Структура електронних станів та процесів електронного перенесення в діелектриках, що зазнали дії високих доз радіаційного опромінення. Ідентифікація складних процесів, відповідальних за утворення в умовах важкої ядерної аварії діелектричних композицій.

Особливості фотовольтаїчних властивостей та методи оптимізації фоточутливості анізотипних органічних гетероструктурах, встановлення зв'язку енергетичної структури з експериментальними значеннями фото-ерс. Оцінка можливості використання цих структур.

Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.

Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.

Побудова рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Ефективність кристалів як матеріалів для екзоемісійної скін-дозиметрії. Термоактивовані та тунельні електронно-діркові рекомбінації.

Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.

Протікання електронних та іонних процесів у діелектричних фазах твердих електролітів. Фізичні властивості суперіонних матеріалів. Імпедансна спектроскопія та особливості структури Ag2MeI4. Параметри електропровідності в інфрачервоній області спектра.

Вибір класу електронних та квантових приладів надвисоких частот. Опис схеми прольотного клістрону і принцип його дії. Включення і розрахунок основних параметрів обраного електронного пристрою. Рекомендації по використанню розробленої дії в підсилювачах.

Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.

Аналітичний та чисельний аналіз ефективної маси електронів провідності в зовнішньому магнітному полі. Отримання рівняння для спектру спінових збуджень кристалічної та структурно невпорядкованої моделей в рамках двочасових температурних функцій Гріна.

Фізичні закономірності впливу шаруватості та нанорозмірності на електронний транспорт у багатошарових плівкових системах. Структура індивідуальних металевих шарів, шорсткість зовнішніх інтерфейсів. Резистометричний метод вимірювання коефіцієнтів дифузії.

Дослідження електронного транспорту в періодичних магнітних мультишарах та сандвічах. Розгляд кінетичних ефектів у двошарових та багатошарових плівках з моно- та полікристалічною структурою. Вплив шорсткостей інтерфейсів на амплітуду ефекту магнітоопору.

Дослідження екситонних спектрів у квантово-розмірних структурах різного типу з урахуванням ефекту просторового обмеження, скінченності висоти потенціальних бар’єрів. Вплив зовнішнього оточення внаслідок його поляризації в області межі розділу середовищ.

Властивості кремнієвих структур та їх механізми люмінесценції. Модель квантової ями та циліндричної квантової нитки, що знаходиться в діелектричному оточенні. Сферична напівпровідникова квантова точка з діелектричною сталою у діелектричному середовищі.

Розроблення методики хімічної і термічної обробки для формування заданої пористої структури АВМ з максимальною площею розвинутої поверхні. Встановлення закономірності кінетики та механізмів електронно-іонних процесів. Формування локального оточення ядер.

Розробка методики хімічної і термічної обробки для формування заданої пористої структури активованих вуглецевих матеріалів (АВМ) з максимальною питомою площею розвинутої поверхні. Вплив хімічної модифікації АВМ на структурні перетворення в цих матеріалах.

Огляд методики виготовлення тонких сколів стекол, в яких зберігається структура об’ємного зразка. Дослідження склоподібного трисульфіду миш’яку. Аналіз закономірностей зміни структури складних халькогенідних стекол при варіації складу та умов синтезу.

Дослідження електронно-стимульованих явищ у кріокристалах інертних елементів Ne та Xe, опромінених іонізуючим випромінюванням. Механізм релаксації у системі локалізованих заряджених часток, на основі випромінювальної рекомбінації домішкових атомів.

Схеми електропостачання підприємства в цілому і виробничих цехів, роботу служби енергозбереження. Проведення налагоджувальних робіт, характеристика ряду електричних приладів, пристосувань, обладнання, та апаратів, що експлуатуються на підприємстві.

Класифікація та види електроприводів промислових механізмів. Принципи розрахунку та вибору потужності електродвигунів. Приведення статичних моментів інерції. Механічна характеристика асинхронного двигуна із фазним ротором. Аналіз перехідних процесів.

Встановлення фізичних закономірностей впливу особливостей структури композиційних матеріалів терморозширений графіт-полімер на їх механічні та електрофізичні властивості. Вплив опромінення електронами та квантами випромінювання на електроопір зразків.

Дослідження з метою виявлення електрооптичних властивостей композитів ліотропних іонних рідких кристалів та віологену і встановлення зв’язку між цими властивостями. Аналіз голографічного запису динамічних ґраток на забарвлених зразках композитів.

Експерименти по вивченню впливу фізичних параметрів (концентрації легуючої домішки, напрямку одноосьового тиску відносно кристалографічних осів кристалу та ін.) на умови виникнення генерації і стрибка струму при збіжних напрямках електричного поля і тиску

Аналіз порядку вибору системи електропостачання промислового об’єкта, що віддалений від енергосистеми. Можливість встановлення дизель-генераторів, а також побудови лінії від центру живлення. Характеристика моделювання за допомогою середовища Mathlab.

Характеристика технологічного процесу цеху і електроспоживачів, які живляться від підстанції електроцеху. Вибір величини раціональної напруги і схеми живлення. Розрахунок електричних навантажень підстанції. Вибір кількості і потужності трансформаторів.

Електропостачання підприємства як багатоцільова задача , яка встає перед розробником. Знайомство з головними етапами розрахунку електропостачання об'єкту та графіків електричних навантажень. Аналіз діаграми, що ілюструє роботу компенсуючого пристрою.

Порядок та головні етапи розрахунку електричних навантажень мікрорайону житлового масиву. Методика визначення потужності трансформаторів та трансформаторних підстанцій, а також місце їх розташування. Розрахунок перерізу кабелю та короткого замикання.

Огляд структури розподільчої мережі підприємства, методів визначення, перевірки кабелів та дротів, способів проведення техніко-економічних порівнянь схем електропостачання. Методика вибору потужності трансформаторів. Розрахунок струму короткого замикання.

Ознайомлення з основними показниками якості електричної енергії, вивчення процесів, що викликають її зниження, а також оцінка впливу її показників на електроприймачі та ознайомлення зі способами підвищення якості електричної енергії в різних мережах.

Розрахунок навантажень електричної мережі. Денні та вечірні активні навантаження споживачів. Компенсація реактивної потужності на ТП. Визначення координат трансформаторної підстанції. Особливості вибору силового трансформатора. Поняття грозозахисту.