Дослідження електронних процесів під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами. Поняття електронної гетерогенної аккоммодації енергії хімічних реакцій. Комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабльних твердих тіл.

Характер змінення найближчого оточення парамагнітних іонів в умовах високого тиску, а також в спіновій системі в точках перетину енергетичних рівнів. Змінення g-факторів іонів з незамороженим орбітальним моментом в низькотемпературному інтервалі.

Розрахунок електронної зонної структури бінарних сполук методом модельного псевдопотенціалу та дослідження впливу на неї деформацій і температури. Моделювання твердих розчинів заміщення і дослідження впливу структурної релаксації на електронний спектр.

Основні компоненти та технічні характеристики електронного гіроскопа. Використання його для контролю положення і кутових швидкостей з малим часом відгуку. Розмір датчиків та осі вимірювання кутової швидкості. Призначення світловипромінюючого світлодіода.

Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.

Особливості електронних явищ в приповерхневих шарах сильно легованих твердих розчинів германій-кремній. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів та їх зміни в результаті різних обробок поверхні (механічна, опромінення).

Дослідження змін електронного спектру в кластерному наближенні кристалів CuInSe2, спричинених заміною в ньому атомом In атомів Ga та Al. Теорія перенормування потенціалу частки багатокомпонентного кристалу при переході до кластера. Ефект Яна-Теллера.

Опис електронних кореляцій в рамках моделі Габбарда та пояснення особливостей фізичних властивостей кристалів з вузькими зонами провідності. Перехід метал-діелектрику в парамагнітній фазі, побудова його фазової діаграми в координатах тиск-температура.

Аналіз процесів, що відбуваються в діелектриках з високою густиною електронних станів під дією високих доз іонізуючого опромінення. Властивості композицій ядерного палива в активній фазі важкої техногенної аварії та їх подальша поведінка з плином часу.

Структура електронних станів та процесів електронного перенесення в діелектриках, що зазнали дії високих доз радіаційного опромінення. Ідентифікація складних процесів, відповідальних за утворення в умовах важкої ядерної аварії діелектричних композицій.

Особливості фотовольтаїчних властивостей та методи оптимізації фоточутливості анізотипних органічних гетероструктурах, встановлення зв'язку енергетичної структури з експериментальними значеннями фото-ерс. Оцінка можливості використання цих структур.

Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.

Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.

Побудова рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Ефективність кристалів як матеріалів для екзоемісійної скін-дозиметрії. Термоактивовані та тунельні електронно-діркові рекомбінації.

Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.

Протікання електронних та іонних процесів у діелектричних фазах твердих електролітів. Фізичні властивості суперіонних матеріалів. Імпедансна спектроскопія та особливості структури Ag2MeI4. Параметри електропровідності в інфрачервоній області спектра.

Вибір класу електронних та квантових приладів надвисоких частот. Опис схеми прольотного клістрону і принцип його дії. Включення і розрахунок основних параметрів обраного електронного пристрою. Рекомендації по використанню розробленої дії в підсилювачах.

Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.

Аналітичний та чисельний аналіз ефективної маси електронів провідності в зовнішньому магнітному полі. Отримання рівняння для спектру спінових збуджень кристалічної та структурно невпорядкованої моделей в рамках двочасових температурних функцій Гріна.

Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.

Дослідження електронного транспорту в періодичних магнітних мультишарах та сандвічах. Розгляд кінетичних ефектів у двошарових та багатошарових плівках з моно- та полікристалічною структурою. Вплив шорсткостей інтерфейсів на амплітуду ефекту магнітоопору.

Фізичні закономірності впливу шаруватості та нанорозмірності на електронний транспорт у багатошарових плівкових системах. Структура індивідуальних металевих шарів, шорсткість зовнішніх інтерфейсів. Резистометричний метод вимірювання коефіцієнтів дифузії.

Властивості кремнієвих структур та їх механізми люмінесценції. Модель квантової ями та циліндричної квантової нитки, що знаходиться в діелектричному оточенні. Сферична напівпровідникова квантова точка з діелектричною сталою у діелектричному середовищі.

Дослідження екситонних спектрів у квантово-розмірних структурах різного типу з урахуванням ефекту просторового обмеження, скінченності висоти потенціальних бар’єрів. Вплив зовнішнього оточення внаслідок його поляризації в області межі розділу середовищ.

Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.

Розроблення методики хімічної і термічної обробки для формування заданої пористої структури АВМ з максимальною площею розвинутої поверхні. Встановлення закономірності кінетики та механізмів електронно-іонних процесів. Формування локального оточення ядер.

Розробка методики хімічної і термічної обробки для формування заданої пористої структури активованих вуглецевих матеріалів (АВМ) з максимальною питомою площею розвинутої поверхні. Вплив хімічної модифікації АВМ на структурні перетворення в цих матеріалах.

Огляд методики виготовлення тонких сколів стекол, в яких зберігається структура об’ємного зразка. Дослідження склоподібного трисульфіду миш’яку. Аналіз закономірностей зміни структури складних халькогенідних стекол при варіації складу та умов синтезу.

Дослідження електронно-стимульованих явищ у кріокристалах інертних елементів Ne та Xe, опромінених іонізуючим випромінюванням. Механізм релаксації у системі локалізованих заряджених часток, на основі випромінювальної рекомбінації домішкових атомів.

Схеми електропостачання підприємства в цілому і виробничих цехів, роботу служби енергозбереження. Проведення налагоджувальних робіт, характеристика ряду електричних приладів, пристосувань, обладнання, та апаратів, що експлуатуються на підприємстві.