов методом незатухающих колебаний. Особенность использования формулы Циглера-Никольса.

Частотные характеристики систем автоматического регулирования и разновидность их типовых звеньев. Понятие абсолютной и относительной влажности, методы ее измерения. Измерение влажности психометрическим влагомером, датчиками и первичными преобразователями.

Выбор метода проектирования. Характеристики идеального фильтра нижних частот. Выбор взвешивающей функции. Получение цифрового КИХ-фильтра нижних частот с заданными характеристиками. Тестирование фильтра, программирование и анализ его быстродействия.

Вибір напрямку для реальної поверхні і розробка методів побудови карт завад та спостереження об’єктів. Розробка методу реконструкції рельєфу з ізоліній. Аналіз та узагальнення статистичних характеристик великомасштабних і дрібномасштабних нерівностей.

Рассмотрение процедур, основанных на оценке поляризационных характеристик помех с подавлением их на последующих этапах. Сравнение эффективности устройств с устройствами, весовые коэффициенты которых определены при известных ПХ радиолокационных объектов.

Вирішення проблеми точної адаптації антенних систем радіоелектронних засобів приймання, передавання та руйнування інформації в умовах апріорної невизначеності радіосигналів, що приймаються. Розробка мікрохвильових пристроїв для перетворення поляризації.

Рассмотрение поляриметрической обработки массивов данных антенной решеткой, дающих значительный выигрыш в обнаружении. Предложение алгоритма, инвертирующего корреляционную матрицу мешающих отражений, который может быть частью адаптивного процессора.

Экспериментальные результаты выполненных исследований в фотоэлектрических процессах в поверхностно-барьерных структурах (барьерах Шоттки) Au-n-GaAs в линейно-поляризованном излучении. наклонное падение излучения на приемную плоскость структур.

Дослідження моделей радіолокаційних сигналів від зон градової небезпеки (ЗГН). Розробка алгоритмів зондування хмар та обробки сигналів про наявність граду. Застосування поляриметричного методу виявлення ЗГН у бортових радіолокаторах повітряних кораблів.

Канал связи как система технических средств и среда распространения сигналов для односторонней передачи, данных от отправителя к получателю. Стохастические и прогнозируемые помехи. Случайные процессы и их спектры. Основные способы устранения шумов.