Сущность биоэтики как естественного обоснования человеческой морали. Основные принципы биоэтики по Конраду Лоренцу. Юридические проблемы биоэтики. Философский смысл смерти и особенности деятельности отделений при госпиталях для безнадежно больных.

"Спидофобия" и требования медицинской этики по отношению к больным с синдромом приобретённого иммунодефицита (СПИД). Психологические аспекты СПИД и уважение автономии пациента в тестировании на вирус иммунодефицита человека. Моральные обязательства врача.

Рассмотрение проблематизации применения инновационных технологий. Изучение нравственного и рационального обоснования биомедицинских исследований. Характеристика биоэтической аргументации при рассмотрении спорных вопросов и разрешении конфликтов.

Медицинские вмешательства в репродукцию человека. Различные подходы к применению вспомогательных репродуктивных технологий. Биоэтические проблемы контрацепции и стерилизации, искусственного прерывания беременности и биоэтические аспекты сексологии.

Понятие генетической инженерии. Бактериальная клетка как основа микробиологической и биосинтетической промышленности. Основные этапы решения генно-инженерной задачи. Суть этической проблематики генных технологий. Понятие клонирования и его методика.

Философская тревога относительно возможных изменений в сознании человека, связанных с биотехнологической революцией, генной инженерией в частности. Феномен плюрипотентности клеточного материала может породить плюрипотентность мировоззрения человека.

Рассмотрение эффективных биоэтических средств овладения авангардными технологиями. Исследование причин конфликта интересов развития и безопасности. Юридический и социальный контроль использования авангардной технологии в социально-экономической практике.

Рассмотрение биполярного аффективного расстройства, как варианта расстройств настроения. Ознакомление с классификацией депрессии. Изучение этиологических теорий расстройств настроения. Исследование и анализ основных последствий психотических симптомов.

Создание модели диагностики и алгоритма терапии биполярного аффективного расстройства. Частота встречаемости БАР и варианта с быстрыми циклами среди больных психиатрического стационара. Клинические особенности действия селективных ингибиторов депрессии.

Неврологический и психический статус больного. Результаты психологических тестов для исследования памяти, мышления, интеллекта. Обоснование клинического диагноза биполярного аффективного расстройства и депрессии. Симптомы заболеваний, назначение лечения.

Паспортные данные пациента, основные жалобы при поступлении. Анамнез биполярного аффективного расстройства (депрессивный эпизод). Психический и соматический статус пациента. Дифференциальный диагноз, причины возникновения болезни, обоснование лечения.

Анамнез жизни больного до и после возникновения психического заболевания. Усложнение психопатологической картины аффективных фаз за счет появления персекуторных бредовых идей, признаков синдрома Кандинского-Клерамбо - основные симптомы шизофрении.

Детство - классическая тема для русской литературы. Сотворение земного рая - художественное выражение нежного отношения к ребенку в литературном творчестве Ф.К. Сологуба. Специфические особенности взрослых персонажей в произведениях данного писателя.

Анализ специфических особенностей доминирования мужского начала в условиях патриархата закрытого общества. Мифологический, религиозный и художественный опыт - одна из форм отражения и познания проблемы биполярности и целостности мужского и женского.

Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.

Структура эпитаксиально-планарного транзистора. Многоэмиттерные транзисторы n-p-n-типа. Транзистор с диодом шотки. Структура МДП-конденсатора. Транзисторно-транзисторная логика. Базовые высокоомные слои р-типа. Изопланарная структура резисторов.

Принцип действия биполярного транзистора. Возникновение коэффициента усиления по напряжению с учётом конкретных схем включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Таблица сравнительных данных по этим схемам.

Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.

Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.

Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.

Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.

Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция. Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KT375A. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KT375A.

Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.

Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.

Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.

Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.

Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.

Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.

Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.

Виды устойчивых состояний (режимов) для биполярного транзистора: активный, инверсивный, режим отсечки и режим насыщения. Проверка достаточности напряжения питания схемы, выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Расчет каскада по постоянному току.